Центры коллективного пользования

Центр коллективного пользования «Синхротрон» (ЦКП «Синхротрон»)

ЦКП создан в 2003 году

Данный ЦКП был поддержан в рамках мероприятия 5.2 ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направления развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы»
Базовая организация данного ЦКП является головной организацией отрасли по направлению развития нанотехнологий: "Наноэлектроника (в части прикладных и ориентированных научно-исследовательских опытно-конструкторских работ)" в рамках ФЦП «Развитие инфраструктуры наноиндустрии в Российской Федерации на 2008-2011 годы»
Адрес
  • Центральный, г. Москва
  • 124460, г. Зеленоград, ул. Конструктора Гуськова, д. 5, стр. 1
  • 🌎http://www.ckp.su/
Руководитель
  • 👤Козлитин Алексей Иванович
  • 📞(499) 7361916
  • acozlitin@yandex.ru
Контактное лицо
Сведения о результативности за 2016 год (данные мониторинга)
Участие в мониторинге Число организаций-пользователей, ед. Число публикаций, ед. Загрузка в интересах внешних организаций-пользователей, %
да51221.54
Базовая организация

Федеральное государственное унитарное предприятие «Научно-исследовательский институт физических проблем им Ф.В. Лукина»

Информация о центре коллективного пользования (ЦКП)

Центр Коллективного Пользования «Синхротрон» (ЦКП «Синхротрон») создан в 2003 году на базе аналитических лабораторий центра физико-химических исследований и строящегося  технологического накопительного кольца «Зеленоград» c источником  синхротронного излучения Федерального государственного унитарного предприятия «Научно-исследовательский институт физических проблем им Ф.В. Лукина» – головной организации Минпромторга России по наноэлектронике в части прикладных и ориентированных научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ.

ЦКП «Синхротрон» ФГУП «НИИФП им. Ф.В. Лукина» выполняет фундаментальные и прикладные исследования, координирует научно-методическую работу, оказывает услуги и обеспечивает проведение НИР и ОКР в рамках  региональных, федерально-целевых и международных программ в соответствии с приоритетными направлениями развития науки и техники в области наноэлектроники.

В 2009 году ЦКП «Синхротрон» аккредитован в качестве элемента инфраструктуры Центра    метрологического обеспечения и оценки соответствия нанотехнологий и продукции наноиндустрии: отраслевого метрологического центра Российской Федерации по направлению наноэлектроника.

Аттестат аккредитации РОСС RU.0001.22 HH 04, № 002973 от 23 ноября 2009 г. и аттестат аккредитации на право проведения калибровочных работ № 001221 от 10 ноября 2009 г.

Направления научных исследований

  • количественный и качественный элементный анализ состава твердых тел методами вторично-ионной масс-спектроскопии (ВИМС), рентгеновского микроанализа (РМА) и электронной оже-спектрометрии (ЭОС);
  • определение фазового состава приповерхностных слоев твердых тел методами растровой электронной микроскопии (РЭМ), ВИМС, РМА и ЭОС;
  • послойный анализ (распределение примесей по глубине до ~ 5мкм) методами ВИМС и ЭОС;
  • электронно-микроскопические исследования твердых тел методами РЭМ и просвечивающей (растровой) электронной микроскопии (ПЭМ, ПРЭМ);
  • измерения линейных размеров элементов структур, микро- и нанорельефа поверхности конденсированных сред методами атомно-силовой и растровой электронной микроскопии.

Приоритетные направления
124460, г. Зеленоград, ул. Конструктора Гуськова, д. 5, стр. 1
📷

Оборудование (12)

Наименование Страна Фирма-изготовитель Марка Год
Аналитико-технологический модуль вторично-ионной масс-спектроскопии и наноэлектронной имплантации
- дорогостоящее оборудование
Россия НТ-МДТ SIMS01 2009
Сверхвысоковакуумный модуль сканирующего зондового микроскопа
- дорогостоящее оборудование
Россия НТ-МДТ SPM01 2009
Профилометр Alpha-Step D200 (KLA-Tencor)
Соединённые Штаты Америки KLA-Tencor Alpha-Step D200 1989
ИК-Фурье спектрометр Spectrum 1000 (PerkinElmer)
Соединённые Штаты Америки Perkin Elmer Spectrum 1000 2008
Измеритель краевого угла смачивания
- приобретено в рамках государственного контракта
- дорогостоящее оборудование
Финляндия RSV Instruments CAM 101 2006
Волнодисперсионный спектрометр
- приобретено в рамках государственного контракта
- дорогостоящее оборудование
Великобритания Oxford Instruments Inca Wave 700 2008
Энергодисперсионная приставка
- приобретено в рамках государственного контракта
- дорогостоящее оборудование
Великобритания Oxford Instruments Inca Energy 350 2005
Сканирующий зондовый микроскоп Solver Pro-M (НТ-МДТ)
Россия НТ-МДТ Solver Pro-M 2005
Оже электронный спектрометр PHI 660 (PerkinElmer)
Соединённые Штаты Америки Perkin Elmer PHI 660 1993
Просвечивающий аналитический 200 кВ электронный микроскоп Tecnai G2 20 (FEI)
Нидерланды FEI Tecnai G2 20 2007
Вторично-ионный масс-спектрометр ионный зонд
- дорогостоящее оборудование
Франция Cameca IMS - 4f 1990
Растровый электронный микроскоп CamScan-s4 (Cambridge)
Великобритания Cambridge Instruments CamScan-s4 1988

Услуги (11)

Для подачи заявки на оказание услуги щелкните по ее наименованию.
Наименование Приоритетное направление
Высоковакуумные исследование элементного состава и проведение локальной имплантации полупроводниковых пластин
Информационно-телекоммуникационные системы
Высоковакуумные измерения линейных размеров элементов нанометрового диапазона слоев скола различных структур.
Информационно-телекоммуникационные системы
Исследование влияния поверхностно-модифицирующей обработки на леофильно-леофобные свойства поверхности.
Науки о жизни
Измерение элементного состава объема материалов и структур методом рентгеновского микроанализа.
Информационно-телекоммуникационные системы
Измерение линейных размеров элементов нанометрового диапазона слоев скола структур на кремниевой подложке.
Информационно-телекоммуникационные системы
Структурные исследования материалов, наногетероструктур и границ раздела гетерослоев.
Информационно-телекоммуникационные системы
Измерение линейных размеров топологических элементов интегральных схем.
Информационно-телекоммуникационные системы
Измерение концентрации оптически активных элементов в слоях пластинах кремния.
Информационно-телекоммуникационные системы
Измерения профиля распределения концентрации элементов по глубине пленки методом электронной оже-спектроскопии (ЭОС).
Информационно-телекоммуникационные системы
Измерение концентрации элементов в слоистых структурах на основе AlxGa1 xAs методом ВИМС.
- наиболее востребованная услуга
Информационно-телекоммуникационные системы
Измерение двумерного распределения элемента по поверхности образца и по глубине методом вторично-ионной масс-спектроскопии (ВИМС).
- наиболее востребованная услуга
Информационно-телекоммуникационные системы

Методики (19)

Наименование методики Наименование организации, аттестовавшей методику Дата аттестации
Методика измерений толщин пленок с помощью профилометра Alpha-Step 200 (Tencor Instruments) ФГУП "ВНИИОФИ" 24.12.2013 23:00:00
Методика измерений линейных размеров в нанометровом диапазоне с помощью атомно-силового микроскопа ФГУП "ВНИИОФИ" 24.12.2013 23:00:00
Методика измерения толщины диэлектрической пленки с помощью эллипсометра ФГУП "НИИФП им. Ф.В. Лукина" 19.02.2013 23:00:00
Методика измерений распределения по глубине концентрации кислорода в пленках титана, циркония и алюминия с помощью вторично-ионного масс-спектрометра ФГУП "НИИФП им. Ф.В. Лукина" 01.07.2013 23:00:00
Методика измерений линейных размеров в нанометровом диапазоне с помощью атомно-силового микроскопа ФГУП "НИИФП им. Ф.В. Лукина" 13.03.2013 23:00:00
Методика измерений толщин пленок с помощью профилометра Alpha Step 200 ФГУП "НИИФП им. Ф.В. Лукина" 03.04.2013 23:00:00
Методика измерения концентрации элементов в слоистых структурах на основе AlxGa1‑xAs методом ВИМС ФГУП «НИИФП им. Ф.В. Лукина» 17.06.2010
Методика калибровки измерительной системы на основе растрового электронного микроскопа типа «CamScan – s4» (РЭМ – компаратор). ОАО «НИЦПВ» 12.05.2010
Методика измерений линейных размеров топологических элементов интегральных схем ФГУП «НИИФП им. Ф.В. Лукина» 02.04.2010
Методика измерения концентрации отпически активных элементов методом ИК - спектроскопии ФГУП "НИИФП им. Ф.В. Лукина" 05.03.2010
Методика измерения угла смачивания на гронице раздела полупроводник - жидкость ФГУП "НИИФП им. Ф.В. Лукина" 24.06.2010
Методика определения профиля распределения концентрации примесей в полупроводниковых структурах методом ЭОС ФГУП "НИИФП им. Ф.В. Лукина" 15.03.2010
Методика выполнения измерений профиля распределения по глубине концентрации химических элементов в гетероструктурах на основе арсенида галлия с толщиной слоев в нанометровом диапазоне. ФГУП «ВНИИОФИ», 07.06.2009
Методика калибровки сканнера зондового атомно-силового микроскопа Solver PRO по осям Х,У и Z с помощью калибровочных решеток в атмосфере воздуха. ФГУП «ВНИИМС» 06.10.2011
Методика измерений распределения по глубине концентрации бора, фосфора и мышьяка в кремнии с помощью вторично-ионного масс-спектрометра. ФГУП «ВНИИОФИ» 12.09.2011
Методика измерений распределения по глубине концентрации примесных химических элементов в слоистых структурах нанометрового диапазона на основе AlxGa1 xAs» с помощью вторично-ионного масс-спектрометра. ФГУП «ВНИИОФИ» 18.10.2011
ГОСТ Р 8.697-2010 Государственная система обеспечения единства измерений. Межплоскостные расстояния в кристаллах. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа" ОАО НИЦПВ; 12.06.2010
Гост Р 8.635- 2007 Микроскопы сканирующие зондовые.Методика калибровки ОФО "НИЦПВ" 12.05.2007
Методика измерений элементного состава объема материалов и структур методом рентгеновского микроанализа. ФГУП «НИИФП им. Ф.В. Лукина» 22.12.2012

Возврат к списку


0 комментариев

Комментарии отсутствуют!

Вы можете оставить свое сообщение первым.

Написать комментарий