Центры коллективного пользования

Центр коллективного пользования «Центр по исследованию высокотемпературных сверхпроводников и других сильнокоррелированных электронных систем» (ЦКП ФИАН)

ЦКП создан в 2004 году

Данный ЦКП был поддержан в рамках мероприятия 5.2 ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направления развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы»
Адрес
  • Центральный, г. Москва
  • 119991, г. Москва, Ленинский пр-т, д. 53
  • 🌎http://sites.lebedev.ru/cac/
Руководитель
Контактное лицо
  • 👤Мицен Кирилл Владимирович
  • 📞(499) 1326748
  • mitsen@lebedev.ru
Сведения о результативности за 2016 год (данные мониторинга)
Участие в мониторинге Число организаций-пользователей, ед. Число публикаций, ед. Загрузка в интересах внешних организаций-пользователей, %
да201036.70
Базовая организация

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт имени П.Н. Лебедева Российской академии наук

Информация о центре коллективного пользования (ЦКП)

Центр по исследованию высокотемпературных сверхпроводников и других сильно-коррелированных электронных систем был создан 2004г. как структурное подразделение Физического института им. П.Н. Лебедева на базе трех отделений ФИАН.
Основные направления научной деятельности ЦКП:
- Исследование сверхпроводимости, включая ВТСП
- Исследование мезоскопических систем, а также новых материалов для элементной базы микроэлектроники, наноэлектроники и квантовых компьютеров
- Исследование низкоразмерных электронных систем в полупроводниках
- Исследование органических материалов
- Исследование эффектов сильных межэлектронных корреляций
- Исследование магнетизма и магнитных материалов

Направления научных исследований, проводимых в ЦКП

  • Исследование сверхпроводимости, включая ВТСП;
  • Исследование мезоскопических систем, а также новых материалов для элементной базы микроэлектроники, наноэлектроники и квантовых компьютеров;
  • Исследование низкоразмерных электронных систем в полупроводниках;
  • Исследование органических материалов;
  • Исследование эффектов сильных межэлектронных корреляций;
  • Исследование магнетизма и магнитных материалов.

119991, г. Москва, Ленинский пр-т, д. 53
📷

Оборудование (28)

Наименование Страна Фирма-изготовитель Марка Год
Система измерения магнитных свойств на переменном токе на основе моста с перестраиваемой частотой АН 2700С
Соединённые Штаты Америки АН 2700С 2015
Многофункциональная измерительная криомагнитная установка CFMS-16
Великобритания Cryogenics CFMS-16 2015
Установка для рентгеноструктурного анализа Rigaku Miniflex 600
Япония Rigaku Miniflex 600 2015
Комплект оборудования для твердофазного синтеза, включая: планетарную мельницу; прибор для обработки металлов в атмосфере аргона; пилу алмазную настольную
Россия 2015
Интерференционный микроскоп ЛЮМАМ И-3 (ЛОМО)
Россия ОАО ЛОМО ЛЮМАМ 2011
Установка Helios NanoLab 660 для нанолитографии
Нидерланды NanoLab Helios NanoLab 660 2015
Установка плазмохимической очистки
Китайская Республика УПХОА-5300 2015
Установка для лазерной литографии, включая генератор изображения лазерный Heidelberg mPG101, с антивибрационным гранитным столом; блоками нанесения и сушки фоторезиста.
Германия Heidelberg mPG101 2015
Установка для напыления пленок PLD/MBE модель PVD-2300 (PVD)
Соединённые Штаты Америки PVD PVD-2300 2015
Установка - вибрационный магнитометр для измерений намагниченности в полях до 21Тесла и в диапазоне температур 1,4 - 300К (в составе УНУ ЭКСТРИМ)
Великобритания Cryogenic Limited VSM 2009
Установка для подготовки образцов к измерениям методом ультразвуковой микросварки
- наиболее востребованное оборудование
Израиль Kulicke & Soffa Industries 4523D 2007
Измерительная установка «0.3К/21Тл» для измерений проводимости, магнитосопротивления и магнитной восприимчивости в магнитном поле 21Тл при температурах 0,3-300К.(входит в состав УНУ "Экстрим")
- дорогостоящее оборудование
Великобритания Cryogenic 0.3К/21Т 2009
Измерительная установка СКВИД-магнитометр
- наиболее востребованное оборудование
"ФИАН, Stanford Research, SHE, LakeShore" О1 2007
Измерительная установка «0.3K/7Тл» для измерения магнитотранспорта и его анизотропии в магнитном поле
- приобретено в рамках государственного контракта
- дорогостоящее оборудование
- наиболее востребованное оборудование
«Intermagnetics», Cryogenic Technology Incorporated «Intermagnetics»,CTI-1400 2005
Многофункциональный автоматизированный комплекс PPMS-9 для проведения электрических, магнитных и температурных измерений свойств материалов (в составе УНУ ЭКСТРИМ;)
- дорогостоящее оборудование
- наиболее востребованное оборудование
Соединённые Штаты Америки Quantum Design PPMS-9 2006
Комплекс аппаратуры для изготовления полевых МДП структур
- дорогостоящее оборудование
- наиболее востребованное оборудование
ФИАН МДП-3 2007
Сдвоенные герметичные перчаточные боксы со шлюзами, муфельной печью, шаровой мельницей, аналитическими весами
- дорогостоящее оборудование
- наиболее востребованное оборудование
СПЕКС, Retsch, Fritsch СПЕКС GB-02 Retsch-MM 400 2009
Инфракрасный Фурье-спектрометр высокого разрешения
- дорогостоящее оборудование
- наиболее востребованное оборудование
Германия Bruker IFS 125 HR 2013
Измерительная установка - автоматизированный СКВИД-магнитометр MPMS-7 (в составе УНУ "ЭКСТРИМ")
- дорогостоящее оборудование
- наиболее востребованное оборудование
Соединённые Штаты Америки Quantum Design EasyLab Technologies Ltd MPMS-XL7 2005
Электронный растровый микроскоп c приставками для измерения катодолюминесценции и элементного анализа методом EDS
- дорогостоящее оборудование
- наиболее востребованное оборудование
Япония JEOL JSM 7001FA 2009
Комплекс аппаратуры для измерений транспортных свойств материалов в диапазоне давлений 0-3ГПа (в составе УНУ ЭКСТРИМ;)
- наиболее востребованное оборудование
Россия ФИАН КВД-3, КВД-2, NI-488 2007
Сканирующий зондовый микроскоп Solver Pro
- дорогостоящее оборудование
- наиболее востребованное оборудование
Россия НТ-МДТ «Solver Pro» 2007
Установка для выращивания стандартных образцов высокосовершенных монокристаллов методом бестигельной зонной плавки с оптическим нагревом
- дорогостоящее оборудование
- наиболее востребованное оборудование
Япония «Crystal Systems Corp.» FZ-T-4000-H-VI-VPO-PC 2007
Установка для измерений при сверхнизких температурах до 10мК, в диапазоне частот до 20ГГц
- дорогостоящее оборудование
- наиболее востребованное оборудование
Финляндия Bluefors BF-250LD 2010
Установка по измерению переходных процессов в ВТСП устройствах и измерению критических токов в длинномерных ВТСП проводах
- наиболее востребованное оборудование
ФИАН, National Instruments ВТСП-1 2008
Установка для измерений температурной зависимости химического потенциала в диапазоне температур 4,2-300К
- дорогостоящее оборудование
- наиболее востребованное оборудование
Россия ФИАН ChP-2 2013
Установка "TOR" для напыления тонких металлических и диэлектрических пленок методом магнетронного распыления и электронно-лучевого испарения
- дорогостоящее оборудование
- наиболее востребованное оборудование
Соединённые Штаты Америки Torr EB4P3KW-TH1-3G2-SP-DC/RF 2008
Рентгеновский дифрактометр X’Pert PRO MRD («PANAlytical)
Нидерланды «PANAlytical BV» X’Pert PRO MRD 2007

Услуги (20)

Для подачи заявки на оказание услуги щелкните по ее наименованию.
Наименование Приоритетное направление
Бесконтактные измерения критического тока ВТСП лент и пленок
Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Измерения энергетических щелей в спектре сверхпроводниковых материалов
Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Измерения транспортных характеристик материалов в диапазоне давлений до 3ГПа, температур 0.3 - 300К и магнитных полей до 21Тесла
Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Изготовение пленочных МДП структур на поверхности материалов для измерений вариаций их химического потенциала
Индустрия наносистем
Измерение критических токов и переходных процессов в ВТСП устройствах и проводах
Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Изготовление стандартных образцов тонких эпитаксиальных пленок YBaCuO методом лазерного напыления с фильтрацией скорости частиц
Индустрия наносистем
Измерение спектров отражения и поглощения материалов в диапазоне длин волн 0,5мкм- 1мм (c разрешением до 0,01см-1) и в диапазоне температур 4,2-300К с помощью инфракрасного спектрометра сверхвысокого разрешения IFS-125H
Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Измерения геометрического и потенциального профиля поверхности проводящих материалов методом СТМ и АФМ с помощью зондового микроскопа SolverPro
Индустрия наносистем
Измерения катодолюминесценции поверхности образцов с помощью электронного микроскопа JSM-7001FA
Индустрия наносистем
Измерения локального элементного состава поверхности методом EDS с помощью электронного микроскопа JSM-7001FA
Индустрия наносистем
Измерения фазового состава поликристаллических образцов на дифрактометре ДРОН-2
Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Измерения параметров решетки, толщины и состава монокристаллических эпитаксиальных квантовых ям с помощью дифрактометра X'PertPRO MRD
Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Измерения изменений химического потенциала в диапазоне температур 4,2 – 300К
Индустрия наносистем
Измерения теплоемкости материалов и структур в диапазоне температур 0,4-400К и в магнитных полях до 9Тесла с помощью многофункционального автоматизированного комплекса для измерения физических свойств «PPMS-9»
Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Измерения полевой и температурной зависимостей AC-магнитной восприимчивости материалов в диапазоне температур 0,35 – 400К и магнитных полей до 9Тл с помощью многофункционального автоматизированного комплекса для измерения физических свойств «PPMS-9»
Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Измерения полевой и температурной зависимостей магнитного момента материалов в диапазоне температур 2 – 500К и магнитных полей до 7Тл с помощью автоматизированного СКВИД-магнитометра «MPMS-XL-7» с порогом чувствительности 10-8 emu
Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Измерения теплопроводности металлических и полупроводниковых структур в диапазоне температур 1,8-400К и в магнитных полях до 9Тесла с помощью многофункционального автоматизированного комплекса для измерения физических свойств «PPMS-9»
Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Измерение анизотропии магнитосопротивления (с минимальным шагом по углу 3’) металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 0,3-300К в магнитном поле до 14Тл с помощью измерительной установки «0,3К/16Тл»
Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Измерения транспортных характеристик (сопротивление, магнитосопротивление, холловское сопротивление) металлических и полупроводниковых структур в диапазоне температур 0,35 -400К и в магнитных полях до 9Тесла с помощью многофункционального автоматизированного комплекса для измерения физических свойств «PPMS-9»
Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Измерение двух компонент тензора сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 1,3-300К в магнитном поле до 14Тл с помощью измерительной установки «0,3К/16Тл»
- наиболее востребованная услуга
Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика

Методики (19)

Наименование методики Наименование организации, аттестовавшей методику Дата аттестации
Методика измерений теплоемкости с помощью автоматизированного измерительного комплекса «PPMS-9» ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) 12.03.2015
Бесконтактные измерения критического тока ВТСП лент ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) 15.02.2012
Экспресс-измерения комплексной магнитной восприимчивости материалов ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) 21.09.2011
Методика измерения мощности излучения полупроводниковых лазеров на квантовых точках ВНИИ Метрологической службы Росстандарта 10.11.2009
Методика измерения локального элементного состава поверхности методом EDX с помощью электронного микроскопа JSM-7001FA ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) 15.02.2012
Методика измерения состава и толщины монокристаллических эпитаксиальных квантовых ям ВНИИ Метрологической службы Росстандарта 09.11.2009
Методика выполнения измерений при изготовлении стандартных образцов тонких эпитаксиальных пленок YBaCuO методом лазерного напыления с фильтрацией скорости частиц ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) 21.09.2011
Методика выполнения измерений полевой и температурной зависимостей AC-магнитной восприимчивости материалов в диапазоне температур 0,35 – 400К и магнитных полей до 9Тл с помощью многофункционального автоматизированного комплекса для измерения физических свойств «PPMS-9» ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) 13.12.2009
Методика выполнения измерений сверхпроводящих щелей в электронных спектрах сверхпроводниковых материалов методом микроконтактной спектроскопии ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) 21.09.2011
Методика выполнения измерений спектров отражения и пропускания в ИК-диапазоне ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) 27.04.2010
Методика выполнения измерений теплопроводности металлических и полупроводниковых структур в диапазоне температур 1,8-400К и в магнитных полях до 9Тесла с помощью многофункционального автоматизированного комплекса для измерения физических свойств «PPMS-9» ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) 13.12.2009
Методика измерения в условиях высокого давления (до 3ГПа) сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-0,3К в магнитном поле до 21Тесла ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) 15.02.2012
Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-0,3К в магнитном поле с помощью измерительной установки «0,3К/21Тл» ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) 15.02.2012
Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-1,2К в магнитном поле с помощью измерительной установки «0,3К/21Т» ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) 15.02.2012
Методика измерения транспортных характеристик (сопротивление, магнитосопротивление, холловское сопротивление) металлических и полупроводниковых структур при субгелиевых температурах и в магнитных полях до 9 Тесла с помощью автоматизированного измерительного комплекса «PPMS-9» ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) 13.12.2009
Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-0,3К в магнитном поле с помощью измерительной установки «0,3К/21Тл» ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) 13.12.2009
Методика измерений полевой и температурной зависимостей магнитного момента материалов с помощью измерительной установки «MPMS-XL-7» ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) 13.12.2009
Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур при сверхнизких температурах в магнитном поле с помощью измерительной установки «0,03К/13Тл» ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) 13.12.2009
Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-1,3К в магнитном поле с помощью измерительной установки «1,3К/16Тл» ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) 13.12.2009

Возврат к списку


0 комментариев

Комментарии отсутствуют!

Вы можете оставить свое сообщение первым.

Написать комментарий