Ваш браузер устарел!

Браузер, которым вы пользуетесь для просмотра этого сайта, устарел и не соответствует современным технологическим стандартам Интернета.

Вы можете установить последнюю версию подходящего браузера, воспользовавшись ссылками ниже:


Вернуться к списку ЦКП

Центр коллективного пользования «Физика и технология микро- и наноструктур»

Сокращенное наименование ЦКП: ЦКП ИФМ РАН

Базовая организация: Институт физики микроструктур РАН — Филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения «Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук»

Ведомственная принадлежность: Минобрнауки России

Год создания ЦКП: 2003

Сайт ЦКП: http://ipmckp.ru/

Заказать услуги ЦКП

Контактная информация:

Местонахождение ЦКП:

  • Федеральный округ: Приволжский
  • Регион: Нижегородская область
  • 603095, г. Нижний Новгород, ГСП-105

Руководитель ЦКП:

  • Шашкин Владимир Иванович , доктор физико-математических наук, профессор
  • +7 (831) 4179455
  • sha@ipm.sci-nnov.ru

Контактное лицо:

  • Спирин Кирилл Евгеньевич, кандидат физико-математических наук
  • ckp@ipmras.ru

Сведения о результативности за 2017 год (данные ежегодного мониторинга)

Участие в мониторинге: даЧисло организаций-пользователей, ед.: 18Число публикаций, ед.: 34Загрузка в интересах внешних организаций-пользователей, %: 49.62

Краткое описание ЦКП:

В ЦКП выполняется большой набор исследований микро- и наноструктур методами рентгеновской дифракции, аналитической электронной микроскопии, сканирующей зондовой микроскопии, оптической, микроволновой и рентгеновской спектроскопии, вторично-ионной масс-спектроскопии, электрофизические исследования полупроводниковых микроструктур, исследования магнитных и сверхпроводящих свойств плёнок и наноструктур, оптические прецизионные измерения.

Направления научных исследований, проводимых в ЦКП:

  • физика твердых тел, физика наноструктур, сверхпроводники, полупроводники;
  • создание и применение многослойных рентгенооптических элементов;
  • исследование процессов формирования и физических свойств полупроводниковых и металлических наноструктур;
  • физика магнитных сверхпроводящих и гибридных структур.

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):

  • Индустрия наносистем
  • Информационно-телекоммуникационные системы

Фотографии ЦКП:

Научное оборудование ЦКП (номенклатура — 26 ед.):

Автоэмиссионный просвечивающий электронный микроскоп LIBRA® 200MC
Марка:  LIBRA® 200MC
Фирма-изготовитель:  Carl Zeiss NTS GmbH
Страна происхождения:  Германия
Год выпуска:  2010
Количество единиц:  1

Анализатор спектра
Марка:  E4407B
Фирма-изготовитель:  Agilent Technologies
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2004
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Атомно-силовой микроскоп Ntegra Prima
Марка:  Ntegra Prima
Фирма-изготовитель:  НТ-МДТ
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2012
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Вакуумная установка резистивного и электронно-лучевого испарения с холловским ионным источником Amod 206
Марка:  Amod 206
Фирма-изготовитель:  Angstrom Engineering
Страна происхождения:  Канада
Год выпуска:  2012
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Вторично-ионный масс-спектрометр TOF-SIMS 5-100 (IONTOF)
Марка:  TOF-SIMS 5-100
Фирма-изготовитель:  ION-TOF
Страна происхождения:  Германия
Год выпуска:  2008
Количество единиц:  1

Высоковакуумная установка исследования многослойных структур с мульти-микроскопом СММ-2000
Марка:  СММ-2000
Фирма-изготовитель:  Протон-МИЭТ
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2011
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Генератор сигналов Agilent Technologies E8257D
Марка:  E8257D
Фирма-изготовитель:  Agilent Technologies
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2012
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Двухлучевая система с высоким разрешением для исследования и подготовки образцов Neon-40 (Carl Zeiss)
Марка:  Neon-40
Фирма-изготовитель:  Carl Zeiss
Страна происхождения:  Германия
Год выпуска:  2009
Количество единиц:  1

Дифрактометр ренгеновский D8 Discover
Марка:  Bruker D8 Discover
Фирма-изготовитель:  Bruker
Страна происхождения:  Германия
Год выпуска:  2011
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Дифрактометр рентгеновский PANalitical XPert PRO MRD (Philips)
Марка:  PANalitical XPert PRO MRD
Фирма-изготовитель:  PANalitical
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2007
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Дифрактометр рентгеновский XPert PRO MRD (Philips)
Марка:  Philips XPert PRO MRD
Фирма-изготовитель:  Philips
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2002
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Измерительная система Talysurf CCI 2000 (Taylor)
Марка:  Talysurf CCI 2000
Фирма-изготовитель:  Taylor
Страна происхождения:  Великобритания
Год выпуска:  2006
Количество единиц:  1

ИК-Фурье спектрометр BOMEM DA3.36
Марка:  BOMEM DA3.36
Фирма-изготовитель:  BOMEM
Страна происхождения:  Канада
Год выпуска:  2001
Количество единиц:  1

ИК-Фурье спектрометр Vertex 80V (Bruker)
Марка:  Vertex 80V
Фирма-изготовитель:  Bruker
Страна происхождения:  Германия
Год выпуска:  2006
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Комплект оборудования подготовки объектов для электронной микроскопии с установкой ионного травления
Марка:  IEU 100 Balzers
Фирма-изготовитель:  Balzers
Страна происхождения:  Швейцария
Год выпуска:  1988
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  нет

Лазерно-плазменный источник рентгеновского излучения
Марка:  EMG-203
Фирма-изготовитель:  Lamda Physik
Страна происхождения:  Германия
Год выпуска:  1988
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  нет

Лазерный генератор микро-изображений mPG101
Марка:  mPG101
Фирма-изготовитель:  Heidelberg Instruments Mikrotechnik, GmbH,
Страна происхождения:  Германия
Год выпуска:  2011
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Профилометр model 130 (Протон-МИЭТ)
Марка:  model 130
Фирма-изготовитель:  Протон-МИЭТ
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2011
Количество единиц:  1

Сверхпроводящая магнитная система
Марка:  CryoMagn 05-40-8
Фирма-изготовитель:  ООО «РТИ, Криомагнитные системы»
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2009
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  нет

Сканирующий зондовый микроскоп Solver PRO-HV (НТ-МДТ)
Марка:  Solver- HV
Фирма-изготовитель:  НТ-МДТ
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2006
Количество единиц:  1

Сканирующий туннельный микроскоп LT UHV SPM - Multiprobe S/XA (Omicron Nanotechnolgy)
Марка:  LT UHV SPM – Multiprobe S/XA
Фирма-изготовитель:  Omicron Nanotechnolgy Gmbh
Страна происхождения:  Германия
Год выпуска:  2011
Количество единиц:  1

Сканирующий электронный микроскоп Supra 50VP (Carl Zeiss)
Марка:  Supra 50VP
Фирма-изготовитель:  Carl Zeiss
Страна происхождения:  Германия
Год выпуска:  2005
Количество единиц:  1

Станция ожижения гелия Cryomech LHeP18 с системой сбора газообразного гелия
Марка:  LHeP18
Фирма-изготовитель:  Cryomech
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2012
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Установка реактивного ионного травления с источником индуктивно связанной плазмы PlasmaLab 80
Марка:  PlasmaLab 80
Фирма-изготовитель:  Oxford Instruments
Страна происхождения:  Великобритания
Год выпуска:  2006
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Фурье-спектрометр Инфралюм ФТ-801
Марка:  Инфралюм ФТ-801
Фирма-изготовитель:  НПФ «Люмэкс-Сибирь»,
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2004
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Цифровой осциллограф
Марка:  WavePro 7100A
Фирма-изготовитель:  LeCroy Corporation
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2008
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Услуги ЦКП (номенклатура — 21 ед.):

Для подачи заявки на оказание услуги щелкните по ее наименованию

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем
Краткое описание услуги:  Исследование структур методами сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии на сверхвысоковакуумном измерительном комплексе UHV LT STM Omicron Nanotechnology

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем
Краткое описание услуги:  Рентгеновский дифракционный анализ эпитаксиальных слоев

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Методики измерений, применяемые в ЦКП (номенклатура — 36 ед.):

Методика анализа эпитаксиальных слоев методом рентгеновской дифрактометрии.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ИФМ РАН

Методика диагностики структуры тонких объектов (толщиной до ~ 100 нм) с помощью методов дифракции быстрых электронов и просвечивающей электронной микроскопии
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Фирма Carl Zeiss

Методика диагностики тонких объектов методом спектроскопии характеристических потерь электронов (включая количественные измерения толщины и состава тонких пленок).
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Фирма Carl Zeiss

Методика диагностики электрофизических параметров полупроводниковых микроструктур и нестационарной спектроскопии глубоких уровней методом электрохимического C-V профилирования.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ИФМ РАН

Методика измерения вольт-амперных характеристик сверхпроводящих мостиков и джозефсоновских переходов, их зависимости от температуры, напряженности магнитного поля и мощности СВЧ излучения.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ИФМ РАН

Методика измерения концентрации кислородсодержащих термодоноров с энергией ионизации 45-69 Мэв в кремнии методом абсорбционной ИК спектроскопии.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ИФМ РАН

Методика измерения коэффициентов отражения мягкого рентгеновского излучения с относительной точностью до 1% для диапазона 0.6-200нм.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ИФМ РАН

Методика измерения магнитооптических параметров магнитных пленок на основе эффектов Керра и Фарадея.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ИФМ РАН

Методика измерения нелинейных свойств тонких сверхпроводящих пленок и распределения нелинейных свойств и критической температуры в плоскости пленки бесконтактным методом.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ИФМ РАН

Методика измерения остаточной намагниченности и распределения намагниченности в плоскости пленки, а также температурной и полевой зависимости остаточной намагниченности.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ИФМ РАН

Методика измерения поверхностного СВЧ сопротивления сверхпроводящих плёнок.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ИФМ РАН

Методика измерения профиля распределения состава по глубине образца с высокой чувствительностью и высоким разрешением методом вторично-ионной масс-спектрометрии с помощью прибора TOF.SIMS-5.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Фирма ION-TOF

Методика измерения толщины слоев и шероховатости границ многослойных структур по угловым и спектральным зависимостям коэффициента отражения мягкого рентгеновского излучения.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ИФМ РАН

Методика измерения толщины тонких слоев и шероховатости поверхности по угловым спектрам рассеяния жесткого рентгеновского излучения.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Фирма PANalitical

Методика измерения шероховатости поверхностей с негауссовым распределением по высотам методом атомно-силовой микроскопии.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  *Методика и матобеспечение фирмы-изготовителя

Методика интерферометрических измерений физических параметров прозрачных слоев.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ИФМ РАН

Методика интерферометрического восстановления 3-х мерного изображения поверхности с помощью системы Talysurf CCI 2000.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Фирма Taylor & Hobson

Методика исследования спектров пропускания, фотопроводимости, люминесценции и стимулированного излучения полупроводниковых структур, кристаллов и диэлектрических материалов методом Фурье-спектроскопии.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Фирма BRUKER OPTIC

Методика морфометрического анализа субмикронных и нанометровых неоднородностей и частиц методом сканирующей электронной микроскопии.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Фирма Carl Zeiss

Методика определения высоты барьера в гетероструктурах GaAs/AlGaAs методом измерения температурных зависимостей вольтамперных характеристик.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ИФМ РАН

Методика определения квантовой эффективности в кремниевых светоизлучающих структурах, легированных эрбием.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ИФМ РАН

Методика определения концентрации двухкомпонентных твердых растворов и уровня остаточных упругих напряжений в эпитаксиальных слоях GexSi1-x; InxGa1-xAs; GaAs1-xPx; InAs1-xPx; GaAs1-xNx и др. методом рентгеновской дифрактометрии
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Фирма Philips

Методика определения методом релаксационной спектроскопии электрически активных центров с глубокими уровнями в кремниевых светоизлучающих структурах, легированных эрбием.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ИФМ РАН

Методика определения отклонения среза пластины от кристаллографической плоскости методом рентгеновской дифрактометрии.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Фирма PANalitical

Методика определения параметров многослойных зеркал (толщина слоев, период повторения и дисперсия) с помощью рентгеновской рефлектометрии.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Фирма PANalitical

Методика определения состава и ширины квантовых ям в полупроводниковых гетероструктурах методом фотолюминесценции.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ИФМ РАН

Методика определения шероховатости подложек методом оптической интерферометрии белого света с помощью системы Talysurf CCI 2000.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Фирма Taylor & Hobson

Методика определения электроактивных примесей в моноизотопном кремнии.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ИФМ РАН

Методика определения элементного состава объектов (количественные измерения), построения карт распределения элементов и фаз с помощью методов энергодисперсионного рентгеновского микроанализа.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Фирма Carl Zeiss

Методика профилирования электрически активных центров с глубокими уровнями в кремниевых структурах, легированных эрбием.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ИФМ РАН

Методика реконструкции реального рельефа поверхности с учётом нелокальности взаимодействия зонд-поверхность в сканирующей туннельной микроскопии.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ИФМ РАН

Методика сканирующей электронной микроскопии непроводящих объектов без предварительной подготовки.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Фирма Carl Zeiss

Методика спектральных исследованиий (абсорбция, фотопроводимость) и магнитоспектроскопических измерений в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ИФМ РАН

Методика стационарной и время-разрешающей спектроскопии полупроводниковых структур в видимом и ближнем инфракрасном диапазонах длин волн 0,2-2мкм.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Фирма BRUKER OPTIC

Методика формирования структур на поверхности твердого тела с помощью электронной литографии.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Фирма Carl Zeiss

Методика определения гальваномагнитных характеристик в полупроводниковых структурах с квазидвумерным электронным газом
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ИФМ РАН
Методика уникальна:  нет

Вернуться к списку ЦКП

 

Для просмотра сайта поверните экран