Центры коллективного пользования

Центр коллективного пользования «Физика и технология микро- и наноструктур» (ЦКП ИФМ РАН)

ЦКП создан в 2003 году

Данный ЦКП был поддержан в рамках мероприятия 5.2 ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направления развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы»
Адрес
  • Приволжский, Нижегородская область
  • 603095, г. Нижний Новгород, ГСП-105
  • 🌎http://ipmckp.ru/
Руководитель
Контактное лицо
  • 👤Спирин Кирилл Евгеньевич
  • ckp@ipmras.ru
Сведения о результативности за 2016 год (данные мониторинга)
Участие в мониторинге Число организаций-пользователей, ед. Число публикаций, ед. Загрузка в интересах внешних организаций-пользователей, %
да173138.21
Базовая организация

Институт физики микроструктур РАН — Филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения «Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук»

Информация о центре коллективного пользования (ЦКП)

В ЦКП выполняется большой набор исследований микро- и наноструктур методами рентгеновской дифракции, аналитической электронной микроскопии, сканирующей зондовой микроскопии, оптической, микроволновой и рентгеновской спектроскопии, вторично-ионной масс-спектроскопии, электрофизические исследования полупроводниковых микроструктур, исследования магнитных и сверхпроводящих свойств плёнок и наноструктур, оптические прецизионные измерения.

Направления научных исследований

  • физика твердых тел, физика наноструктур, сверхпроводники, полупроводники;
  • создание и применение многослойных рентгенооптических элементов;
  • исследование процессов формирования и физических свойств полупроводниковых и металлических наноструктур;
  • физика магнитных сверхпроводящих и гибридных структур.

603095, г. Нижний Новгород, ГСП-105
📷

Оборудование (26)

Наименование Страна Фирма-изготовитель Марка Год
Сканирующий туннельный микроскоп LT UHV SPM - Multiprobe S/XA (Omicron Nanotechnolgy)
Германия Omicron Nanotechnolgy Gmbh LT UHV SPM – Multiprobe S/XA 2011
Профилометр model 130 (Протон-МИЭТ)
Россия Протон-МИЭТ model 130 2011
Автоэмиссионный просвечивающий электронный микроскоп LIBRA® 200MC
Германия Carl Zeiss NTS GmbH LIBRA® 200MC 2010
Вакуумная установка резистивного и электронно-лучевого испарения с холловским ионным источником Amod 206
- приобретено в рамках государственного контракта
- дорогостоящее оборудование
Канада Angstrom Engineering Amod 206 2012
Высоковакуумная установка исследования многослойных структур с мульти-микроскопом СММ-2000
- приобретено в рамках государственного контракта
- дорогостоящее оборудование
Россия Протон-МИЭТ СММ-2000 2011
Атомно-силовой микроскоп Ntegra Prima
- приобретено в рамках государственного контракта
- дорогостоящее оборудование
Россия НТ-МДТ Ntegra Prima 2012
Генератор сигналов Agilent Technologies E8257D
- приобретено в рамках государственного контракта
- дорогостоящее оборудование
Соединённые Штаты Америки Agilent Technologies E8257D 2012
Станция ожижения гелия Cryomech LHeP18 с системой сбора газообразного гелия
- приобретено в рамках государственного контракта
- дорогостоящее оборудование
Соединённые Штаты Америки Cryomech LHeP18 2012
Лазерный генератор микро-изображений mPG101
- приобретено в рамках государственного контракта
- дорогостоящее оборудование
Германия Heidelberg Instruments Mikrotechnik, GmbH, mPG101 2011
Дифрактометр ренгеновский D8 Discover
- приобретено в рамках государственного контракта
- дорогостоящее оборудование
- наиболее востребованное оборудование
Германия Bruker Bruker D8 Discover 2011
Цифровой осциллограф
- наиболее востребованное оборудование
Соединённые Штаты Америки LeCroy Corporation WavePro 7100A 2008
Двухлучевая система с высоким разрешением для исследования и подготовки образцов Neon-40 (Carl Zeiss)
Германия Carl Zeiss Neon-40 2009
Анализатор спектра
- дорогостоящее оборудование
- наиболее востребованное оборудование
Соединённые Штаты Америки Agilent Technologies E4407B 2004
Сверхпроводящая магнитная система
- дорогостоящее оборудование
Россия ООО «РТИ, Криомагнитные системы» CryoMagn 05-40-8 2009
Установка реактивного ионного травления с источником индуктивно связанной плазмы
- дорогостоящее оборудование
- наиболее востребованное оборудование
Великобритания Oxford Instruments PlasmaLab 80 2006
Вторично-ионный масс-спектрометр TOF-SIMS 5-100 (IONTOF)
Германия ION-TOF TOF-SIMS 5-100 2008
Измерительная система Talysurf CCI 2000 (Taylor)
Великобритания Taylor Talysurf CCI 2000 2006
Сканирующий электронный микроскоп Supra 50VP (Carl Zeiss)
Германия Carl Zeiss Supra 50VP 2005
Фурье-спектрометр Инфралюм ФТ-801
Россия НПФ «Люмэкс-Сибирь», Инфралюм ФТ-801 2004
ИК-Фурье спектрометр Vertex 80V (Bruker)
Германия Bruker Vertex 80V 2006
ИК-Фурье спектрометр BOMEM DA3.36
Канада BOMEM BOMEM DA3.36 2001
Сканирующий зондовый микроскоп Solver PRO-HV (НТ-МДТ)
Россия НТ-МДТ Solver- HV 2006
Лазерно-плазменный источник рентгеновского излучения
- дорогостоящее оборудование
- наиболее востребованное оборудование
Германия Lamda Physik EMG-203 1988
Комплект оборудования подготовки объектов для электронной микроскопии с установкой ионного травления
- дорогостоящее оборудование
Швейцария Balzers IEU 100 Balzers 1988
Дифрактометр рентгеновский PANalitical XPert PRO MRD (Philips)
Россия PANalitical PANalitical XPert PRO MRD 2007
Дифрактометр рентгеновский XPert PRO MRD (Philips)
Россия Philips Philips XPert PRO MRD 2002

Услуги (21)

Для подачи заявки на оказание услуги щелкните по ее наименованию.
Наименование Приоритетное направление
Исследование структур методами сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии на сверхвысоковакуумном измерительном комплексе UHV LT STM Omicron Nanotechnology
Индустрия наносистем
Измерение транспортных (осцилляции Шубникова – де Гааза) и оптических в терагерцовом диапазоне (фотопроводимость, циклотронный резонанс) характеристик полупроводниковых гетероструктур при низких температурах
Индустрия наносистем
Измерение вольт-амперных характеристик сверхпроводящих мостиков и джозефсоновских переходов
Индустрия наносистем
Исследование спектров пропускания, фотопроводимости, люминесценции и стимулированного излучения полупроводниковых структур, кристаллов и диэлектрических материалов методом Фурье-спектроскопии.
Индустрия наносистем
Определение электроактивных примесей в моноизотопном кремнии.
Индустрия наносистем
Определение квантовой эффективности в кремниевых светоизлучающих структурах, легированных эрбием.
Индустрия наносистем
Определение концентрации кислородсодержащих термодоноров в кремнии методом абсорбционной ИК спектроскопии.
Индустрия наносистем
Послойный анализ гетеросистем GeSi/Si методом вторично-ионной масс-спектрометрии на приборе TOF.SIMS-5
Индустрия наносистем
Послойный элементный анализ методом вторично-ионной масс-спектрометрии.
Индустрия наносистем
Анализ поверхности с помощью интерферометра белого света
Индустрия наносистем
Анализ поверхности с помощью сканирующий зондовой микроскопии
Индустрия наносистем
Электронная литография с помощью сканирующего электронного микроскопа
Индустрия наносистем
Морфометрический анализ поверхности с помощью растрового электронного микроскопа
Индустрия наносистем
Элементный анализ поверхности с помощью сканирующего электронного микроскопа
Индустрия наносистем
Прецизионное измерение коэффициентов отражения многослойных зеркал в диапазоне мягкого рентгена
Индустрия наносистем
Определение параметров многослойных зеркал в диапазоне мягкого рентгена.
Индустрия наносистем
Рентгеновский дифракционный анализ эпитаксиальных слоев YBa2Cu3O7-d
Индустрия наносистем
Определение отклонения среза подложек кремния, арсенида галлия и сапфира
Индустрия наносистем
Определение параметров многослойных зеркал с помощью рентгеновской рефлектометрии
Индустрия наносистем
Анализ тонких слоев методом малоуглового рентгеновского рассеяния
Индустрия наносистем
Рентгеновский дифракционный анализ эпитаксиальных слоев
- наиболее востребованная услуга
Индустрия наносистем

Методики (36)

Наименование методики Наименование организации, аттестовавшей методику Дата аттестации
Методика определения гальваномагнитных характеристик в полупроводниковых структурах с квазидвумерным электронным газом ИФМ РАН
Методика спектральных исследованиий (абсорбция, фотопроводимость) и магнитоспектроскопических измерений в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн. ИФМ РАН
Методика измерения поверхностного СВЧ сопротивления сверхпроводящих плёнок. ИФМ РАН
Методика измерения нелинейных свойств тонких сверхпроводящих пленок и распределения нелинейных свойств и критической температуры в плоскости пленки бесконтактным методом. ИФМ РАН
Методика измерения вольт-амперных характеристик сверхпроводящих мостиков и джозефсоновских переходов, их зависимости от температуры, напряженности магнитного поля и мощности СВЧ излучения. ИФМ РАН
Методика измерения остаточной намагниченности и распределения намагниченности в плоскости пленки, а также температурной и полевой зависимости остаточной намагниченности. ИФМ РАН
Методика измерения магнитооптических параметров магнитных пленок на основе эффектов Керра и Фарадея. ИФМ РАН
Методика определения высоты барьера в гетероструктурах GaAs/AlGaAs методом измерения температурных зависимостей вольтамперных характеристик. ИФМ РАН
Методика диагностики электрофизических параметров полупроводниковых микроструктур и нестационарной спектроскопии глубоких уровней методом электрохимического C-V профилирования. ИФМ РАН
Методика исследования спектров пропускания, фотопроводимости, люминесценции и стимулированного излучения полупроводниковых структур, кристаллов и диэлектрических материалов методом Фурье-спектроскопии. Фирма BRUKER OPTIC
Методика стационарной и время-разрешающей спектроскопии полупроводниковых структур в видимом и ближнем инфракрасном диапазонах длин волн 0,2-2мкм. Фирма BRUKER OPTIC
Методика определения состава и ширины квантовых ям в полупроводниковых гетероструктурах методом фотолюминесценции. ИФМ РАН
Методика профилирования электрически активных центров с глубокими уровнями в кремниевых структурах, легированных эрбием. ИФМ РАН
Методика определения методом релаксационной спектроскопии электрически активных центров с глубокими уровнями в кремниевых светоизлучающих структурах, легированных эрбием. ИФМ РАН
Методика определения электроактивных примесей в моноизотопном кремнии. ИФМ РАН
Методика определения квантовой эффективности в кремниевых светоизлучающих структурах, легированных эрбием. ИФМ РАН
Методика измерения концентрации кислородсодержащих термодоноров с энергией ионизации 45-69 Мэв в кремнии методом абсорбционной ИК спектроскопии. ИФМ РАН
Методика измерения профиля распределения состава по глубине образца с высокой чувствительностью и высоким разрешением методом вторично-ионной масс-спектрометрии с помощью прибора TOF.SIMS-5. Фирма ION-TOF
Методика интерферометрического восстановления 3-х мерного изображения поверхности с помощью системы Talysurf CCI 2000. Фирма Taylor & Hobson
Методика интерферометрических измерений физических параметров прозрачных слоев. ИФМ РАН
Методика реконструкции реального рельефа поверхности с учётом нелокальности взаимодействия зонд-поверхность в сканирующей туннельной микроскопии. ИФМ РАН
Методика определения шероховатости подложек методом оптической интерферометрии белого света с помощью системы Talysurf CCI 2000. Фирма Taylor & Hobson
Методика измерения шероховатости поверхностей с негауссовым распределением по высотам методом атомно-силовой микроскопии. *Методика и матобеспечение фирмы-изготовителя
Методика формирования структур на поверхности твердого тела с помощью электронной литографии. Фирма Carl Zeiss
Методика сканирующей электронной микроскопии непроводящих объектов без предварительной подготовки. Фирма Carl Zeiss
Методика морфометрического анализа субмикронных и нанометровых неоднородностей и частиц методом сканирующей электронной микроскопии. Фирма Carl Zeiss
Методика диагностики тонких объектов методом спектроскопии характеристических потерь электронов (включая количественные измерения толщины и состава тонких пленок). Фирма Carl Zeiss
Методика определения элементного состава объектов (количественные измерения), построения карт распределения элементов и фаз с помощью методов энергодисперсионного рентгеновского микроанализа. Фирма Carl Zeiss
Методика диагностики структуры тонких объектов (толщиной до ~ 100 нм) с помощью методов дифракции быстрых электронов и просвечивающей электронной микроскопии Фирма Carl Zeiss
Методика измерения коэффициентов отражения мягкого рентгеновского излучения с относительной точностью до 1% для диапазона 0.6-200нм. ИФМ РАН
Методика измерения толщины слоев и шероховатости границ многослойных структур по угловым и спектральным зависимостям коэффициента отражения мягкого рентгеновского излучения. ИФМ РАН
Методика анализа эпитаксиальных слоев методом рентгеновской дифрактометрии. ИФМ РАН
Методика определения отклонения среза пластины от кристаллографической плоскости методом рентгеновской дифрактометрии. Фирма PANalitical
Методика определения параметров многослойных зеркал (толщина слоев, период повторения и дисперсия) с помощью рентгеновской рефлектометрии. Фирма PANalitical
Методика измерения толщины тонких слоев и шероховатости поверхности по угловым спектрам рассеяния жесткого рентгеновского излучения. Фирма PANalitical
Методика определения концентрации двухкомпонентных твердых растворов и уровня остаточных упругих напряжений в эпитаксиальных слоях GexSi1-x; InxGa1-xAs; GaAs1-xPx; InAs1-xPx; GaAs1-xNx и др. методом рентгеновской дифрактометрии Фирма Philips

Возврат к списку


0 комментариев

Комментарии отсутствуют!

Вы можете оставить свое сообщение первым.

Написать комментарий