Центр коллективного пользования «Физика и технология микро- и наноструктур»
Сокращенное наименование ЦКП: ЦКП ИФМ РАН
Базовая организация: Институт физики микроструктур РАН — Филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения «Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук»
Ведомственная принадлежность: Минобрнауки России
Год создания ЦКП: 2003
Сайт ЦКП: http://ipmckp.ru/
Контактная информация:
Местонахождение ЦКП:
|
Руководитель ЦКП:
|
Контактное лицо:
|
Сведения о результативности за 2017 год (данные ежегодного мониторинга)
|
Краткое описание ЦКП:
|
В ЦКП выполняется большой набор исследований микро- и наноструктур методами рентгеновской дифракции, аналитической электронной микроскопии, сканирующей зондовой микроскопии, оптической, микроволновой и рентгеновской спектроскопии, вторично-ионной масс-спектроскопии, электрофизические исследования полупроводниковых микроструктур, исследования магнитных и сверхпроводящих свойств плёнок и наноструктур, оптические прецизионные измерения. |
Направления научных исследований, проводимых в ЦКП:
|
Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):
|
Фотографии ЦКП:
Научное оборудование ЦКП (номенклатура — 26 ед.):
|
Автоэмиссионный просвечивающий электронный микроскоп LIBRA® 200MC
Анализатор спектра
Атомно-силовой микроскоп Ntegra Prima
Вакуумная установка резистивного и электронно-лучевого испарения с холловским ионным источником Amod 206
Вторично-ионный масс-спектрометр TOF-SIMS 5-100 (IONTOF)
Высоковакуумная установка исследования многослойных структур с мульти-микроскопом СММ-2000
Генератор сигналов Agilent Technologies E8257D
Двухлучевая система с высоким разрешением для исследования и подготовки образцов Neon-40 (Carl Zeiss)
Дифрактометр ренгеновский D8 Discover
Дифрактометр рентгеновский PANalitical XPert PRO MRD (Philips)
Дифрактометр рентгеновский XPert PRO MRD (Philips)
Измерительная система Talysurf CCI 2000 (Taylor)
ИК-Фурье спектрометр BOMEM DA3.36
ИК-Фурье спектрометр Vertex 80V (Bruker)
Комплект оборудования подготовки объектов для электронной микроскопии с установкой ионного травления
Лазерно-плазменный источник рентгеновского излучения
Лазерный генератор микро-изображений mPG101
Профилометр model 130 (Протон-МИЭТ)
Сверхпроводящая магнитная система
Сканирующий зондовый микроскоп Solver PRO-HV (НТ-МДТ)
Сканирующий туннельный микроскоп LT UHV SPM - Multiprobe S/XA (Omicron Nanotechnolgy)
Сканирующий электронный микроскоп Supra 50VP (Carl Zeiss)
Станция ожижения гелия Cryomech LHeP18 с системой сбора газообразного гелия
Установка реактивного ионного травления с источником индуктивно связанной плазмы PlasmaLab 80
Фурье-спектрометр Инфралюм ФТ-801
Цифровой осциллограф |
Услуги ЦКП (номенклатура — 21 ед.):
|
Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899): Индустрия наносистем Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899): Индустрия наносистем Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899): Индустрия наносистем Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899): Индустрия наносистем Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899): Индустрия наносистем Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899): Индустрия наносистем Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899): Индустрия наносистем Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899): Индустрия наносистем Краткое описание услуги: Исследование структур методами сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии на сверхвысоковакуумном измерительном комплексе UHV LT STM Omicron Nanotechnology Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899): Индустрия наносистем Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899): Индустрия наносистем Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899): Индустрия наносистем Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899): Индустрия наносистем Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899): Индустрия наносистем Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899): Индустрия наносистем Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899): Индустрия наносистем Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899): Индустрия наносистем Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899): Индустрия наносистем Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899): Индустрия наносистем Краткое описание услуги: Рентгеновский дифракционный анализ эпитаксиальных слоев Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899): Индустрия наносистем Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899): Индустрия наносистем Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899): Индустрия наносистем |
Методики измерений, применяемые в ЦКП (номенклатура — 36 ед.):
|
Методика анализа эпитаксиальных слоев методом рентгеновской дифрактометрии.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
ИФМ РАН
Методика диагностики структуры тонких объектов (толщиной до ~ 100 нм) с помощью методов дифракции быстрых электронов и просвечивающей электронной микроскопии
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Фирма Carl Zeiss
Методика диагностики тонких объектов методом спектроскопии характеристических потерь электронов (включая количественные измерения толщины и состава тонких пленок).
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Фирма Carl Zeiss
Методика диагностики электрофизических параметров полупроводниковых микроструктур и нестационарной спектроскопии глубоких уровней методом электрохимического C-V профилирования.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
ИФМ РАН
Методика измерения вольт-амперных характеристик сверхпроводящих мостиков и джозефсоновских переходов, их зависимости от температуры, напряженности магнитного поля и мощности СВЧ излучения.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
ИФМ РАН
Методика измерения концентрации кислородсодержащих термодоноров с энергией ионизации 45-69 Мэв в кремнии методом абсорбционной ИК спектроскопии.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
ИФМ РАН
Методика измерения коэффициентов отражения мягкого рентгеновского излучения с относительной точностью до 1% для диапазона 0.6-200нм.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
ИФМ РАН
Методика измерения магнитооптических параметров магнитных пленок на основе эффектов Керра и Фарадея.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
ИФМ РАН
Методика измерения нелинейных свойств тонких сверхпроводящих пленок и распределения нелинейных свойств и критической температуры в плоскости пленки бесконтактным методом.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
ИФМ РАН
Методика измерения остаточной намагниченности и распределения намагниченности в плоскости пленки, а также температурной и полевой зависимости остаточной намагниченности.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
ИФМ РАН
Методика измерения поверхностного СВЧ сопротивления сверхпроводящих плёнок.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
ИФМ РАН
Методика измерения профиля распределения состава по глубине образца с высокой чувствительностью и высоким разрешением методом вторично-ионной масс-спектрометрии с помощью прибора TOF.SIMS-5.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Фирма ION-TOF
Методика измерения толщины слоев и шероховатости границ многослойных структур по угловым и спектральным зависимостям коэффициента отражения мягкого рентгеновского излучения.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
ИФМ РАН
Методика измерения толщины тонких слоев и шероховатости поверхности по угловым спектрам рассеяния жесткого рентгеновского излучения.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Фирма PANalitical
Методика измерения шероховатости поверхностей с негауссовым распределением по высотам методом атомно-силовой микроскопии.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
*Методика и матобеспечение фирмы-изготовителя
Методика интерферометрических измерений физических параметров прозрачных слоев.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
ИФМ РАН
Методика интерферометрического восстановления 3-х мерного изображения поверхности с помощью системы Talysurf CCI 2000.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Фирма Taylor & Hobson
Методика исследования спектров пропускания, фотопроводимости, люминесценции и стимулированного излучения полупроводниковых структур, кристаллов и диэлектрических материалов методом Фурье-спектроскопии.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Фирма BRUKER OPTIC
Методика морфометрического анализа субмикронных и нанометровых неоднородностей и частиц методом сканирующей электронной микроскопии.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Фирма Carl Zeiss
Методика определения высоты барьера в гетероструктурах GaAs/AlGaAs методом измерения температурных зависимостей вольтамперных характеристик.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
ИФМ РАН
Методика определения квантовой эффективности в кремниевых светоизлучающих структурах, легированных эрбием.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
ИФМ РАН
Методика определения концентрации двухкомпонентных твердых растворов и уровня остаточных упругих напряжений в эпитаксиальных слоях GexSi1-x; InxGa1-xAs; GaAs1-xPx; InAs1-xPx; GaAs1-xNx и др. методом рентгеновской дифрактометрии
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Фирма Philips
Методика определения методом релаксационной спектроскопии электрически активных центров с глубокими уровнями в кремниевых светоизлучающих структурах, легированных эрбием.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
ИФМ РАН
Методика определения отклонения среза пластины от кристаллографической плоскости методом рентгеновской дифрактометрии.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Фирма PANalitical
Методика определения параметров многослойных зеркал (толщина слоев, период повторения и дисперсия) с помощью рентгеновской рефлектометрии.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Фирма PANalitical
Методика определения состава и ширины квантовых ям в полупроводниковых гетероструктурах методом фотолюминесценции.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
ИФМ РАН
Методика определения шероховатости подложек методом оптической интерферометрии белого света с помощью системы Talysurf CCI 2000.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Фирма Taylor & Hobson
Методика определения электроактивных примесей в моноизотопном кремнии.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
ИФМ РАН
Методика определения элементного состава объектов (количественные измерения), построения карт распределения элементов и фаз с помощью методов энергодисперсионного рентгеновского микроанализа.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Фирма Carl Zeiss
Методика профилирования электрически активных центров с глубокими уровнями в кремниевых структурах, легированных эрбием.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
ИФМ РАН
Методика реконструкции реального рельефа поверхности с учётом нелокальности взаимодействия зонд-поверхность в сканирующей туннельной микроскопии.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
ИФМ РАН
Методика сканирующей электронной микроскопии непроводящих объектов без предварительной подготовки.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Фирма Carl Zeiss
Методика спектральных исследованиий (абсорбция, фотопроводимость) и магнитоспектроскопических измерений в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
ИФМ РАН
Методика стационарной и время-разрешающей спектроскопии полупроводниковых структур в видимом и ближнем инфракрасном диапазонах длин волн 0,2-2мкм.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Фирма BRUKER OPTIC
Методика формирования структур на поверхности твердого тела с помощью электронной литографии.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Фирма Carl Zeiss
Методика определения гальваномагнитных характеристик в полупроводниковых структурах с квазидвумерным электронным газом
Наименование организации, аттестовавшей методику :
ИФМ РАН Методика уникальна: нет |
