| Методика определения гальваномагнитных характеристик в полупроводниковых структурах с квазидвумерным электронным газом |
ИФМ РАН |
|
| Методика спектральных исследованиий (абсорбция, фотопроводимость) и магнитоспектроскопических измерений в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн. |
ИФМ РАН |
|
| Методика измерения поверхностного СВЧ сопротивления сверхпроводящих плёнок. |
ИФМ РАН |
|
| Методика измерения нелинейных свойств тонких сверхпроводящих пленок и распределения нелинейных свойств и критической температуры в плоскости пленки бесконтактным методом. |
ИФМ РАН |
|
| Методика измерения вольт-амперных характеристик сверхпроводящих мостиков и джозефсоновских переходов, их зависимости от температуры, напряженности магнитного поля и мощности СВЧ излучения. |
ИФМ РАН |
|
| Методика измерения остаточной намагниченности и распределения намагниченности в плоскости пленки, а также температурной и полевой зависимости остаточной намагниченности. |
ИФМ РАН |
|
| Методика измерения магнитооптических параметров магнитных пленок на основе эффектов Керра и Фарадея. |
ИФМ РАН |
|
| Методика определения высоты барьера в гетероструктурах GaAs/AlGaAs методом измерения температурных зависимостей вольтамперных характеристик. |
ИФМ РАН |
|
| Методика диагностики электрофизических параметров полупроводниковых микроструктур и нестационарной спектроскопии глубоких уровней методом электрохимического C-V профилирования. |
ИФМ РАН |
|
| Методика исследования спектров пропускания, фотопроводимости, люминесценции и стимулированного излучения полупроводниковых структур, кристаллов и диэлектрических материалов методом Фурье-спектроскопии. |
Фирма BRUKER OPTIC |
|
| Методика стационарной и время-разрешающей спектроскопии полупроводниковых структур в видимом и ближнем инфракрасном диапазонах длин волн 0,2-2мкм. |
Фирма BRUKER OPTIC |
|
| Методика определения состава и ширины квантовых ям в полупроводниковых гетероструктурах методом фотолюминесценции. |
ИФМ РАН |
|
| Методика профилирования электрически активных центров с глубокими уровнями в кремниевых структурах, легированных эрбием. |
ИФМ РАН |
|
| Методика определения методом релаксационной спектроскопии электрически активных центров с глубокими уровнями в кремниевых светоизлучающих структурах, легированных эрбием. |
ИФМ РАН |
|
| Методика определения электроактивных примесей в моноизотопном кремнии. |
ИФМ РАН |
|
| Методика определения квантовой эффективности в кремниевых светоизлучающих структурах, легированных эрбием. |
ИФМ РАН |
|
| Методика измерения концентрации кислородсодержащих термодоноров с энергией ионизации 45-69 Мэв в кремнии методом абсорбционной ИК спектроскопии. |
ИФМ РАН |
|
| Методика измерения профиля распределения состава по глубине образца с высокой чувствительностью и высоким разрешением методом вторично-ионной масс-спектрометрии с помощью прибора TOF.SIMS-5. |
Фирма ION-TOF |
|
| Методика интерферометрического восстановления 3-х мерного изображения поверхности с помощью системы Talysurf CCI 2000. |
Фирма Taylor & Hobson |
|
| Методика интерферометрических измерений физических параметров прозрачных слоев. |
ИФМ РАН |
|
| Методика реконструкции реального рельефа поверхности с учётом нелокальности взаимодействия зонд-поверхность в сканирующей туннельной микроскопии. |
ИФМ РАН |
|
| Методика определения шероховатости подложек методом оптической интерферометрии белого света с помощью системы Talysurf CCI 2000. |
Фирма Taylor & Hobson |
|
| Методика измерения шероховатости поверхностей с негауссовым распределением по высотам методом атомно-силовой микроскопии. |
*Методика и матобеспечение фирмы-изготовителя |
|
| Методика формирования структур на поверхности твердого тела с помощью электронной литографии. |
Фирма Carl Zeiss |
|
| Методика сканирующей электронной микроскопии непроводящих объектов без предварительной подготовки. |
Фирма Carl Zeiss |
|
| Методика морфометрического анализа субмикронных и нанометровых неоднородностей и частиц методом сканирующей электронной микроскопии. |
Фирма Carl Zeiss |
|
| Методика диагностики тонких объектов методом спектроскопии характеристических потерь электронов (включая количественные измерения толщины и состава тонких пленок). |
Фирма Carl Zeiss |
|
| Методика определения элементного состава объектов (количественные измерения), построения карт распределения элементов и фаз с помощью методов энергодисперсионного рентгеновского микроанализа. |
Фирма Carl Zeiss |
|
| Методика диагностики структуры тонких объектов (толщиной до ~ 100 нм) с помощью методов дифракции быстрых электронов и просвечивающей электронной микроскопии |
Фирма Carl Zeiss |
|
| Методика измерения коэффициентов отражения мягкого рентгеновского излучения с относительной точностью до 1% для диапазона 0.6-200нм. |
ИФМ РАН |
|
| Методика измерения толщины слоев и шероховатости границ многослойных структур по угловым и спектральным зависимостям коэффициента отражения мягкого рентгеновского излучения. |
ИФМ РАН |
|
| Методика анализа эпитаксиальных слоев методом рентгеновской дифрактометрии. |
ИФМ РАН |
|
| Методика определения отклонения среза пластины от кристаллографической плоскости методом рентгеновской дифрактометрии. |
Фирма PANalitical |
|
| Методика определения параметров многослойных зеркал (толщина слоев, период повторения и дисперсия) с помощью рентгеновской рефлектометрии. |
Фирма PANalitical |
|
| Методика измерения толщины тонких слоев и шероховатости поверхности по угловым спектрам рассеяния жесткого рентгеновского излучения. |
Фирма PANalitical |
|
| Методика определения концентрации двухкомпонентных твердых растворов и уровня остаточных упругих напряжений в эпитаксиальных слоях GexSi1-x; InxGa1-xAs; GaAs1-xPx; InAs1-xPx; GaAs1-xNx и др. методом рентгеновской дифрактометрии |
Фирма Philips |
|
Вы можете оставить свое сообщение первым.
Написать комментарий