Центры коллективного пользования

Микросистемная техника и электронная компонентная база (МСТ и ЭКБ)

ЦКП создан в 2002 году

Данный ЦКП был поддержан в рамках мероприятия 5.2 ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направления развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы»
Данный ЦКП был поддержан в рамках мероприятия 3.1.2 ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направления развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы»
Данный университет является победителем конкурсного отбора программ развития университетов, в отношении которых устанавливается категория «национальный исследовательский университет (НИУ)»
Базовая организация данного ЦКП является головной организацией отрасли по направлению развития нанотехнологий: "Наноинженерия" в рамках ФЦП «Развитие инфраструктуры наноиндустрии в Российской Федерации на 2008-2011 годы»
Адрес
  • Центральный, г. Москва
  • 124498, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1
  • 🌎http://ckp-miet.ru/
Руководитель
  • 👤Дюжев Николай Алексеевич
  • 📞(499) 7206908
  • djuzhev@unicm.ru
Контактное лицо
Сведения о результативности за 2016 год (данные мониторинга)
Участие в мониторинге Число организаций-пользователей, ед. Число публикаций, ед. Загрузка в интересах внешних организаций-пользователей, %
да223322.28
Базовая организация

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»

Информация о центре коллективного пользования (ЦКП)

Центр коллективного пользования "Микросистемная техника и электронная компонентная база" созданный в 2002 году,является самостоятельным структурным подразделением МИЭТ. ЦКП проводит научные исследования и разработки, а также предоставляет научно-технические услуги учреждениям, предприятиям и организациям. ЦКП оснащен новейшим оборудованием мирового уровня, которое позволяет реализовать замкнутый технологический маршрут проектирования интегральных схем с последующим изготовлением фотошаблонов и организацией мелкосерийного производства конечной продукции на отечественных производственных мощностях.
В состав ЦКП входят подразделения:
- Нано-технологический центр "Нано- и микросистемной техники";
- Дизайн-центр "Проектирование интегральных микроэлектронных систем";
- Центр "Технологии и испытания электронных компонентов";
- Центр "Интеллектуальные электронные энергосберегающие системы".

Направления научных исследований, проводимых в ЦКП

  • фундаментальные и прикладные исследования в области микросистемной техники и микроэлектроники;
  • проведение работ в области проектирования микросистемной техники и элементной микроэлектронной базы, приборно-технологического моделирования;
  • разработка и создание образцов микросистемной техники;
  • разработка и создание элементной базы микроэлектроники;
  • подготовка высококвалифицированных специалистов, кадров высшей квалификации, повышение квалификации и переподготовка специалистов.

124498, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1
📷

Оборудование (64)

Наименование Страна Фирма-изготовитель Марка Год
Кластерная установка плазмохимического травления металлов
Соединённые Штаты Америки STS STS 2008
Система реактивно-ионного травления и обработки поверхности фотошаблона "Corial 300S" с дополнительными опциями
Франция CORIAL Corial 300S 2015
Сканирующий спектральный эллипсометр HORIBA UVISEL 2
Франция HORIBA (Хориба) Uvisel 2 2015
Энергодисперсионный спектрометр Quantax XFlash 6 с модульной системой дифракции обратнорассеянных электронов QUANTAX CrystAlign 200
Германия Bruker Corporation Quantax XFlash 6 2013
Установка контроля топологии ЭМ-6329Р
Белоруссия УП КБТЭМ-ОМО ЭМ-6329 2010
Двулучевая система высокого разрешения FEL Quanta 3D FEG DEMO
Германия FEI Company Quanta 3D FEG 2008
Высоковакуумная низкотемпературная система для исследования нанорельефа, электростатических, магнитных и тепловых свойств наноструктур методами ACM/CTM/MCM PlasmoScope-2M
Россия ТД «Научное Оборудование» PlasmoScope-2M 2015
Дифрактометр многофункциональный Rigaku SmartLab
Япония Rigaku SmartLab 2014
Система по изучению магнитооптического эффекта Керра Neoark BH-PI7892-KI
Япония Neoark BH-PI7892-KI 2014
Программно-аппаратный комплекс ДМТ-518 (Электроникс)
Белоруссия ДМТ-Электроникс ДМТ-518 2010
Проходная камера CK-581 (Multitest Elektronische System)
Германия Multitest Elektronische System GmbH CK-581 2010
Установка тестирования микросистем UltraFlex (Teradyne)
Соединённые Штаты Америки Teradyne Inc. UltraFlex 2007
Профилометр Alpha-Step D120 в составе Специализированного программно-технического комплекса коллективного пользования для количественного элементного 3D анализа изделий нано- и микросистемной техники
Соединённые Штаты Америки KLA-Tencor Alpha-Step D120 2012
Установка для ионного травления и полировки Fischione Instruments Model 1060 SEM Mill в составе Специализированного программно-технического комплекса коллективного пользования для количественного элементного 3D анализа изделий нано- и микросистемной тех
Соединённые Штаты Америки Fischione Instruments Model 1060 SEM Mill 2012
Времяпролетный вторично-ионный масс-спектрометр TOFSIMS-5-100 (IonTOF)
Германия IonTOF TOFSIMS-5-100 2012
Оже-микрозонд PHI-670xi (Physical Electronics) в составе Специализированного программно-технического комплекса коллективного пользования для количественного элементного 3D анализа изделий нано- и микросистемной техники
Соединённые Штаты Америки Physical Electronics PHI-670xi 2012
Установка измерения поверхностного сопротивления
Соединённые Штаты Америки Lucas Labs QuadPRO 2010
Лазерный конфокальный микроскоп VL 2000 DХ (Lasertech)
Япония Lasertech VL 2000 DХ 2008
Установка для акустических исследований объемных структур KSI v-350lm
Германия KSI Sonic Industries GmbH KSI v-350lm 2012
Зондовая установка контроля электрических параметров Cascade Summit 12K
Соединённые Штаты Америки Cascade Microtech Summit 12K 2011
Комплекс измерительный параметров аналоговых микросхем и устройств ДМТ-219
- приобретено в рамках государственного контракта
- дорогостоящее оборудование
- наиболее востребованное оборудование
Белоруссия ДМТ-Электроникс ДМТ-219 2010
Микроскоп МИКРО2001-01
Белоруссия УП "КБТЭМ-СО" Микро 2001-01 2009
Микроскоп сканирующий INM 100
Соединённые Штаты Америки KLA-Tencor INM100 2007
Установка тестирования однокристальных микросистем (SoC)
- дорогостоящее оборудование
Соединённые Штаты Америки Teradyne Inc. UltraFlex 2007
Зондовая установка для тестирования микросхем в составе пластин UF200A TOKYO
- дорогостоящее оборудование
Япония TOKYO SEIMITSU CO., LTD UF200A 2007
Cистема обрезки и формовки выводов
Соединённые Штаты Америки Fancort Industries, Inc. 5000L-F-3A-F-1A/4 2007
Рентгеноскопическая цифровая система контроля микросхем с функцией томографии
- дорогостоящее оборудование
Великобритания DAGE Precision Industries Ltd. XD7600NT 2007
Камера климатическая программируемая
Япония Espeс MC-811P 2007
Установка контроля акустических шумов LPD-4000.BGW
Соединённые Штаты Америки B LPD-D4000 2004
Установка контроля герметичности с камерой опрессовки в гелии HLT-560-VC
- дорогостоящее оборудование
Великобритания Pyramid Engineering Systems Ltd. HLT 560 2007
Линия герметизации корпусов методом роликовой шовной сварки с вакуумной печью и возможностью корпусирования в гелиевой среде
- дорогостоящее оборудование
- наиболее востребованное оборудование
Великобритания Pyramid Engineering Systems Ltd. HPS 9206М 2007
Установка формирования шариковых выводов с возможностью термо- и ультразвуковой сварки выводов многоуровневых корпусов
- дорогостоящее оборудование
Германия F&K Delvotec GmbH 5310 2007
Установка УЗ-сварки выводов многоуровневых корпусов с системой механического контроля качества
- дорогостоящее оборудование
Германия F&K Delvotec GmbH 5432 2007
Установка тестирования и Уз-сварки 5630
- дорогостоящее оборудование
Германия F&K Delvotec GmbH 56ХХ 2007
Автомат разварки выводов 64000 G5 (FK)
Германия F 64000 G5 2005
Сухожаровой термошкаф
Великобритания Carbolite CR-30 2007
Установка монтажа кристаллов с возможностью эвтектической пайки PP5/2 (Cefor Ingenierie)
Франция Cefor Ingenierie PP5/2 2007
Установка монтажа кристаллов методом флип-чип с возможностью эвлектич.пайки РР5/4
Франция Cefor Ingenierie PP5/4 2007
Установка плазменной очистки YES G500 Yield Engineering Systems
- дорогостоящее оборудование
Соединённые Штаты Америки Yield Engeniering System, Inc. YES-G500 2007
Вакуумная печь
- дорогостоящее оборудование
Германия ATV Technologie GmbH SRO-706 2007
Установка отмывки полупроводиковых пластин
Белоруссия УП "КБТЭМ-СО" ЭМ-3027 2009
Установка гидрообработки разделенных пластин
Чехия SCR Engineering s.r.o. UH 117 2007
Автоматическое устройство разделения пластин на кристаллы
- дорогостоящее оборудование
Япония Disco Abrasive Systems, LTD DAD3350 2007
Установка монтажа пелликлов 8002 (MLI)
Соединённые Штаты Америки MLI 8002 2005
Установка финишной отмывки
- дорогостоящее оборудование
- наиболее востребованное оборудование
Германия Hamatech ASC-5500 2009
Установка термодубления
- дорогостоящее оборудование
- наиболее востребованное оборудование
Германия Hamatech Hot-plate 2009
Программно-аппаратный комплекс для проведения процессов с фотошаблонами размером 7 дюймов
- дорогостоящее оборудование
Германия Vistec 7012 2011
Установка для зондового контроля и анализа микросхем PM5
- дорогостоящее оборудование
- наиболее востребованное оборудование
Соединённые Штаты Америки Cascade Microtech PM5 Probe System 2010
Комплект блоков и оснастки XeDraw 2 для управления пучком и прецизионной засветки фоторезиста на поверхности полупроводниковых подложек для растрового электронного микроскопа
- дорогостоящее оборудование
- наиболее востребованное оборудование
Германия Xenos XeDraw 2 2011
Комплект блоков и оснастки MK3 COOLSTAGE для проведения экспериментов при пониженных и повышенных температурах для растрового электронного микроскопа
- наиболее востребованное оборудование
Великобритания Deben MK3 COOLSTAGE 2010
Комплект блоков и оснастки IE350 X-Max20 (Premium) для проведения энергодисперсионного микроанализа для электронного микроскопа JEOL JSM-6490LV
Великобритания Oxford Instruments INCA Energy 350 X-Max20 2011
Вакуумная электроннолучевая система для исследования морфологии, элементного состава и формирования рисунка изделий микросистемной техники на базе растрового электронного микроскопа JSM-6490LV
Япония JEOL (Japanese Electron Optics Laboratory, Джеол) JSM-6490LV 2008
Спектральное устройство для исследования оптических характеристик многослойных тонкопленочных структур на базе эллипсометра AutoSE фирмы Horiba
Франция HORIBA Jobin Ivon AutoSe System 2009
Сканирующее зондовое устройство для исследования морфологии, тепловых и магнитных полей изделий микросистемной техники на базе атомно-силового микроскопа Smart SPM фирмы AIST-NT
Россия AIST-NT SmartSPM 2009
Установка масс-спектрометрического контроля содержания паров воды внутри корпусов микросхем
- дорогостоящее оборудование
- наиболее востребованное оборудование
Россия ОАО "НИИПМ" УКСП ШЦМ2.718.028 2011
Установка для проведения операции электротермотренировки микросхем УЭТТ ЩЦМ2.757.005 (ОАО "НИИПМ")
Россия ОАО "НИИПМ" УЭТТ ЩЦМ2.757.005 2011
Установка атомно-слоевого осаждения
- дорогостоящее оборудование
- наиболее востребованное оборудование
Финляндия Picosun Sunale R-200 2011
Установка соединения пластин и подложек Suss Microtech Substrate bonder SB6
- дорогостоящее оборудование
- наиболее востребованное оборудование
Германия Suss Microtech Substrate bonder SB6 2007
Установка напыления тонких пленок металлов SEGI-RFA3-4TR
- дорогостоящее оборудование
- наиболее востребованное оборудование
Соединённые Штаты Америки SEGI SEGI-RFA3-4TR 2008
Кластерная установка плазмохимического травления диэлектрических слоев
- дорогостоящее оборудование
- наиболее востребованное оборудование
Соединённые Штаты Америки STS STS 2008
Технологический комплекс пиролитических процессов и плазмостимулированного осаждения материалов SVFUR-LH4 (SVCS)
Чехия SVCS SVFUR-LH4 2007
Технологический комплекс термических процессов (диффузия и окисление) SVFUR-AH4 (SVCS)
Чехия SVCS SVFUR-AH4 2007
Технологический комплекс фотолитографии и оптического контроля EVG 150
Австрия EVG EVG 150 2005
Технологический комплекс жидкостного травления и химической обработки кремния Mercury style (SCR)
Чехия SCR Mercury style 2005

Услуги (102)

Для подачи заявки на оказание услуги щелкните по ее наименованию.
Наименование Приоритетное направление
Сборка образцов изделий СЦС ТЕАЦ3.057.031
Индустрия наносистем
Проведение работ по препарированию СБИС, получению изображений их топологических слоёв в оптическом или электронном микроскопе
Индустрия наносистем
Разработка аппаратуры электронной (АЭ)
Информационно-телекоммуникационные системы
Разработка технологии изготовления микросхем со встроенной энергонезависимой памятью с минимальными топологическими размерами 90 нм и освоение производства серии СБИС для смарт карт на её основе
Информационно-телекоммуникационные системы
Исследование и разработка узлов схемы обработки сигналов 3-х осевого пьезогироскопического механизма
Транспортные и космические системы
Разработка опытного образца аппаратно-программного комплекса системы контроля процессов эксплуатации и энергопотребления объектов недвижимости
Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Разработка эскизного проекта, технического проекта и стендов контроля для микросхемы изменения емкостей чувствительного элемента мостового диффиренциального типа в номинированное значение электрического напряжения для измерителей линейного ускорения
Индустрия наносистем
Исследование перспективных конструкций и технологических процессов изготовления генераторных приборов на алмазном теплоотводе с целью увеличения их выходной мощности
_не указано
Разработка комплекса методик калибровки и поверки оборудования для диагностики внутренних поверхностей открытых и глухих каналов в агрегатах и узлах механизмов в машиностроительной и авиакосмической отраслях методом профиламетрии
Индустрия наносистем
Исследования в области основных направлений развития научно-технологической базы высокоплотных технологий
Индустрия наносистем
Исследование возможности формирования верхнего слоя металлизации цифровых интегральных схем
Индустрия наносистем
Разработка технологии и организация производства имплантируемого насоса длительной механической поддержки кровообращения для пациентов с тяжелыми формами сердечной недостаточности
Индустрия наносистем
Организация и осуществление повышения квалификации сотрудников
Индустрия наносистем
Организация и проведение стажировки
Индустрия наносистем
Реализация четырёхпроводного метода измерения абсолютного электрического сопротивления индивидуальных нанопроволок с применением фокусированного ионного пучка
Индустрия наносистем
Испытание датчиков контроля расхода энергоносителей в системах теплоэнергетики
Индустрия наносистем
Испытание изделий МСТ и ЭКБ на воздействие внешних влияющих факторов
Индустрия наносистем
Измерение параметров энергоносителей в системах теплоэнергетики
Индустрия наносистем
Контроль свободно перемещающихся частиц внутри корпуса по уровню шума
Индустрия наносистем
Неразрушающий рентгеновский контроль полупроводниковых приборов
Индустрия наносистем
Герметизация корпуса
Индустрия наносистем
Контроль топологии и поиск дефектов на фотошаблонах
Индустрия наносистем
Измерение точностных параметров фотошаблонов
Индустрия наносистем
Физико-химическая обработка фотошаблонов
Индустрия наносистем
Межоперационная и финишная отмывки фотошаблонов
_не указано
Монтаж пелликлов на фотошаблонах
Индустрия наносистем
Измерение топологических элементов на фотошаблонах
Индустрия наносистем
Экспонирование резиста на электронно-лучевом генераторе изображения
Индустрия наносистем
Экспонирование фоторезиста на лазерном генераторе изображения
Индустрия наносистем
Лазерная ретушь на фотошаблонах
Индустрия наносистем
Контроль топологи и поиск дефектов на фотошаблонах
Индустрия наносистем
Испытание на воздействие акустического шума ОСТ11 073.013, 108-1, 108-2
Индустрия наносистем
Испытание на воздействие соляного тумана с покрытием лаком 3 слоя ОСТ11 073.013, 215-1
Индустрия наносистем
Испытание на воздействие инея и росы с покрытием лаком ОСТ11 073.013, 206-1
Индустрия наносистем
Испытание на воздействие плесневых грибов ОСТ11 073.013, 214-1
Индустрия наносистем
Испытание на воздействие атмосферного пониженного давления ОСТ11 073.013, 209-1
Индустрия наносистем
Испытание на воздействие атмосферного повышенного давления ОСТ11 073.013, 406-1, 210-1
Индустрия наносистем
Испытание на хранение при повышенной температуре ОСТ11 073.013,201-1.1
Индустрия наносистем
Испытание на воздействие повышенной влажности воздуха (длительное) с покрытием лаком ОСТ11 073.013, 207-2
Индустрия наносистем
Испытание на прочность при свободном падении ОСТ11 073.013, 408-1
Индустрия наносистем
Испытание на воздействие пониженного атмосферного давления ОСТ11 073.013, 209-4
Индустрия наносистем
Кратковременное испытание на безотказность длительностью 3000 ч. ОСТ11 073.013, 700-2,1
Индустрия наносистем
Испытание гибких проволочных и ленточных выводов на изгиб ОСТ11 073.013, 110-3
Индустрия наносистем
Испытание выводов на воздействие растягивающей силы ОСТ11 073.013, 109-1
Индустрия наносистем
Испытание на теплостойкость при пайке ОСТ11 073.013, 403-1
Индустрия наносистем
Испытание на способность к пайке ОСТ11 073.013, 402-1
Индустрия наносистем
Контроль содержания паров воды внутри корпуса ОСТ11 073.013, 222-1, 222-2
Индустрия наносистем
Проверка способности к пайке облуженных выводов без дополнительного облуживания после хранения в течение 12 месяцев ОСТ11 073.013, 402-1 - проводится с целью проверки выводов микросхем легко смачиваться припоем
Индустрия наносистем
Испытание на воздействие статической пыли ОСТ11 073.013 213-1 - проводится с целью проверки способности микросхем работать в среде с повышенной концентрацией пыли
Индустрия наносистем
Испытание на пожарную безопасность ОСТ11 073.013, 410-1, 410-2 - проводится с целью оценки соответствия микросхем требованиям по обеспечению пожарной безопасности, установленным в ТЗ и ТУ на микросхемы
Индустрия наносистем
Испытание на воздействие повышенной влажности воздуха (кратковременное) ОСТ11 073.013, 208-2 - проводится: а) с целью выявления технологических дефектов, если специфика производства и конструктивные особенности изделий таковы, что дефекты могут быть выявлены кратковременным испытанием; б) с целью выявления дефектов, которые могут возникнуть при других видах испытаний. Микросхемы испытывают без электрической нагрузки в камере влаги
Индустрия наносистем
Испытание на воздействие линейных ускорений ОСТ11 073.013, 107-1 - проводится с целью проверки способности микросхем противостоять разрушающему действию линейного ускорения и сохранять свои параметры после воздействия линейного ускорения
Индустрия наносистем
Испытание на воздействие изменения температуры ОСТ11 073.013, 205-1, 205-3 - проводится с целью определения способности микросхем сохранять свой внешний вид и параметры после воздействия изменения температуры среды в пределах значений, установленных в ТУ на микросхемы
Индустрия наносистем
Проверка габаритных, установочных и присоединительных размеров ОСТ11 073.013, 404-1 - проводится с целью определения соответствия габаритных, установочных и присоединительных размеров микросхем требованиям ТУ на микросхемы
Индустрия наносистем
Испытание на чувствительность к разряду статического электричества ОСТ11 073.013, 502-1, 502-1а - проводится с целью определения допустимых значений статического электричества для микросхем и определения их соответствия заданному в технической документации допустимому значению статического электричества
Индустрия наносистем
Проверка массы микросхемы ОСТ11 073.013, 406-1 - проводится с целью проверки соответствия массы микросхем требованиям, установленным в ТУ на микросхемы
Индустрия наносистем
Определение запасов устойчивости к воздействию механических , тепловых и электрических нагрузок (граничные испытания) ОСТ11 073.013, 422-1 - проводится при проведении приемки ОКР с целью определения: запасов устойчивости микросхем и корпусов к различным видам внешнего воздействия; предельных значений электрических режимов и минимальных значений предельно допустимых электрических режимов эксплуатации; резонансных частот микросхем
Индустрия наносистем
Проверка габаритных размеров индивидуальной, групповой, дополнительной и транспортной тары ОСТ11 073.013, 404-2 - проводится с целью определения соответствия габаритных размеров индивидуальной, групповой, дополнительной и транспортной тары технической документации и ТУ
Индустрия наносистем
Испытание на виброустойчивость ОСТ11 073.013, 102-1 - проводится с целью проверки способности микросхем выполнять свои функции и сохранять внешний вид и параметры в пределах норм установленных в ТУ на микросхемы в условиях и после воздействия синусоидальных вибраций в заданных режимах
_не указано
Испытание на вибропрочность ОСТ11 073.013, 103-1.1, 103-1.3 - проводится с целью проверки способности микросхем противостоять разрушающему действию вибрации и сохранять внешний вид и параметры в пределах норм установленных в ТУ на микросхемы после ее воздействия
Индустрия наносистем
Испытание на воздействие одиночных ударов ОСТ11 073.013, 106-1 - проводится с целью проверки способности микросхем противостоять разрушающему действию механических ударов одиночного действия и сохранять внешний вид и параметры после воздействия ударов
Индустрия наносистем
Испытание на влагостойкость в циклическом режиме ОСТ11 073.013, 207-4 - проводится с целью ускоренной оценки устойчивости микросхем и материалов, из которых они изготовлены, к разрушительному действию высокой влажности и температуры, характерных для тропического климата
Индустрия наносистем
Кратковременное испытание на безотказность длительностью 1000 ч. - проводится с целью периодического контроля качества микросхем и проверки стабильности технологического процесса изготовления
Индустрия наносистем
Испытание соединения кристалл- подложка на сдвиг ОСТ11 073.013, 115-1 - проводится с целью определения прочности соединений между кристаллом и держателем или подложкой и оценки качества крепления кристалла
Индустрия наносистем
Контроль прочности сварного соединения ОСТ11 073.013, 109-4 - проводится с целью проверки прочности сварных соединений проволочных и ленточных выводов с контактными площадками кристалла, подложки (для гибридных схем) или траверсами корпуса и перемычек схем
Индустрия наносистем
Внутренний визуальный контроль ОСТ11 073.013, 405-1.1 - метод предназначен для контроля кристаллов полупроводниковых микросхем, включая кристаллы третьей и высшей степени интеграции с металлизацией, защищенной и незащищенной диэлектрической пленкой и контроля качества сборки ИС
Индустрия наносистем
Испытание на воздействие очищающих растворителей ОСТ11 073.013, 411-1 - проводят с целью проверки стойкости к воздействию очищающих растворителей наружных материалов (неметаллических покрытий) и маркировки микросхем выполненной лакокрасочными материалами, и (или) определение способности микросхем сохранять свои параметры в пределах значений, указанных в ТУ
Индустрия наносистем
Проверка качества маркировки ОСТ11 073.013, 407-1 - осуществляется с целью определения содержания и разборчивости маркировки
Индустрия наносистем
Испытание на герметичность ОСТ11 073.013, 401-8, 401-9 - представляет собой приборную проверку герметичности микросхем путем обнаружения утечки введенного в них элегаза или содержащегося в них воздуха
Индустрия наносистем
Проверка статических параметров ОСТ11 073.013, 500-1, 203-1, 201-2,1 - проводится с целью проверки соответствия электрических параметров нормам, установленным в ТУ. Испытания проводят средствами измерений, приборами и приспособлениями, удовлетворяющими требованиям стандартов на методы измерения электрических параметров микросхем
Индустрия наносистем
Проверка внешнего вида микросхем ОСТ 11 073.013,405-1.3 - проводится с целью определения соответствия внешнего вида требованиям ТУ, образцам внешнего вида или "Описанию образцов внешнего вида".
Индустрия наносистем
Проведение технологических операций термического окисления кремния
Индустрия наносистем
Проведение технологических операций фотолитографии и оптического контроля
Индустрия наносистем
Проведение технологических операций жидкостного травления кремния
Индустрия наносистем
Измерение магнитных свойств поверхности изделий микросистемной техники с пространственным разрешением в нанометровом диапазоне
Индустрия наносистем
Контроль параметров структуры рельефа поверхности на кремниевых пластинах в процессе изготовления изделий нано-микросистемной техники
Индустрия наносистем
Проведение высокоточных измерений толщин слоев, показателей преломления и состава в многослойных структурах МСТ и ЭКБ
Индустрия наносистем
Калибровка измерительных специализированных технических средств, предназначенных для измерения электрических, геометрических и оптических параметров изделий МСТ и ЭКБ
Индустрия наносистем
Входной контроль аналоговых ИМС
Транспортные и космические системы
Параметрические измерения изделий
Индустрия наносистем
Контроль наличия посторонних частиц в подкорпусном объеме изделия
Индустрия наносистем
Рентгеновский контроль изделий
Индустрия наносистем
Прихватка крышки к корпусу с последующей герметизацией
Индустрия наносистем
Формирование внутренних соединений
Индустрия наносистем
Посадка кристалла в корпус
Индустрия наносистем
Обработка корпусов
Индустрия наносистем
Разделение пластин на кристаллы
Индустрия наносистем
Испытание на воздействие повышенной рабочей и предельной температуры среды. Испытание на воздействие пониженной рабочей и предельной температуры среды.
Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Испытания на воздействие механических ударов одиночного действия. Ударные импульсы сложной формы (полусинусоидальной, пилообразной и прямоугольной)
Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Испытания на воздействие синусоидальной, широкополосной случайной вибрации и многократных ударов
Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Изготовление и аттестация фотошаблона на соответствие техническим требованиям
- наиболее востребованная услуга
Индустрия наносистем
Масс-спектрометрический контроль содержания паров воды с корпусах микросхем
Индустрия наносистем
Электротермотренировка микросхем
- наиболее востребованная услуга
Информационно-телекоммуникационные системы
Отработка и выполнение технологических операций групповой сборки кристаллов и соединения пластин
Индустрия наносистем
Отработка и выполнение технологических операций напыления тонких пленок металлов
Индустрия наносистем
Отработка и выполнение технологических операций плазменного, реактивно-ионного травления кремния и обработки материалов
Индустрия наносистем
Отработка и выполнение технологических операций пиролитического и плазмостимулированного осаждения материалов
Индустрия наносистем
Отработка и выполнение технологических операций диффузии и окисления кремния
Индустрия наносистем
Отработка и выполнение технологических операций фотолитографии и оптического контроля
Индустрия наносистем
Отработка и выполнение технологических операций жидкостного травления и химической обработки кремния
Индустрия наносистем
Препарирование СБИС и фотографирование их топологических слоев для разных типов СБИС
Индустрия наносистем
Анализ структуры и измерение геометрических параметров элементов СБИС
- наиболее востребованная услуга
Индустрия наносистем

Методики (108)

Наименование методики Наименование организации, аттестовавшей методику Дата аттестации
Методика измерения локальной ёмкости поверхности образцов с точностью до 25 нм
Методика получения и анализа изображений, получаемых на оптическом микроскопе Nikon Eclipse, включающая особенности тепнопольной и светлопольной микроскопии отраженного и проходящего света
Экспресс-метод определения оптических характеристик n и k структуры в целом
Методика исследования процессов возбуждения автоэлектронной эмиссии
Методика определения величины плотности заряда в диэлектрической пленке методом вольт-фарадных характеристик
Методика измерения перепадов высот в нанометровом диапазоне с использованием профилометра Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт метрологической службы" (ФГУП "ВНИИМС") 16.12.2015
Методика измерения перепадов высот в нанометровом диапазоне методами сканирующей зондовой микроскопии Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт метрологической службы" (ФГУП "ВНИИМС") 19.10.2015
Методика измерения линейных размеров наноструктур методами сканирующей зондовой микроскопии Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт метрологической службы" (ФГУП "ВНИИМС") 19.10.2015
Методика измерений линейных размеров наноструктур методами растровой электронной микроскопии Федеральное агенство по техническому регулированию и метрологии. Государственный научный метрологический институт "Всероссийский научно-исследовательский институт оптико-физических измерений" (ВНИИОФИ) 18.12.2014
Методика плазменного реактивно-ионного травления и обработки поверхности
Методика измерения магнитооптических магнитных параметров и доменной структуры изделий нано - и микросистемной техники
Методика измерения магнитного момента магнитных и ферромагнитных наноструктур при перемагничивании спин-поляризованным током комбинированным методом АСМ/СТМ/МСМ
Методика измерения оптических характеристик и толщин металлических и диэлектрических пленок, а также многослойных оптически прозрачных структур с принципиально новыми свойствами, с использованием спектрального эллипсометра в спектральном диапазоне 190-2100 нм
Методика фазового и структурного анализа тонких пленок и наноматериалов с использованием многофункционального рентгеновского дифрактометра
Испытание на воздействие акустического шума ОСТ11 073.013, 108-1, 108-2
Испытание на воздействие соляного тумана с покрытием лаком 3 слоя ОСТ11 073.013, 215-1
Испытание на воздействие инея и росы с покрытием лаком ОСТ11 073.013, 206-1
Испытание на воздействие плесневых грибов ОСТ11 073.013, 214-1
Испытание на воздействие атмосферного пониженного давления ОСТ11 073.013, 209-1
Испытание на воздействие атмосферного повышенного давления ОСТ11 073.013, 406-1, 210-1
Испытание на хранение при повышенной температуре ОСТ11 073.013,201-1.1
Испытание на воздействие повышенной влажности воздуха (длительное) с покрытием лаком ОСТ11 073.013, 207-2
Испытание на прочность при свободном падении ОСТ11 073.013, 408-1
Испытание на воздействие пониженного атмосферного давления ОСТ11 073.013, 209-4
Испытание гибких проволочных и ленточных выводов на изгиб ОСТ11 073.013, 110-3
Кратковременное испытание на безотказность длительностью 3000 ч. ОСТ11 073.013, 700-2,1
Испытание выводов на воздействие растягивающей силы ОСТ11 073.013, 109-1
Испытание на теплостойкость при пайке ОСТ11 073.013, 403-1
Испытание на способность к пайке ОСТ11 073.013, 402-1
Контроль содержания паров воды внутри корпуса ОСТ11 073.013, 222-1, 222-2
Методика испытаний датчиков контроля расхода энергоносителей в системах теплоэнергетики
Методика измерения параметров энергоносителей в системах теплоэнергетики
Методика испытания изделий МСТ и ЭКБ на воздействие внешних влияющих факторов
Проверка способности к пайке облуженных выводов без дополнительного облуживания после хранения в течение 12 месяцев ОСТ11 073.013, 402-1 - проводится с целью проверки выводов микросхем легко смачиваться припоем
Испытание на воздействие статической пыли ОСТ11 073.013 213-1 - проводится с целью проверки способности микросхем работать в среде с повышенной концентрацией пыли
Испытание на пожарную безопасность ОСТ11 073.013, 410-1, 410-2 - проводится с целью оценки соответствия микросхем требованиям по обеспечению пожарной безопасности, установленным в ТЗ и ТУ на микросхемы
Испытание на воздействие повышенной влажности воздуха (кратковременное) ОСТ11 073.013, 208-2 - проводится: а) с целью выявления технологических дефектов, если специфика производства и конструктивные особенности изделий таковы, что дефекты могут быть выявлены кратковременным испытанием; б) с целью выявления дефектов, которые могут возникнуть при других видах испытаний. Микросхемы испытывают без электрической нагрузки в камере влаги
Испытание на воздействие линейных ускорений ОСТ11 073.013, 107-1 - проводится с целью проверки способности микросхем противостоять разрушающему дейтсвию линейного ускорения и сохранять свои параметры после воздействия линейного ускорения
Испытание на воздействие изменения температуры ОСТ11 073.013, 205-1, 205-3 - проводится с целью определения способности микросхем сохранять свой внешний вид и параметры после воздействия изменения температуры среды в пределах значений, установленных в ТУ на микросхемы
Проверка габаритных, установочных и присоединительных размеров ОСТ11 073.013, 404-1 - проводится с целью определения соответствия габаритных, установочных и присоединительных размеров микросхем требованиям ТУ на микросхемы
Испытание на чувствительность к разряду статического электричества ОСТ11 073.013, 502-1, 502-1а - проводится с целью определения допустимых знгачений статического электричества для микросхем и определения их соответствия заданному в технической документации допустимому значению статического электричества
Проверка массы микросхемы ОСТ11 073.013, 406-1 - проводится с целью проверки соответствия массы микросхем требованиям, установленным в ТУ на микросхемы
Определение запасов устойчивости к воздействию механических , тепловых и электрических нагрузок (граничные испытания) ОСТ11 073.013, 422-1 - проводится при проведении приемки ОКР с целью определения: запасов устойчивости микросхем и корпусов к различным видам внешнего воздействия; предельных значений электрических режимов и минимальных значений предельно допустимых электрических режимов эксплуатации; резонансных частот микросхем
Проверка габаритных размеров индивидуальной, групповой, дополнительной и транспортной тары ОСТ11 073.013, 404-2 - проводится с целью определения соответствия габаритных размеров индивидуальной, групповой, дополнительной и транспортной тары технической документации и ТУ
Испытание на виброустойчивость ОСТ11 073.013, 102-1 - проводится с целью проверки способности микросхем выполнять свои функции и сохранять внешний вид и параметры в пределах норм установленных в ТУ на микросхемы в условиях и после воздействия синусоидальных вибраций в заданных режимах
Испытание на вибропрочность ОСТ11 073.013, 103-1.1, 103-1.3 - проводится с целью проверки способности микросхем противостоять разрушающему действию вибрации и сохранять внешний вид и параметры в пределах норм установленных в ТУ на микросхемы после ее воздействия
Испытание на воздействие одиночных ударов ОСТ11 073.013, 106-1 - проводится с целью проверки способности микросхем противостоять разрушающему действию механических ударов одиночного действия и сохранять внешний вид и параметры после воздействия ударов
Испытание на влагостойкость в циклическом режиме ОСТ11 073.013, 207-4 - проводится с целью ускоренной оценки устойчивости микросхем и материалов, из которых они изготовлены, к разрушительному действию высокой влажности и температуры, характерных для тропического климата
Кратковременное испытание на безотказность длительностью 1000 ч. - проводится с целью периодического контроля качества микросхем и проверки стабильности технологического процесса изготовления
Испытание соединения кристалл- подложка на сдвиг ОСТ11 073.013, 115-1 - проводится с целью определения прочности соединений между кристаллом и держателем или подложкой и оценки качества крепления кристалла
Контроль прочности сварного соединения ОСТ11 073.013, 109-4 - проводится с целью проверки прочности сварных соединений проволочных и ленточных выводов с контактными площадками кристалла, подложки (для гибридных схем) или траверсами корпуса и перемычек схем
Внутренний визуальный контроль ОСТ11 073.013, 405-1.1 - метод предназначен для контроля кристаллов полупроводниковых микросхем, включая кристаллы третьей и высшей степени интеграции с металлизацией, защищенной и незащищенной диэлектрической пленкой и контроля качества сборки ИС
Испытание на воздействие очищающих растворителей ОСТ11 073.013, 411-1 - проводят с целью проверки стойкости к воздействию очищающих растворителей наружных материалов (неметаллических покрытий) и маркировки микросхем выполненной лакокрасочными материалами, и (или) определение способности микросхем сохранять свои параметры в пределах значений, указанных в ТУ
Проверка качества маркировки ОСТ11 073.013, 407-1 - осуществляется с целью определения содержания и разборчивости маркировки
Испытание на герметичность ОСТ11 073.013, 401-8, 401-9 - представляет собой приборную проверку герметичности микросхем путем обнаружения утечки введенного в них элегаза или содержащегося в них воздуха
Проверка статических параметров ОСТ11 073.013, 500-1, 203-1, 201-2,1 - проводится с целью проверки соответствия электрических параметров нормам, установленным в ТУ. Испытания проводят средствами измерений, приборами и приспособлениями, удовлетворяющими требованиям стандартов на методы измерения электрических параметров микросхем
Проверка внешнего вида микросхем ОСТ 11 073.013,405-1.3 - проводится с целью определения соответствия внешнего вида требованиям ТУ, образцам внешнего вида или "Описанию образцов внешнего вида"
Методика испытания изделий с определением концентрации паров воды в газовой смеси (200-10500) млн-1 Государственный научный метрологический цент Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума" (ОАО НИЦПВ) 11.08.2014
Методика испытания изделий на воздействие температуры в диапазоне от минус 80 до плюс 220 ºС Общество с ограниченной ответсвенностью "СОВТЕСТ АТЕ" 11.04.2014
Методика испытания изделий с воспроизведением линейных ускорений до 50 g Государственный научный метрологический цент Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума" (ОАО НИЦПВ) 02.06.2014
Методика испытания изделий с воспроизведением нагрузок от 1 N до 50 N Государственный научный метрологический цент Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума" (ОАО НИЦПВ) 30.05.2012
Методика испытания изделий с воспроизведением вибрации до 20 g в диапазоне частот от 40 Гц до 200 Гц Государственный научный метрологический цент Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума" (ОАО НИЦПВ) 10.06.2014
Методика испытания изделий с воспроизведением ударного ускорения от 100 g до 15000 g при длительности ударного импульса от 1 мс до 2 мс Государственный научный метрологический цент Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума" (ОАО НИЦПВ) 06.12.2013
Методика испытания изделий на воздействие температуры в диапазоне от 40 ºС до 300 ºС Общество с ограниченной ответсвенностью "СОВТЕСТ АТЕ" 22.05.2012
Методика контроля микросхем с функцией томографии Государственный научный метрологический цент Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума" (ОАО НИЦПВ) 31.08.2012
Методика испытания изделий с диапазоном измерения утечки газов от 5 Е-12 м3*Па/с до 1 м3*Па/с Государственный научный метрологический цент Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума" (ОАО НИЦПВ) 02.06.2014
Методика испытания изделий с воспроизведением и измерением напряжения и силы постоянного тока, частоты следования прямоугольных импульсов при высоковоспроизводительном функциональном и параметрическом контроле интегральных микросхем и кристаллов в составе полупроводниковой пластины с числом выводов до 256 и рабочей частотой последовательности функционального контроля до 500 МГц Государственный научный метрологический цент Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума" (ОАО НИЦПВ) 20.06.2014
Методика контроля прочности присоединения кристаллов и прочности сварных соединений Государственный научный метрологический цент Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума" (ОАО НИЦПВ) 02.06.2014
Методика испытания изделий в диапазоне температуры от минус 85 ºС до 160 ºС с отклонением температуры от заданного значения ±2 ºС Государственный научный метрологический цент Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума" (ОАО НИЦПВ) 28.05.2012
Методика испытаний технических изделий на стойкость к воздействию влажности Общество с ограниченной ответсвенностью "СОВТЕСТ АТЕ" 22.05.2012
Методика испытания изделий с воспроизведением амплитуды виброперемещения от 0,1 мм до 24,4 мм, виброскорости от 0 м/с до 1,7 м/с, ускорения от 0,1 g до 50 g в диапазоне частот от 5 Гц до 3000 Гц Государственный научный метрологический цент Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума" (ОАО НИЦПВ) 02.07.2014
Методика тестирования аналоговых элементов АПЧ и АПФ
Методика тестирования активных и пассивных фильтров
Методика тестирования буферных усилителей
Методика тестирования АЦП, ЦАП
Методика тестирования аналоговых генераторов в диапазоне частот до 500 МГц
Методика тестирования компараторов
Методика тестирования ОУ
Методика герметизации корпуса
Методика формирования внутренних соединений
Методика посадки кристалла в корпус
Методика обработки корпусов
Методика разделения пластин на кристаллы
Методика контроля свободно перемещающихся частиц внутри корпуса по уровню шума
Методика по неразрушающему рентгеновскому контролю полупроводниковых приборов
Испытания по ГОСТ 20.57.406 Метод 201, 202-1, 203, 204
Испытания по ГОСТ 20.57.406 Метод 106-1
Испытания по ГОСТ 20.57.406 Метод 102, 103, 104-1, 104-5
Методика измерения точностных параметров фотошаблонов
Методика физико-химической обработки фотошаблонов
Методика межоперационной и финишной отмывки фотошаблонов
Методика монтажа пелликлов на фотошаблонах
Методика измерения топологических элементов на фотошаблонах
Методика контроля топологи и поиск дефектов на фотошаблонах
Методика термического окисления кремния
Методика визуализации пустот после операции бондинга
Методика проведения высокоточных измерений напряжений в пленках и подложках на этапах технологического маршрута изготовления структур функциональной электроники
Методика электротермотренировки элементов функциональной электроники
Методика групповой сборки кристаллов и соединения пластин
Методика напыления тонких пленок металлов
Методика плазменного, реактивно-ионного травления и обработки материалов
Методика пиролитических процессов и плазмостимулированного осаждения материалов
Методика фотолитографии и оптического контроля
Методика жидкостного травления кремния
Методика измерения магнитных свойств поверхности изделий микросистемной техники с пространственным разрешением в нанометровом диапазоне
Методика контроля параметров структуры рельефа поверхности на кремниевых пластинах в процессе изготовления изделий нано-микросистемной техники
Методика проведения высокоточных измерений толщин слоев, показателей преломления и состава в многослойных структурах МСТ и ЭКБ
Методика калибровки измерительных специализированных технических средств, предназначенных для измерения электрических, геометрических и оптических параметров изделий МСТ и ЭКБ

Возврат к списку


0 комментариев

Комментарии отсутствуют!

Вы можете оставить свое сообщение первым.

Написать комментарий