Вебинары РИЭПП17 мая запланировано проведение вебинара на тему «Нормативно-правовая база функционирования центров коллективного пользования научным оборудованием (ЦКП) и особенности работы с порталом ckp-rf.ru».

Записаться на вебинар и посмотреть программу других вебинаров.


Центры коллективного пользования

Функциональный контроль и диагностика микро- и наносистемной техники (ЦКП НПК "Технологический центр")

ЦКП создан в 2008 году

Данный ЦКП был поддержан в рамках мероприятия 5.2 ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направления развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы»
Данная базовая организация имеет статус «государственный научный центр (ГНЦ)»
Адрес
  • Центральный, г. Москва
  • 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пр. 4806, д.5
  • 🌎http://www.tcen.ru/rus/ckp/
Руководитель
  • 👤Сницар Валерий Григорьевич
  • 📞(499) 7409011
  • V.Snitsar@tcen.ru
Контактное лицо
  • 👤Сницар Валерий Григорьевич
  • 📞(499) 7409011
  • svg@tcen.ru
Сведения о результативности за 2016 год (данные мониторинга)
Участие в мониторинге Число организаций-пользователей, ед. Число публикаций, ед. Загрузка в интересах внешних организаций-пользователей, %
да1689.67
Базовая организация

Федеральное государственное бюджетное учреждение «Научно-производственный комплекс «Технологический центр» МИЭТ»

Информация о центре коллективного пользования (ЦКП)

Центр коллективного пользования научным и испытательным оборудованием «Функциональный контроль и диагностика микро- и наносистемной техники» является структурным подразделением «НПК «Технологический центр».
ЦКП обеспечивает проведение научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ, исследований и экспериментов на научном, измерительном и испытательном оборудовании ЦКП в интересах НПК «Технологический центр», научных и образовательных учреждений, промышленных предприятий и организаций по техническим заданиям, типовым программам и методикам.
Основные цели и функции ЦКП:
1.   Обеспечение заинтересованным пользователям проведения комплексных исследований, измерений и испытаний изделий микро- и наноэлектроники, микро- и наносистемной техники на современном высокотехнологичном научном, измерительном и испытательном оборудования ЦКП.
2.   Выполнение научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ, а также оказание услуг заинтересованным пользователям в проведении:
- комплексных исследований структур и поверхностей материалов;
- функционального контроля и диагностического неразрушающего контроля параметров изделий микро- и наноэлектроники, микро- и наносистемной техники;
- испытаний на воздействие механических и климатических факторов.
3.   Повышение эффективности использования оборудования путем расширения круга пользователей и развития приборной базы ЦКП.
4.   Участие в подготовке специалистов и кадров высшей квалификации в области микро- и наноэлектроники, микро- и наносистемной техники.
Основные задачи ЦКП:
1. Выполнение исследований по приоритетным направлениям развития науки, технологий и техники в Российской Федерации.
2. Развитие существующих и создание новых направлений диагностики, методов и методик проведения исследований, измерений и испытаний.
3. Проведение комплексных исследований, испытаний и измерений изделий микро- и наноэлектроники, микро- и наносистемной техники.

ЦКП является структурным подразделением подразделений НПК «Технологический центр» и использует в своей деятельности научно-производственный потенциал и научное исследовательское измерительное и испытательное оборудование следующих отделов и лабораторий:
1. Отдел интегральных микросхем (ОИМ), в составе:
НИЛ разработки больших интегральных схем (НИЛ БИС);
НИЛ разработки систем автоматизированного проектирования (НИЛ САПР);
НИЛ проектирования элементной базы и технологических маршрутов (НИЛ ПЭБ и ТМ);
2. Отдел микро системной техники (ОМСТ), в составе:
НИЛ нано- и микромеханических систем (НИЛ НМЭМС);
НИЛ магнитополупроводниковых нано- и микросистем (НИЛ МПНМС);
3. НИЛ микросистем и микроэлектронной аппаратуры (НИЛ ММЭА);
4. НИЛ перспективных процессов (НИЛ ПП);
5. НИЛ интегральных биохимических наносенсоров (НИЛ ИБН);
6. Лаборатория испытаний;
7. Участок измерений БИС.

Направления научных исследований

  • Функциональный контроль, диагностика, комплексный анализ структур и поверхностей компонентов микро- и наносистемной техники, преобразователей физических величин и изделий микро- и наноэлектроники;
  • Инструментальные исследования и диагностика микро и наносистемной техники;
  • Функциональный контроль и испытания микросистем.

124498, г. Москва, г. Зеленоград, пр. 4806, д.5
📷

Оборудование (21)

Наименование Страна Фирма-изготовитель Марка Год
Стенд электротеромтренировки СЭТТ.ИМЭ-2400-040 (Аврора-ТЭХМО) №3
Россия Аврора-ТЭХМО СЭТТ.ИМЭ-2400-040 2010
Ударный стенд с системой управления SM-110
Соединённые Штаты Америки BM SM-110 2014
Стенд электротермотренировки СЭТТ.ИМЭ №2
Россия Аврора-ТЭХМО СЭТТИИМЭ-2400 1990
Стенд электротеромтренировки СЭТТ.ИМЭ-2400-040 (Аврора-ТЭХМО) №5
Россия Аврора-ТЭХМО СЭТТ.ИМЭ-2400-040 2010
Стенд электротеромтренировки СЭТТ.ИМЭ-2400-040 (Аврора-ТЭХМО) №4
Россия Аврора-ТЭХМО СЭТТ.ИМЭ-2400-040 2010
Стенд электротеромтренировки СЭТТ.ИМЭ №1
Россия Аврора-ТЭХМО СЭТТ.ИМЭ-2400-040 1990
Камера тепла и холода Tabai MC-71 №2
Япония Tabai Espec Corporation Tabai MC-71 1995
Измерительный комплекс АИК-ТЕСТ-2 (MIKI) с зондовой установкой ЭМ-6010 №1
Венгрия MIKI АИК-ТЕСТ-2 1991
Спектроскопический эллипсометр
Германия SENTECH Instruments GmbH SENDURO 2013
Камера тепла, холода, влаги
Япония Espec ARS -0390 2014
Вибростенд электродинамический
Великобритания LDS-Dactron V650 2014
Специализированный инфракрасный Фурье-спектрометр
Россия Инфраспек ФСМ1201 2013
Центрифуга WEB Technology модель 9000 (конфигурация 9051)
Соединённые Штаты Америки Web Technology 9051R 2011
Измеритель магнитных характеристик тонкопленочных материалов MESA-200 (SHB)
Соединённые Штаты Америки SHB instruments inc MESA-200 2012
Универсальная проходная камера
- дорогостоящее оборудование
- наиболее востребованное оборудование
Россия НИИ Полупроводникового машиностроения ПКУ-1М ЩЦМ2.7 2010
Зондовый сканирующий микроскоп
- приобретено в рамках государственного контракта
- дорогостоящее оборудование
Соединённые Штаты Америки Bruker Dimension ICON 2012
Анализатор микросистем MSA-500 (Polyteс)
Германия Polyteс MSA-500 2011
Полупроводниковая измерительная система MDC CSM/Win System
- дорогостоящее оборудование
Соединённые Штаты Америки MDC MDC CSM 2005
Камера тепла и холода Tabai MC-71 №1
Япония Tabai Espec Corporation Tabai MC-71 1995
Система измерений динамических параметров микросхем в диапазоне температур
- дорогостоящее оборудование
- наиболее востребованное оборудование
Соединённые Штаты Америки Agillent Technologies HP-82000-D50 1996
Измерительный комплекс АИК-ТЕСТ-2 (MIKI) с зондовой установкой ЭМ-6010 №2
Венгрия MIKI АИК-ТЕСТ-2 1991

Услуги (16)

Для подачи заявки на оказание услуги щелкните по ее наименованию.
Наименование Приоритетное направление
Испытание микросхем на воздействие одиночных ударов
Информационно-телекоммуникационные системы
Контроль параметров полупроводниковых пластин с помощью ИК Фурье-спектрометра
Информационно-телекоммуникационные системы
Измерение характеристик пленок c помощью автоматической эллипсометрической измерительной системы SENDURO
Информационно-телекоммуникационные системы
Испытание микросхем на воздействие повышенной влажности воздуха (длительное и ускоренное).
Информационно-телекоммуникационные системы
Испытание микросхем на вибропрочность
Информационно-телекоммуникационные системы
Испытания микросхем на воздействие линейного ускорения до 30000 g
Информационно-телекоммуникационные системы
Измерение магнитных характеристик тонкопленочных магнитнорезистивных наноструктур и магнитострикионных материалов в составе пластин
Информационно-телекоммуникационные системы
Исследования электрофизических и электрохимических свойств поверхности методами сканирующей зондовой микроскопии
Индустрия наносистем
Измерение линейных размеров микромеханических элементов в МЭМС и НЭМС
Информационно-телекоммуникационные системы
Измерение амплитудно-частотных характеристик микромеханических элементов в МЭМС и НЭМС
Информационно-телекоммуникационные системы
Измерение электрических параметров тестовых элементов микросхем в составе пластины
Информационно-телекоммуникационные системы
Испытание микросхем на воздействие повышенной и пониженной температуры среды (термоциклирование).
Информационно-телекоммуникационные системы
Измерение электрофизических параметров МДП-структур на основе измерения высокочастотных (ВЧ) вольт-фарадных характеристик (ВФХ) с помощью ртутного зонда (Параметры: напряжение плоских зон, ёмкость плоских зон, ёмкость диэлектрика, пороговое напряжение, эффективный заряд в диэлектрике, термополевая стабильность).
Информационно-телекоммуникационные системы
Испытание микросхем на устойчивость к электрическим и климатическим нагрузкам (электротермотренировка).
Информационно-телекоммуникационные системы
Измерение электрических параметров и контроль функционирования полузаказных микросхем при крайних значениях температур (-80 С;+120 С).
Информационно-телекоммуникационные системы
Измерение электрических параметров и контроль функционирования полузаказных микросхем
- наиболее востребованная услуга
Информационно-телекоммуникационные системы

Методики (25)

Наименование методики Наименование организации, аттестовавшей методику Дата аттестации
ГАВЛ.60207.00018 Испытание на воздействие одиночного удара НПК "Технологический центр" 25.06.2015 17:03:00
ГАВЛ.60202.00108 Контроль элементов тестовой полосы на пластине (АИК-ТЕСТ) НПК "Технологический центр" 09.11.2009
ГАВЛ.60202.00042 КЭП и ФК микросхем БМК при крайних значениях температур (НР82000-D50) НПК "Технологический центр" 08.04.2013
ГАВЛ.410109.14ПМ Методика измерений поля магнитной анизотропии тонкопленочных магнитнорезистивных наноструктур ФГУП "ВНИИМС" 30.06.2015
ГАВЛ.410109.13ПМ Методика измерений поверхностного сопротивления тонкопленочных магнитнорезистивных наноструктур ФГУП "ВНИИМС" 30.06.2015
ГАВЛ.410109.12ПМ Методика измерений магнитострикции магнитнорезистивных наноструктур ФГУП "ВНИИМС" 30.06.2015
ГАВЛ.410109.11ПМ Методика измерений магниторезиствного эффекта тонкопленочных наноструктур ФГУП "ВНИИМС" 30.06.2015
ГАВЛ.410109.10ПМ Методика измерений коэрцитивной силы магнитнорезистивных наноструктур ФГУП "ВНИИМС" 30.06.2015
ГАВЛ.60202.00135 Контроль параметров полупроводниковых пластин с помощью ИК Фурье-спектрометра НПК "Технологический центр" 13.10.2014
ГАВЛ.60202.00134 Измерение характеристик пленок c помощью автоматической эллипсометрической измерительной системы SENDURO НПК "Технологический центр" 06.10.2014
ГАВЛ.60207.00012 Испытание микросхем на повышенной влажности воздуха (длительное и ускоренное) НПК "Технологический центр" 30.05.2014
ГАВЛ.60207.00015 Испытание микросхем на вибропрочность НПК "Технологический центр" 07.10.2014
ГАВЛ.60207.00003 Методика испытания микросхем на воздействие линейного ускорения до 30000g НПК "Технологический центр" 14.05.2012
ГАВЛ.4081109.006ПМ Методика исследования электрофизических свойств поверхности средствами сканирующей зондовой микроскопии НПК "Технологический центр" 17.07.2012
ГАВЛ.4081109.005ПМ Методика исследования электрохимических свойств поверхности средствами сканирующей зондовой микроскопии НПК "Технологический центр" 17.07.2012
ГАВЛ.4081109.004ПМ Методика выполнения измерений параметров поверхности средствами сканирующей туннельной микроскопии НПК "Технологический центр" 17.07.2012
ГАВЛ.408109.003ПМ Методика выполнения полуавтоматических измерений параметров топографии поверхности методами атомно-силовой микроскопии НПК "Технологический центр" 17.07.2012
ГАВЛ.60207.00002 Методика испытания микросхем при повышенной температуре (электротермотренировка) для выявления потенциально ненадежных микросхем. НПК "Технологический центр" 03.06.2004
ГАВЛ.60207.00001 Методика испытания микросхем на воздействие повышенной и пониженной температуры среды (термоциклирование) НПК "Технологический центр" 12.12.2011
ГАВЛ.60202.00024 Методика контроля функционирования и измерения электрических статических параметров микросхем в корпусном исполнении при нормальных климатических условиях с использованием установки НР-82000 (США) с программируемой рабочей станцией НР-700i (США) НПК "Технологический центр" 16.06.2009
ГАВЛ.4081109.002 ПМ Методика выполнения измерений амплитудно-частотных характеристик микромеханических элементов в составе тестовых структур МЭМС и НЭМС ОАО "НИЦПВ" 28.12.2012
ГАВЛ.4081109.001 ПМ Методика выполнения измерений линейных размеров топологии поверхности пленочных и объемных микромеханических элементов тестовых структур МЭМС и НЭМС ОАО "НИЦПВ" 28.12.2012
ГАВЛ.60202.00081. Методика контроля электрофизических параметров МДП-структур на основе измерения высокочастотных (ВЧ) вольт-фарадных характеристик (ВФХ) с помощью ртутного зонда (Параметры: напряжение плоских зон, ёмкость плоских зон, ёмкость диэлектрика, пороговое напряжение, эффективный заряд в диэлектрике, термополевая стабильность) НПК "Технологический центр" 17.04.2012
ГАВЛ.60202.00007. Методика контроля электрических параметров тестовых элементов микросхем на измерительном стенде AIK-TEST (Венгрия) НПК "Технологический центр" 10.11.2009
ГАВЛ.60202.00006. Методика контроля электрических статических параметров микросхем в составе кремниевых пластин для определения функционирования на установке НР-82000 (США) с зондовой установкой НПК "Технологический центр" 25.05.2009

Возврат к списку


0 комментариев

Комментарии отсутствуют!

Вы можете оставить свое сообщение первым.

Написать комментарий