Ваш браузер устарел!

Браузер, которым вы пользуетесь для просмотра этого сайта, устарел и не соответствует современным технологическим стандартам Интернета.

Вы можете установить последнюю версию подходящего браузера, воспользовавшись ссылками ниже:


Вернуться к списку ЦКП

Центр коллективного пользования уникальным научным оборудованием в области нанотехнологий

Сокращенное наименование ЦКП: ЦКП МФТИ

Базовая организация: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Московский физико-технический институт (государственный университет)»

Ведомственная принадлежность: Минобрнауки России

Год создания ЦКП: 2007

Сайт ЦКП: http://mipt.ru/about/departments/ckpn/

Заказать услуги ЦКП

Контактная информация:

Местонахождение ЦКП:

  • Федеральный округ: Центральный
  • Регион: Московская область
  • 141700, г. Долгопрудный, Институтский пер., д.9

Руководитель ЦКП:

  • Тодуа Павел Андреевич, доктор физико-математических наук, профессор
  • +7 (495) 4088188
  • negrov.dv@mipt.ru

Контактное лицо:

  • Негров Дмитрий Владимирович
  • +7 (910) 4699648
  • negrov.dv@mipt.ru

Сведения о результативности за 2017 год (данные ежегодного мониторинга)

Участие в мониторинге: даЧисло организаций-пользователей, ед.: 22Число публикаций, ед.: 11Загрузка в интересах внешних организаций-пользователей, %: 60.36

Краткое описание ЦКП:

Целью деятельности центра коллективного пользования уникальным научным оборудованием в области нанотехнологий (ЦКП МФТИ) является: повышение уровня фундаментальных и прикладных исследований физико-химических свойств поверхности твердого тела, нанообъектов, исследования материалов, структур и объектов нанотехнологий; привлечение высококвалифицированного персонала к разработке и максимально широкому применению новых методов исследований при выполнении совместных научных и научно-технических проектов; подготовка высококвалифицированного персонала в ходе стажировок, участия студентов, магистрантов и аспирантов в выполнении фундаментальных и прикладных научных исследований.

Направления научных исследований, проводимых в ЦКП:

  • Измерение геометрических параметров наноструктур и нанообъектов (ПЭМ, РЭМ, АСМ). Возможность измерения параметров диэлектрических образцов (РЭМ) в вакууме до 1 Торр;
  • Определение локального элементного состава с помощью систем энергодисперсионного и волнового рентгеновского микроанализа (EDAX);
  • Исследование спектров катодолюминесценции в диапазоне длин волн от 300 нм до 1000 нм (Gatan);
  • Определение фазовой структуры поликристаллов методом дифракции обратно-рассеянных электронов;
  • Рентгенофазовый и рентгеноструктурный анализ порошков и тонких плёнок (рентгеновская дифракция);
  • Исследование рельефа и физико-химических свойств поверхности нанообъектов и наноструктур с помощью современных методов зондовой микроскопии (АСМ, СТМ);
  • Исследование и модификация электрических (проводимость, емкостная микроскопия) и магнитных свойств объектов методами сканирующей зондовой микроскопии;
  • Определение толщин тонких плёнок;
  • Исследование электрофизических характеристик структур и объектов (в том числе в СВЧ диапазоне);
  • Электронная литография с предельным разрешением до 10 нм;
  • Нанесение тонких пленок металлов и диэлектриков от 1 нм до 1 мкм (магнетронное и электронно-лучевое напыление, атомно-слоевое осаждение).

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):

    Индустрия наносистем

Фотографии ЦКП:

Научное оборудование ЦКП: (номенклатура — 17 ед.)

Вакуумная напылительная установка MagSput-DC-RF (TOR)
Марка:  MagSput-DC-RF
Фирма-изготовитель:  TOR
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2012
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Двухлучевой растровый электронный микроскоп Quanta 200 3D (FEI)
Марка:  Quanta 200 3D
Фирма-изготовитель:  FEI Inc.
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2007
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Зондовая станция для электрофизических применений SUMMIT 11000B-M (Cascade Microtech)
Марка:  SUMMIT 11000B-M
Фирма-изготовитель:  Cascade Microtech, Inc.
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2013
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Принтер для прямой печати пассивных элементов Dimatix Materials Printer DMP-2831 (Fujifilm)
Марка:  Dimatix Materials Printer
Фирма-изготовитель:  Fujifilm
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Просвечивающий электронный микроскоп JEM-2100 (JEOL)
Марка:  JEM-2100
Фирма-изготовитель:  JEOL (Japanese Electron Optics Laboratory, Джеол)
Страна происхождения:  Япония
Год выпуска:  2010
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Растровый электронный микроскоп Qunta 200 (FEI) с системами комбинированного энергодисперсионного и волнового микроанализа, дифракции обратно рассеянных электронов, катодолюминисценции
Марка:  Qunta 200
Фирма-изготовитель:  FEI
Страна происхождения:  Нидерланды
Год выпуска:  2006
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Растровый электронный микроскоп высокого разрешения JSM-7001F (JEOL)
Марка:  JSM-7001F
Фирма-изготовитель:  JEOL (Japanese Electron Optics Laboratory, Джеол)
Страна происхождения:  Япония
Год выпуска:  2009
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Рентгеновский дифрактометр ARL XTRA
Марка:  ARL XTRA
Фирма-изготовитель:  Thermo
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2009
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Система плазмохимического травления с вакуумным шлюзом Trion
Марка:  Trion Technology Minilock system III
Фирма-изготовитель:  Trion Technology
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  нет

Сканирующий зондовый микроскоп Ntegra Prima (NT-MDT)
Марка:  Ntegra Prima
Фирма-изготовитель:  ЗАО НТ-МДТ (ЗАО Нанотехнология МДТ, Инструменты нанотехнологий, Нанотехнология Санкт-Петер
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2006
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Спектрофотометр высокого разрешения HR4000 CJ-UV-NIR (Ocean Optics)
Марка:  HR4000
Фирма-изготовитель:  Ocean Optics, Inc.
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Установка атомно-слоевого осаждения, Picosun (R200 Advanced), (Picosun Oy)
Марка:  Picosun
Фирма-изготовитель:  Picosun Oy
Страна происхождения:  Финляндия
Год выпуска:  2014
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  нет

Установка безмаскового совмещения и экспонирования MLA 100 (Heidelberg Instruments)
Марка:  MLA
Фирма-изготовитель:  Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH
Страна происхождения:  Германия
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  нет

Установка импульсного лазерного осаждения PLD IVO-250-0.3-15 (Серния)
Марка:  PLD
Фирма-изготовитель:  Серния
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  нет

Установка химико-механической полировки ХМП ВТ 370
Марка:  ХМП
Фирма-изготовитель:  Westech Systems Inc.
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2014
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  нет

Установка электронно- лучевой литографии CABL- 9050C (CRESTEC)
Марка:  CABL- 9050C
Фирма-изготовитель:  CRESTEC
Страна происхождения:  Япония
Год выпуска:  2013
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Установка электронно-лучевого осаждения MEB 550 S (Plassys)
Марка:  MEB 550 S
Фирма-изготовитель:  PLASSYS-BESTEK
Страна происхождения:  Франция
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  нет

Услуги ЦКП: (номенклатура — 18 ед.)

Для подачи заявки на оказание услуги щелкните по ее наименованию

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем; Информационно-телекоммуникационные системы

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Рациональное природопользование

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Методики измерений, применяемые в ЦКП: (номенклатура — 16 ед.)

Вольт-амперная характеристика наноматериалов и наноструктур. Методика измерений с помощью сканирующего зондового атомно-силового микроскопа.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ)
Дата аттестации:  29.04.2013

Линейные размеры микро- и нанообъектов. Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа Quanta 200.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ)
Дата аттестации:  12.11.2009

Локальное электрическое сопротивление наноматериалов и наноструктур. Методика выполнения измерений с помощью сканирующего зондового атомно-силового микроскопа для электрофизических измерений.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ)
Дата аттестации:  07.05.2010

Локальный химический анализ оксидных наноразмерных структур. Методика измерений с помощью рентгеновского фотоэлектронного спектрометра.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ)
Дата аттестации:  29.04.2013

Методика измерения контактной жесткости поверхности с помощью широкополосной атомно-силовой акустической микроскопии
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Федеральное государственное унитарное предприятие «Всероссийский научно-исследовательский институт оптико-физических измерений» (ФГУП «ВНИИОФИ»)
Дата аттестации:  28.12.2017
Методика уникальна:  для России

Методика измерений распределения сегнетоэлектрических кристаллитов с помощью широкополосной микроскопии пьезоотклика
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Федеральное государственное унитарное предприятие «Всероссийский научно-исследовательский институт оптико-физических измерений» (ФГУП «ВНИИОФИ»)
Дата аттестации:  28.12.2017
Методика уникальна:  для России

Метрические параметры поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа Ntegra Prima
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ)
Дата аттестации:  01.09.2009

Площадь контактов. Методика измерений с помощью растрового электронного микроскопа в режиме регистрации отраженных электронов.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ)
Дата аттестации:  29.04.2013

Состав эпитаксиальных плёнок AlxGa1-xAs на подложке GaAs. Методика выполнения измерений с помощью порошкового рентгеновского дифрактометра.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ)
Дата аттестации:  07.05.2010

Толщина и межслоевой период тонких плёнок. Методика выполнения измерений с помощью порошкового рентгеновского дифрактометра.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ)
Дата аттестации:  07.05.2009

Толщина МИМ-структур (металл-изолятор-металл). Методика измерения с помощью рентгеновского дифрактометра.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ)
Дата аттестации:  25.12.2015

Толщина тонкой плёнки. Методика измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ)
Дата аттестации:  28.11.2014

Толщина тонкой пленки. Методика измерения с помощью рентгеновского дифрактометра.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ)
Дата аттестации:  25.12.2015

Химический анализ поверхности. Методика выполнения измерений с помощью блока детектирования рентгеновского излучения кремниевого в составе растрового электронного микроскопа.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ)
Дата аттестации:  15.12.2009

Ширина литографической линии. Методика измерений с помощью растрового электронного микроскопа.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ)
Дата аттестации:  28.11.2014

Эффективная шероховатость поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа Ntegra Prima.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ)
Дата аттестации:  12.11.2009

Вернуться к списку ЦКП

 

Для просмотра сайта поверните экран