Современная исследовательская инфраструктура Российской Федерации

Базовая организация

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Московский физико-технический институт (государственный университет)»

Информация о центре коллективного пользования (ЦКП)

Целью деятельности центра коллективного пользования уникальным научным оборудованием в области нанотехнологий (ЦКП МФТИ) является: повышение уровня фундаментальных и прикладных исследований физико-химических свойств поверхности твердого тела, нанообъектов, исследования материалов, структур и объектов нанотехнологий; привлечение высококвалифицированного персонала к разработке и максимально широкому применению новых методов исследований при выполнении совместных научных и научно-технических проектов; подготовка высококвалифицированного персонала в ходе стажировок, участия студентов, магистрантов и аспирантов в выполнении фундаментальных и прикладных научных исследований.

Направления научных исследований

• Измерение геометрических параметров наноструктур и нанообъектов (ПЭМ, РЭМ, АСМ). Возможность измерения параметров диэлектрических образцов (РЭМ) в вакууме до 1 Торр;
• Определение локального элементного состава с помощью систем энергодисперсионного и волнового рентгеновского микроанализа (EDAX);
• Исследование спектров катодолюминесценции в диапазоне длин волн от 300 нм до 1000 нм (Gatan);
• Определение фазовой структуры поликристаллов методом дифракции обратно-рассеянных электронов;
• Рентгенофазовый и рентгеноструктурный анализ порошков и тонких плёнок (рентгеновская дифракция);
• Исследование рельефа и физико-химических свойств поверхности нанообъектов и наноструктур с помощью современных методов зондовой микроскопии (АСМ, СТМ);
• Исследование и модификация электрических (проводимость, емкостная микроскопия) и магнитных свойств объектов методами сканирующей зондовой микроскопии;
• Определение толщин тонких плёнок;
• Исследование электрофизических характеристик структур и объектов (в том числе в СВЧ диапазоне);
• Электронная литография с предельным разрешением до 10 нм;
• Нанесение тонких пленок металлов и диэлектриков от 1 нм до 1 мкм (магнетронное и электронно-лучевое напыление, атомно-слоевое осаждение).