Центры коллективного пользования

Научно-исследовательский центр коллективного пользования «Материаловедение и металлургия» (ЦКП Материаловедение и металлургия)

ЦКП создан в 1998 году

Данный ЦКП был поддержан в рамках мероприятия 5.2 ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направления развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы»
Данный ЦКП был поддержан в рамках мероприятия 3.1.2 ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направления развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы»
Данный университет является победителем конкурсного отбора программ развития университетов, в отношении которых устанавливается категория «национальный исследовательский университет (НИУ)»
Базовая организация данного ЦКП является координатором технологической платформы: Материалы и технологии металлургии
Адрес
  • Центральный, г. Москва
  • 119049, г. Москва, Ленинский пр-т, д.4
  • 🌎http://www.centremisis.ru/
Руководитель
  • 👤Пархоменко Юрий Николаевич
  • 📞(495) 6384546
  • parkh@rambler.ru
Контактное лицо
Сведения о результативности за 2016 год (данные мониторинга)
Участие в мониторинге Число организаций-пользователей, ед. Число публикаций, ед. Загрузка в интересах внешних организаций-пользователей, %
да15952.00
Базовая организация

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»

Информация о центре коллективного пользования (ЦКП)

ЦКП "Материаловедение и металлургия" - центр материаловедческого профиля. В центре проводится изучение состава, структуры и свойств твердых тел. Центр располагает уникальным комплексом аналитического и технологического оборудования и высококвалифицированными специалистами.

Направления научных исследований

  • Электронно-микроскопические и спектроскопические исследования твердых тел;
  • Рентгеноструктурные методы исследования;
  • Локальное ионное травление поверхности образцов и ионностимулированное осаждение металлических и диэлектрических покрытий, приготовление образцов для просвечивающей электронной микроскопии;
  • Испытания на растяжение, сжатие, изгиб, малоцикловую усталость, микротвердость;
  • Изотермические испытания (растяжение/сжатие/кручение), механические испытания при высоких скоростях нагрева/охлаждения и деформационного воздействия, испытания на релаксацию напряжений и длительную прочность, исследование механических свойств в зоне термического цикла сварки, вскрытие трещин, вызванное деформацией/напряжением, моделирование процессов;
  • Исследования поверхности методами сканирующей зондовой микроскопии;
  • Определение тепловых эффектов фазовых переходов, их температуры, а также теплоемкости для широкого спектра конденсированных материалов в температурном интервале от 25 до 1650 С методом дифференциальной сканирующей калориметрии;
  • Определение теплопроводности (температуропроводности) твердых материалов в интервале температур от 25 до 1100 С методом лазерной вспышки;
  • Определение жесткости тонких пленок лазерно-акустическим методом.

119049, г. Москва, Ленинский пр-т, д.4
📷

Оборудование (10)

Наименование Страна Фирма-изготовитель Марка Год
Сканирующий зондовый микроскоп MFP 3D Stand Аlone (Asylum Research)
Соединённые Штаты Америки Asylum Research MFP 3D Stand Аlone 2015
Многоцелевой автоматизированный рентгеновский дифрактометр Bede D1 System (Bede Scientific Instruments)
Великобритания Bede Bede D1 System 2003
Анализатор температуропроводности LFA 457 MicroFlash (Netzsch)
Германия Netzsch (Geratebau GnbH) LFA457 2010
Комплекс оборудования для напыления тонких пленок Sunpla 40TM (установка магнетронного напыления)
Республика Корея Sunpla Limited Sunpla 40TM 2011
Спектрометр сканирующий фотоэлектронный PHI VersaProbe II 5000 (Physical Electronics) с системой анализа поверхности органических, гибридных и биоматериалов в интервале температур.
Соединённые Штаты Америки Physical Electronics PHI VersaProbe II 5000 2015
Дифференциальный сканирующий калориметр DSC 404C Pegasus (Netzsch)
Германия Netzsch (Geratebau GnbH) DSC 404C Pegasus 2010
Растровый электронный микроскоп с приставкой для катодолюминесценции
Япония Jeol JSM 6480 LV 2006
Просвечивающий электронный микроскоп с системой приготовления образцов Gatan (прецизионное ионное утонение)
Япония Jeol JEM-2100А 2006
Растровый электронный микроскоп с холодноэмиссионной полевой электронной пушкой и приставкой для энергодисперсионного микроанализа JED-2300F (Jeol)
Япония Jeol JSM-6700F 2004
Сканирующий ионный микроскоп Strata 201 с микроманипулятором для подготовки мембран для просвечивающего микроскопа
Нидерланды FEI Company Strata 201 2002

Услуги (17)

Для подачи заявки на оказание услуги щелкните по ее наименованию.
Наименование Приоритетное направление
Определение механических свойств материалов. Испытания на растяжения, сжатие, изгиб, малоцикловую усталость, микротвердость.
Индустрия наносистем
Исследование и приготовление образцов методом сканирующей ионной микроскопии.Подготовка образцов для исследования поперечного сечения методом электронной микроскопии высокого разрешения.
Индустрия наносистем
Исследование и приготовление образцов методом сканирующей ионной микроскопии.Приготовление образцов для просвечивающей электронной микроскопии
Индустрия наносистем
Исследование и приготовление образцов методом сканирующей ионной микроскопии.Локальное ионное травление поверхности образцов и ионно-стимулированное осаждение металлических и диэлектрических покрытий
Индустрия наносистем
Электронномикроскопические исследования твердых тел. Исследование межфазных и межзеренных границ.
Индустрия наносистем
Электронномикроскопические исследования твердых тел. Определение толщины пленок и сплошности покрытий.
Индустрия наносистем
Электронномикроскопические исследования твердых тел. Определение размера формы частиц, в том числе наночастиц.
Индустрия наносистем
Электронномикроскопические исследования твердых тел. Изучение элементного, фазового состава и морфологии поверхности.
- наиболее востребованная услуга
Индустрия наносистем
Рентгеноструктурные исследования. Определение структурных параметров наночастиц в токих слоях.
Индустрия наносистем
Рентгеноструктурные исследования. Исследование тонкопленочных (в том числе многослойных) структур.
Индустрия наносистем
Рентгеноструктурные исследования. Анализ текстуры.
Индустрия наносистем
Рентгеноструктурные исследования. Оценка структурного совершенства кристаллов.
Индустрия наносистем
Рентгеноструктурные исследования. Определение количественного фазового анализа.
Индустрия наносистем
Спектральные исследования. Определение химического состояния, валентности, химических связей в приповерхностных слоях твердых тел
Индустрия наносистем
Спектроскопические исследования. Послойный анализ (распределение примесей по глубине) и определение толщины покрытия
Индустрия наносистем
Спектроскопические исследования. Полуколичественный и качественный элементный анализ поверхности твердых тел
Индустрия наносистем
Спектроскопические исследования. Определение фазового состава приповерхностных слоев твердых тел.
- наиболее востребованная услуга
Индустрия наносистем

Методики (18)

Наименование методики Наименование организации, аттестовавшей методику Дата аттестации
Методика определения фазового состава образца в локальных областях по дифракционной картине на просвечивающем электронном микроскопе НИТУ "МИСиС" 16.06.2013
Методика выполнения измерений линейных размеров элементов структуры термоэлектрических материалов на просвечивающем электронном микроскопе НИТУ "МИСиС" 18.03.2013
Методика калибровки рентгеновского фотоэлектронного спектрометра МИСиС 08.04.2012
Методика выполнения измерений линейных размеров элементов структуры наноматериалов и определения фазового состава. МИСиС 10.06.2011
Методика изготовления микроманипуляторов на основе материалов с ЭПФ различных конфигураций. МИСиС 03.12.2009
Методика выполнения измерений методом рентгеновской дифрактометрии. Определение толщины и концентрации Ge в гетероэпитаксиальной системе Si1-xGex/Si. МИСиС 29.09.2010
Методика выполнения измерений методом рентгеновской дифрактометрии. Фазовый анализ порошковых поликристаллических наноматериалов. МИСиС 23.09.2010
Методика выполнения измерений теплопроводности термоэлектрических материалов. МИСиС 15.06.2008
Методика приготовления образцов ZrO2, легированных Y2O3 для исследования методом просвечивающей электронной микроскопии. МИСиС 19.03.2010
Методика выполнения измерения химического состава оксидных наноразмерных структур. МИСиС 14.05.2010
Методика оценки микронеоднородности состава по расщеплению Ka дублета дифракционных линий МИСиС 24.07.2008
Методика контроля однородности состава термоэлектрических материалов по параметру решетки с помощью рентгеновского дифрактометра МИСиС 12.12.2007
Методика анализа структур термоэлектрических материалов по уширению дифракционных линий МИСиС 12.12.2007
Методика определения элементного состава с помощью функции цифрового картирования элементов МИСиС 14.09.2006
Методика приготовления образцов методом скола при низких температурах. МИСиС 14.09.2006
Методика определения линейных размеров объектов методом растровой электронной микроскопии. МИСиС 14.09.2006
Методика определения химического состава катализатора в нанопористых каталитических мембранных материалах методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. МИСиС 14.09.2006
Методика выполнения измерений молярных долей компонентов углерода с SP2 и SP3 -типом гибридизации.Метод количественного разделения SP2 и SP3 связанных атомов углерода в углеродных материалах со смешанным типом связей. МИСиС 09.04.2010

Возврат к списку


0 комментариев

Комментарии отсутствуют!

Вы можете оставить свое сообщение первым.

Написать комментарий