Ваш браузер устарел!

Браузер, которым вы пользуетесь для просмотра этого сайта, устарел и не соответствует современным технологическим стандартам Интернета.

Вы можете установить последнюю версию подходящего браузера, воспользовавшись ссылками ниже:


Вернуться к списку ЦКП

Научно-исследовательский центр коллективного пользования «Материаловедение и металлургия»

Сокращенное наименование ЦКП: ЦКП Материаловедение и металлургия

Базовая организация: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»

Ведомственная принадлежность: Минобрнауки России

Год создания ЦКП: 1998

Сайт ЦКП: http://www.centremisis.ru/

Заказать услуги ЦКП

Контактная информация:

Местонахождение ЦКП:

  • Федеральный округ: Центральный
  • Регион: г. Москва
  • 119049, г. Москва, Ленинский пр-т, д.4

Руководитель ЦКП:

  • Пархоменко Юрий Николаевич, доктор физико-математических наук, профессор
  • +7 (495) 6384546
  • parkh@rambler.ru

Контактное лицо:

  • Воронова Марина Игоревна
  • +7 (495) 6384546
  • mvoron@bk.ru

Сведения о результативности за 2017 год (данные ежегодного мониторинга)

Участие в мониторинге: даЧисло организаций-пользователей, ед.: 16Число публикаций, ед.: 12Загрузка в интересах внешних организаций-пользователей, %: 46.33

Краткое описание ЦКП:

ЦКП "Материаловедение и металлургия" - центр материаловедческого профиля. В центре проводится изучение состава, структуры и свойств твердых тел. Центр располагает уникальным комплексом аналитического и технологического оборудования и высококвалифицированными специалистами.

Направления научных исследований, проводимых в ЦКП:

  • Электронно-микроскопические и спектроскопические исследования твердых тел;
  • Рентгеноструктурные методы исследования;
  • Локальное ионное травление поверхности образцов и ионностимулированное осаждение металлических и диэлектрических покрытий, приготовление образцов для просвечивающей электронной микроскопии;
  • Испытания на растяжение, сжатие, изгиб, малоцикловую усталость, микротвердость;
  • Изотермические испытания (растяжение/сжатие/кручение), механические испытания при высоких скоростях нагрева/охлаждения и деформационного воздействия, испытания на релаксацию напряжений и длительную прочность, исследование механических свойств в зоне термического цикла сварки, вскрытие трещин, вызванное деформацией/напряжением, моделирование процессов;
  • Исследования поверхности методами сканирующей зондовой микроскопии;
  • Определение тепловых эффектов фазовых переходов, их температуры, а также теплоемкости для широкого спектра конденсированных материалов в температурном интервале от 25 до 1650 С методом дифференциальной сканирующей калориметрии;
  • Определение теплопроводности (температуропроводности) твердых материалов в интервале температур от 25 до 1100 С методом лазерной вспышки;
  • Определение жесткости тонких пленок лазерно-акустическим методом.

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):

  • Индустрия наносистем
  • Информационно-телекоммуникационные системы
  • Рациональное природопользование
  • Транспортные и космические системы
  • Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика

Фотографии ЦКП:

Научное оборудование ЦКП (номенклатура — 11 ед.):

Анализатор температуропроводности LFA 457 MicroFlash (Netzsch)
Марка:  LFA457
Фирма-изготовитель:  Netzsch (Geratebau GnbH)
Страна происхождения:  Германия
Год выпуска:  2010
Количество единиц:  1

Дифференциальный сканирующий калориметр DSC 404C Pegasus (Netzsch)
Марка:  DSC 404C Pegasus
Фирма-изготовитель:  Netzsch (Geratebau GnbH)
Страна происхождения:  Германия
Год выпуска:  2010
Количество единиц:  1

Комплекс оборудования для напыления тонких пленок Sunpla 40TM (установка магнетронного напыления)
Марка:  Sunpla 40TM
Фирма-изготовитель:  Sunpla Limited
Страна происхождения:  Республика Корея
Год выпуска:  2011
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Комплекс оборудования ТеТеМ для послеростовой подготовки поверхности (фемтосекундная система; установка плазмохимической обработки)
Марка:  ТеТеМ
Фирма-изготовитель:  ТеТеМ
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2012
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Многоцелевой автоматизированный рентгеновский дифрактометр Bede D1 System (Bede Scientific Instruments)
Марка:  Bede D1 System
Фирма-изготовитель:  Bede
Страна происхождения:  Великобритания
Год выпуска:  2003
Количество единиц:  1

Просвечивающий электронный микроскоп с системой приготовления образцов Gatan (прецизионное ионное утонение)
Марка:  JEM-2100А
Фирма-изготовитель:  Jeol
Страна происхождения:  Япония
Год выпуска:  2006
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Растровый электронный микроскоп с приставкой для катодолюминесценции
Марка:  JSM 6480 LV
Фирма-изготовитель:  Jeol
Страна происхождения:  Япония
Год выпуска:  2006
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Растровый электронный микроскоп с холодноэмиссионной полевой электронной пушкой и приставкой для энергодисперсионного микроанализа JED-2300F (Jeol)
Марка:  JSM-6700F
Фирма-изготовитель:  Jeol
Страна происхождения:  Япония
Год выпуска:  2004
Количество единиц:  1

Сканирующий зондовый микроскоп MFP 3D Stand Аlone (Asylum Research)
Марка:  MFP 3D Stand Аlone
Фирма-изготовитель:  Asylum Research
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Сканирующий ионный микроскоп Strata 201 с микроманипулятором для подготовки мембран для просвечивающего микроскопа
Марка:  Strata 201
Фирма-изготовитель:  FEI Company
Страна происхождения:  Нидерланды
Год выпуска:  2002
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Спектрометр сканирующий фотоэлектронный PHI VersaProbe II 5000 (Physical Electronics) с системой анализа поверхности органических, гибридных и биоматериалов в интервале температур.
Марка:  PHI VersaProbe II 5000
Фирма-изготовитель:  Physical Electronics
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Услуги ЦКП (номенклатура — 18 ед.):

Для подачи заявки на оказание услуги щелкните по ее наименованию

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем
Краткое описание услуги:  Напыление металлических, диэлектрических и полупроводниковых материалов как простых веществ, так и сложных соединений

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Краткое описание услуги:  Определение теплопроводности и температуропроводности твердых материалов методом лазерной вспышки.

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем
Краткое описание услуги:  Определение фазового состава приповерхностных слоев твердых тел

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Методики измерений, применяемые в ЦКП (номенклатура — 19 ед.):

Методика анализа структур термоэлектрических материалов по уширению дифракционных линий
Наименование организации, аттестовавшей методику :  МИСиС
Дата аттестации:  12.12.2007

Методика выполнения измерений линейных размеров элементов структуры наноматериалов и определения фазового состава.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  МИСиС
Дата аттестации:  10.06.2011

Методика выполнения измерений методом рентгеновской дифрактометрии. Определение толщины и концентрации Ge в гетероэпитаксиальной системе Si1-xGex/Si.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  МИСиС
Дата аттестации:  29.09.2010

Методика выполнения измерений методом рентгеновской дифрактометрии. Фазовый анализ порошковых поликристаллических наноматериалов.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  МИСиС
Дата аттестации:  23.09.2010

Методика выполнения измерений молярных долей компонентов углерода с SP2 и SP3 -типом гибридизации.Метод количественного разделения SP2 и SP3 связанных атомов углерода в углеродных материалах со смешанным типом связей.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  МИСиС
Дата аттестации:  09.04.2010
Методика уникальна:  нет

Методика выполнения измерений теплопроводности термоэлектрических материалов.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  МИСиС
Дата аттестации:  15.06.2008

Методика выполнения измерения химического состава оксидных наноразмерных структур.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  МИСиС
Дата аттестации:  14.05.2010

Методика изготовления микроманипуляторов на основе материалов с ЭПФ различных конфигураций.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  МИСиС
Дата аттестации:  03.12.2009

Методика калибровки рентгеновского фотоэлектронного спектрометра
Наименование организации, аттестовавшей методику :  МИСиС
Дата аттестации:  08.04.2012

Методика контроля анизотропии свойств с помощью анализа текстуры
Наименование организации, аттестовавшей методику :  МИСиС
Дата аттестации:  12.12.2007
Методика уникальна:  нет

Методика контроля однородности состава термоэлектрических материалов по параметру решетки с помощью рентгеновского дифрактометра
Наименование организации, аттестовавшей методику :  МИСиС
Дата аттестации:  12.12.2007

Методика определения линейных размеров объектов методом растровой электронной микроскопии.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  МИСиС
Дата аттестации:  14.09.2006

Методика определения химического состава катализатора в нанопористых каталитических мембранных материалах методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  МИСиС
Дата аттестации:  14.09.2006

Методика определения элементного состава с помощью функции цифрового картирования элементов
Наименование организации, аттестовавшей методику :  МИСиС
Дата аттестации:  14.09.2006

Методика оценки микронеоднородности состава по расщеплению Ka дублета дифракционных линий
Наименование организации, аттестовавшей методику :  МИСиС
Дата аттестации:  24.07.2008

Методика приготовления образцов ZrO2, легированных Y2O3 для исследования методом просвечивающей электронной микроскопии.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  МИСиС
Дата аттестации:  19.03.2010

Методика приготовления образцов методом скола при низких температурах.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  МИСиС
Дата аттестации:  14.09.2006

Методика определения фазового состава образца в локальных областях по дифракционной картине на просвечивающем электронном микроскопе
Наименование организации, аттестовавшей методику :  НИТУ "МИСиС"
Дата аттестации:  16.06.2013
Методика уникальна:  нет

Методика выполнения измерений линейных размеров элементов структуры термоэлектрических материалов на просвечивающем электронном микроскопе
Наименование организации, аттестовавшей методику :  НИТУ "МИСиС"
Дата аттестации:  18.03.2013

Вернуться к списку ЦКП

 

Для просмотра сайта поверните экран