Центры коллективного пользования

Центр коллективного пользования «Материаловедение и диагностика в передовых технологиях» (ЦКП МДТ)

ЦКП создан в 2003 году

Данный ЦКП был поддержан в рамках мероприятия 5.2 ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направления развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы»
Данный ЦКП был поддержан в рамках мероприятия 3.1.2 ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направления развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы»
Федеральный ЦКП
Адрес
  • Северо-Западный, г. Санкт-Петербург
  • 194021, г. Санкт-Петербург, ул. Политехническая, д.26
  • 🌎http://ckp.rinno.ru
Руководитель
Контактное лицо
Сведения о результативности за 2016 год (данные мониторинга)
Участие в мониторинге Число организаций-пользователей, ед. Число публикаций, ед. Загрузка в интересах внешних организаций-пользователей, %
да271945.47
Базовая организация

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

Информация о центре коллективного пользования (ЦКП)

Центр коллективного пользования Федерального государственного бюджетного учреждения науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук «Материаловедение и диагностика в передовых технологиях», образован путем объединения части аппаратурного комплекса ЦКП ФТИ им. А.Ф. Иоффе организованного в 1994г, и части аппаратурного комплекса уникальной научной установки Глобус-М. ЦКП организован специально для решения приоритетной научной задачи (ПНЗ) «Исследования и разработка физических принципов и технических решений эффективной и безопасной гибридной ядерной энергетики».

В конце 2014 года ЦКП вошел в число победителей конкурса по мероприятию 3.1.2 «Поддержка и развитие центров коллективного пользования (ЦКП) научным оборудованием» Федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы» и получил финансовую поддержку государства в лице Минобрнауки России (соглашение № 14.621.21.0007 от 04 декабря 2014 г., уникальный идентификатор работ (проекта) RFMEFI62114X0007).

Исследования и разработки проводимые на аппаратуре ЦКП для поддержки ПНЗ «Исследования и разработка физических принципов и технических решений эффективной и безопасной гибридной ядерной энергетики» дадут возможность кардинально улучшить безопасность и эффективность ядерной энергетики за счет ускоренного внедрение в нее термоядерных технологий. Это достигается путем создания гибридных реакторов синтез-деление, ядерная оболочка которых (бланкет - размножитель нейтронов) работает в подкритическом режиме. В настоящее время уровень развития термоядерных технологий позволяет осуществить переход к этапу демонстрации инженерно-технологических возможностей. ПНЗ «Исследования и разработка физических принципов и технических решений эффективной и безопасной гибридной ядерной энергетики», решение которой начато в рамках ЦКП ФТИ «Материаловедение и диагностика в передовых технологиях»,призвана заложить основы успешного решения проблемы разработки гибридных реакторов синтез-деление.

На оборудовании ЦКП могут реализовываться следующие задачи, направленные на решение ПНЗ:

1. Исследование и разработка эффективных схем непрерывного поддержания тока в компактном токамаке - прототипе генератора нейтронов:

расчетные и экспериментальные методы отработки технологий поддержания высокочастотного тока увлечения в компактном токамаке с высокой эффективностью;
расчеты и экспериментальная оптимизация режимов самогенерации тока плазмы за счет градиентов давления;
оптимизация тока увлечения высокоэнергичными пучками частиц, инжектируемыми в плазму.
2. Разработка методов нагрева плазмы токамака до субтермоядерных температур, обеспечивающих условия для эффективной генерации нейтронов в реакции синтеза пучок-плазма:

обеспечение равновесия и устойчивости плазмы с высокой анизотропией давления;
улучшение удержания плазмы за счёт подавления аномального переноса и формирования транспортных барьеров;
технологии нагрева плазмы, совместимые с технологиями непрерывного поддержания тока;
диагностика высокотемпературной плазмы.
3. Разработка технологии вывода продуктов термоядерного горения через специально разработанные интерфейсы диверторного типа:

численное и экспериментальное моделирование режимов ядерного синтеза с минимальной плотностью мощности переносимой на приемные диверторные пластины;
технические решения диверторного узла, исследования  и выбор материалов первой стенки компактного токамака, обеспечивающих стационарный режим работы, стойких к облучению плазмой, нейтронами и обладающих достаточной прозрачностью для потока нейтронов и минимальной наведенной активностью;
on-line и post-mortem диагностика облученных потоками плазмы и энергичных частиц материалов первой стенки;
исследование поведения кандидатных материалов под воздействием сверхмощных плазменных потоков на экспериментальном стенде.
Комплексное и междисциплинарное решение задач ПНЗ обеспечивается уникальным сочетанием оборудования ЦКП для создания высокотемпературной (термоядерной)  плазмы (сферический токамак Глобус-М) и аппаратуры для диагностики материалов, использующую комплекс прецизионного аналитического оборудования, позволяющего получить с высокой точностью, чувствительностью и пространственным разрешением структурную информацию вплоть до атомного масштаба.

Направления научных исследований

  • Физика плазмы;
  • Физические явления в полупроводниковых наногетероструктурах;
  • Физико-химические процессы формирования твердотельных наносистем;
  • Физика фазовых переходов, транспортные и структурные свойства конденсированных низкоразмерных и наноструктурированных систем, включая биологические и неупорядоченные среды;
  • Явления самоорганизации и нестационарные неравновесные процессы в различных средах;
  • Технологии энергосбережения и ресурсосбережения;
  • Технологии управляемого термоядерного синтеза;
  • Технологии альтернативной энергетики (солнечная, водородная, термоэлектричество);
  • Технологии микро- и оптоэлектроники;
  • Нанотехнологии для биологии и медицины;
  • Новые физические методики диагностики наноматериалов;
  • Технология новых многофункциональных материалов, в том числе кристаллических;
  • Технологии наносистем, наномеханика;
  • Технологии широкозонных полупроводниковых материалов для полупроводниковой электроники и преобразовательной техники;
  • Приборы и устройства микро-, нано- и оптоэлектроники;
  • Устройства и системы альтернативной энергетики;
  • Нанокомпозитные материалы и устройства на их основе;
  • Датчики, сенсоры и детекторы различного назначения.

Уникальные научные установки (УНУ) в составе оборудования ЦКП

Сферический токамак Глобус-М

194021, г. Санкт-Петербург, ул. Политехническая, д.26

Оборудование (12)

Наименование Страна Фирма-изготовитель Марка Год
Микроскоп стереоскопический с системой цифровой регистрации Eclipse L150
Япония Nikon Eclipse L150 2009
Установка для электронной литографии на базе растрового электронного микроскопа JSM-7001F
Япония JEOL (Japanese Electron Optics Laboratory, Джеол) JSM-7001F 2016
Специализированный высоковакуумный стенд STE IBS (НиТО)
Россия ЗАО «Научное и технологическое оборудование» STE IBS 2015
Порошковый рентгеновский дифрактометр Bruker D2 Phaser
Германия Bruker ASX D2 Phaser 2015
Микроскоп стереоскопический с системой цифровой регистрации SMZ 745T (Nikon)
Япония Nikon SMZ 745T 2013
Система ионного утонения образцов Nanomill 1050 (Fischione Instruments)
Соединённые Штаты Америки Fischione Instruments Nanomill 1050 2013
Сферический токамак Глобус-М
Россия ФТИ им. А.Ф. Иоффе Глобус-М 2016
Универсальный вторично-ионный микроанализатор Ion Microanalyzer IMS-7F в расширенной комплектации с комплектом дополнительного специального научного и инженерного оборудования обеспечивающего его работоспособность и с комплектом ЗиП (Cameca)
Франция Cameca IMS-7F 2011
Высокоразрешающий рентгеновский дифрактометр с вращающимся анодом D8 Discover
Bruker ASX D8 Discover 2006
Установка для исследования температурной зависимости электрофизических и оптических параметров твердотельных наногетероструктур
Россия Разработка и изготовление ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН НСГУ-СПП 2016
Комплекс для локального анализа поверхности с помощью сканирующей зондовой микроскопии  в условиях контролируемой инертной атмосферы
Россия ФТИ им. А.Ф. Иоффе Veeco Dimension 3100 - Bruker 2016
Комплекс для локального анализа структуры, атомного состава и связей с помощью просвечивающей электронной микроскопии на базе JEM-2100F
Япония JEOL JEM 2100F 2016

Услуги (10)

Для подачи заявки на оказание услуги щелкните по ее наименованию.
Наименование Приоритетное направление
Комплекс методик диагностики высокотемпературной плазмы
Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Оптические исследования
Индустрия наносистем
Рентгеновский микроанализ
Индустрия наносистем
Вторично-ионная сканирующая масс-спектрометрия
Индустрия наносистем
Оже-электронная и рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия
Индустрия наносистем
Электрофизические исследования
Индустрия наносистем
Зондовая микроскопия
Индустрия наносистем
Высокоразрешающая аналитическая растровая электронная микроскопия
Индустрия наносистем
Высокоразрешающая аналитическая просвечивающая электронная микроскопия, с пробоподготовкой
Индустрия наносистем
Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия
- наиболее востребованная услуга
Индустрия наносистем

Методики (9)

Наименование методики Наименование организации, аттестовавшей методику Дата аттестации
Методика измерений среднего арифметического отклонения профиля и наибольшей высоты неровностей профиля поверхности контактного слоя ZnO на стеклянной Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ) 21.10.2012 23:00:00
Методика измерений толщины слоев и межплоскостных расстояний в гетероструктурах InGaAs–Ge методом просвечивающей электронной микроскопии. Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ) 21.10.2012 23:00:00
Методика измерений размеров области когерентного рассеяния рентгеновского излучения в тонких пленках нанокристаллического гидрогенизированного Si и Si-Ge методом рентгеновской дифрактометрии скользящего падения. Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ) 21.10.2012 23:00:00
Методика измерения толщины слоев полупроводниковых многослойных наногетероструктур на основе соединений III-V на германиевой подложке методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ) 21.10.2012 23:00:00
Методика измерений состава и толщины слоев арсенида алюминия и арсенида галлия в многослойных наногетероструктурах на основе твердых растворов AlAs-GaAs методом рентгеновской рефлектометрии Федеральное государственное унитарное предприятие Уральской научно - исследовательский институт метрологии (ФГУП УНИИМ) 16.10.2011 23:00:00
Методика выполнения измерений определение методом динамической вторично-ионной масс-спектрометрии распределения по глубине монокристаллического кремния содержания бора Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ) 29.07.2010 23:00:00
Методика выполнения измерений метрических параметров топографии поверхности полупроводниковых многослойных наногетероструктур с помощью атомно-силового микроскопа Dimension 3100 Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ) 09.12.2009 23:00:00
Методика выполнения измерений определение методом динамической вторично-ионной масс-спектрометрии распределения по глубине слоя нитрида галлия содержания магния в структурах полупроводниковых светоизлучающих диодов на основе нитридов III группы Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ) 06.12.2009 23:00:00
Методика выполнения измерений определение методом динамической вторично-ионной масс-спектрометрии распределения по глубине слоя нитрида галлия содержания кремния в структурах полупроводниковых светоизлучающих диодов на основе нитридов III группы Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ) 06.12.2009 23:00:00

Возврат к списку


0 комментариев

Комментарии отсутствуют!

Вы можете оставить свое сообщение первым.

Написать комментарий