Ваш браузер устарел!

Браузер, которым вы пользуетесь для просмотра этого сайта, устарел и не соответствует современным технологическим стандартам Интернета.

Вы можете установить последнюю версию подходящего браузера, воспользовавшись ссылками ниже:


Вернуться к списку ЦКП

Центр коллективного пользования «Материаловедение и диагностика в передовых технологиях»

Сокращенное наименование ЦКП: ЦКП МДТ

Базовая организация: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

Ведомственная принадлежность: ФАНО России

Год создания ЦКП: 2003

Сайт ЦКП: http://ckp.rinno.ru

УНУ в составе оборудования ЦКП:

Заказать услуги ЦКП

Контактная информация:

Местонахождение ЦКП:

  • Федеральный округ: Северо-Западный
  • Регион: г. Санкт-Петербург
  • 194021, г. Санкт-Петербург, ул. Политехническая, д.26

Руководитель ЦКП:

  • Конников Самуил Гиршевич, доктор физико-математических наук, профессор, член-корреспондент РАН
  • +7 (812) 2927968
  • konnikov@mail.ioffe.ru

Контактное лицо:

Сведения о результативности за 2017 год (данные ежегодного мониторинга)

Участие в мониторинге: даЧисло организаций-пользователей, ед.: 26Число публикаций, ед.: 21Загрузка в интересах внешних организаций-пользователей, %: 55.54

Краткое описание ЦКП:

Центр коллективного пользования Федерального государственного бюджетного учреждения науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук «Материаловедение и диагностика в передовых технологиях», образован путем объединения части аппаратурного комплекса ЦКП ФТИ им. А.Ф. Иоффе организованного в 1994г, и части аппаратурного комплекса уникальной научной установки Глобус-М. ЦКП организован специально для решения приоритетной научной задачи (ПНЗ) «Исследования и разработка физических принципов и технических решений эффективной и безопасной гибридной ядерной энергетики».

В конце 2014 года ЦКП вошел в число победителей конкурса по мероприятию 3.1.2 «Поддержка и развитие центров коллективного пользования (ЦКП) научным оборудованием» Федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы» и получил финансовую поддержку государства в лице Минобрнауки России (соглашение № 14.621.21.0007 от 04 декабря 2014 г., уникальный идентификатор работ (проекта) RFMEFI62114X0007).

Исследования и разработки проводимые на аппаратуре ЦКП для поддержки ПНЗ «Исследования и разработка физических принципов и технических решений эффективной и безопасной гибридной ядерной энергетики» дадут возможность кардинально улучшить безопасность и эффективность ядерной энергетики за счет ускоренного внедрение в нее термоядерных технологий. Это достигается путем создания гибридных реакторов синтез-деление, ядерная оболочка которых (бланкет - размножитель нейтронов) работает в подкритическом режиме. В настоящее время уровень развития термоядерных технологий позволяет осуществить переход к этапу демонстрации инженерно-технологических возможностей. ПНЗ «Исследования и разработка физических принципов и технических решений эффективной и безопасной гибридной ядерной энергетики», решение которой начато в рамках ЦКП ФТИ «Материаловедение и диагностика в передовых технологиях»,призвана заложить основы успешного решения проблемы разработки гибридных реакторов синтез-деление.

На оборудовании ЦКП могут реализовываться следующие задачи, направленные на решение ПНЗ:

1. Исследование и разработка эффективных схем непрерывного поддержания тока в компактном токамаке - прототипе генератора нейтронов:

расчетные и экспериментальные методы отработки технологий поддержания высокочастотного тока увлечения в компактном токамаке с высокой эффективностью;
расчеты и экспериментальная оптимизация режимов самогенерации тока плазмы за счет градиентов давления;
оптимизация тока увлечения высокоэнергичными пучками частиц, инжектируемыми в плазму.
2. Разработка методов нагрева плазмы токамака до субтермоядерных температур, обеспечивающих условия для эффективной генерации нейтронов в реакции синтеза пучок-плазма:

обеспечение равновесия и устойчивости плазмы с высокой анизотропией давления;
улучшение удержания плазмы за счёт подавления аномального переноса и формирования транспортных барьеров;
технологии нагрева плазмы, совместимые с технологиями непрерывного поддержания тока;
диагностика высокотемпературной плазмы.
3. Разработка технологии вывода продуктов термоядерного горения через специально разработанные интерфейсы диверторного типа:

численное и экспериментальное моделирование режимов ядерного синтеза с минимальной плотностью мощности переносимой на приемные диверторные пластины;
технические решения диверторного узла, исследования  и выбор материалов первой стенки компактного токамака, обеспечивающих стационарный режим работы, стойких к облучению плазмой, нейтронами и обладающих достаточной прозрачностью для потока нейтронов и минимальной наведенной активностью;
on-line и post-mortem диагностика облученных потоками плазмы и энергичных частиц материалов первой стенки;
исследование поведения кандидатных материалов под воздействием сверхмощных плазменных потоков на экспериментальном стенде.
Комплексное и междисциплинарное решение задач ПНЗ обеспечивается уникальным сочетанием оборудования ЦКП для создания высокотемпературной (термоядерной)  плазмы (сферический токамак Глобус-М) и аппаратуры для диагностики материалов, использующую комплекс прецизионного аналитического оборудования, позволяющего получить с высокой точностью, чувствительностью и пространственным разрешением структурную информацию вплоть до атомного масштаба.

Направления научных исследований, проводимых в ЦКП:

  • Физика плазмы;
  • Физические явления в полупроводниковых наногетероструктурах;
  • Физико-химические процессы формирования твердотельных наносистем;
  • Физика фазовых переходов, транспортные и структурные свойства конденсированных низкоразмерных и наноструктурированных систем, включая биологические и неупорядоченные среды;
  • Явления самоорганизации и нестационарные неравновесные процессы в различных средах;
  • Технологии энергосбережения и ресурсосбережения;
  • Технологии управляемого термоядерного синтеза;
  • Технологии альтернативной энергетики (солнечная, водородная, термоэлектричество);
  • Технологии микро- и оптоэлектроники;
  • Нанотехнологии для биологии и медицины;
  • Новые физические методики диагностики наноматериалов;
  • Технология новых многофункциональных материалов, в том числе кристаллических;
  • Технологии наносистем, наномеханика;
  • Технологии широкозонных полупроводниковых материалов для полупроводниковой электроники и преобразовательной техники;
  • Приборы и устройства микро-, нано- и оптоэлектроники;
  • Устройства и системы альтернативной энергетики;
  • Нанокомпозитные материалы и устройства на их основе;
  • Датчики, сенсоры и детекторы различного назначения.

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):

  • Индустрия наносистем
  • Информационно-телекоммуникационные системы
  • Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика

Научное оборудование ЦКП: (номенклатура — 15 ед.)

Высокоразрешающий рентгеновский дифрактометр с вращающимся анодом D8 Discover
Марка:  D8 Discover
Фирма-изготовитель:  Bruker ASX
Страна происхождения:  Германия; Россия
Год выпуска:  2006
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Комплекс для локального анализа поверхности с помощью сканирующей зондовой микроскопии  в условиях контролируемой инертной атмосферы
Марка:  Veeco Dimension 3100 - Bruker
Фирма-изготовитель:  ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2016
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Комплекс для локального анализа структуры, атомного состава и связей с помощью просвечивающей электронной микроскопии на базе JEM-2100F
Марка:  JEM 2100F
Фирма-изготовитель:  JEOL
Страна происхождения:  Япония
Год выпуска:  2016
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Комплектное распределительное устройство РУ-10 кВ
Марка:  КРУ РУ-10 D-12P
Фирма-изготовитель:  ЭТЗ Вектор
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2017
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  нет

Микроскоп стереоскопический с системой цифровой регистрации Eclipse L150
Марка:  Eclipse L150
Фирма-изготовитель:  Nikon
Страна происхождения:  Япония
Год выпуска:  2009
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  нет

Микроскоп стереоскопический с системой цифровой регистрации SMZ 745T (Nikon)
Марка:  SMZ 745T
Фирма-изготовитель:  Nikon
Страна происхождения:  Япония
Год выпуска:  2013
Количество единиц:  1

Порошковый рентгеновский дифрактометр Bruker D2 Phaser
Марка:  D2 Phaser
Фирма-изготовитель:  Bruker ASX
Страна происхождения:  Германия
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1

Система ионного утонения образцов Nanomill 1050 (Fischione Instruments)
Марка:  Nanomill 1050
Фирма-изготовитель:  Fischione Instruments
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2013
Количество единиц:  1

Система охлаждения инжектора атомов
Фирма-изготовитель:  ЭЙРКУЛ
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2017
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  нет

Специализированный высоковакуумный стенд STE IBS (НиТО)
Марка:  STE IBS
Фирма-изготовитель:  ЗАО «Научное и технологическое оборудование»
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1

Сферический токамак Глобус-М
Марка:  Глобус-М
Фирма-изготовитель:  ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2016
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  нет

Универсальный вторично-ионный микроанализатор Ion Microanalyzer IMS-7F в расширенной комплектации с комплектом дополнительного специального научного и инженерного оборудования обеспечивающего его работоспособность и с комплектом ЗиП (Cameca)
Марка:  IMS-7F
Фирма-изготовитель:  Cameca
Страна происхождения:  Франция
Год выпуска:  2011
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Установка для исследования температурной зависимости электрофизических и оптических параметров твердотельных наногетероструктур
Марка:  НСГУ-СПП
Фирма-изготовитель:  Разработка и изготовление ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2016
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  нет

Установка для электронной литографии на базе растрового электронного микроскопа JSM-7001F
Марка:  JSM-7001F
Фирма-изготовитель:  JEOL (Japanese Electron Optics Laboratory, Джеол)
Страна происхождения:  Япония
Год выпуска:  2016
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Устройство ионной резки с азотным охлаждением
Марка:  IB-09060CIS Cryo Ion Slicer™
Фирма-изготовитель:  JEOL (Japanese Electron Optics Laboratory, Джеол)
Страна происхождения:  Япония
Год выпуска:  2017
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  нет

Услуги ЦКП: (номенклатура — 10 ед.)

Для подачи заявки на оказание услуги щелкните по ее наименованию

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем; Рациональное природопользование; Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Методики измерений, применяемые в ЦКП: (номенклатура — 9 ед.)

Методика выполнения измерений метрических параметров топографии поверхности полупроводниковых многослойных наногетероструктур с помощью атомно-силового микроскопа Dimension 3100
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ)
Дата аттестации:  09.12.2009

Методика выполнения измерений определение методом динамической вторично-ионной масс-спектрометрии распределения по глубине монокристаллического кремния содержания бора
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ)
Дата аттестации:  29.07.2010

Методика выполнения измерений определение методом динамической вторично-ионной масс-спектрометрии распределения по глубине слоя нитрида галлия содержания кремния в структурах полупроводниковых светоизлучающих диодов на основе нитридов III группы
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ)
Дата аттестации:  06.12.2009

Методика выполнения измерений определение методом динамической вторично-ионной масс-спектрометрии распределения по глубине слоя нитрида галлия содержания магния в структурах полупроводниковых светоизлучающих диодов на основе нитридов III группы
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ)
Дата аттестации:  06.12.2009

Методика измерений размеров области когерентного рассеяния рентгеновского излучения в тонких пленках нанокристаллического гидрогенизированного Si и Si-Ge методом рентгеновской дифрактометрии скользящего падения.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ)
Дата аттестации:  21.10.2012

Методика измерений состава и толщины слоев арсенида алюминия и арсенида галлия в многослойных наногетероструктурах на основе твердых растворов AlAs-GaAs методом рентгеновской рефлектометрии
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Федеральное государственное унитарное предприятие Уральской научно - исследовательский институт метрологии (ФГУП УНИИМ)
Дата аттестации:  16.10.2011

Методика измерений среднего арифметического отклонения профиля и наибольшей высоты неровностей профиля поверхности контактного слоя ZnO на стеклянной
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ)
Дата аттестации:  21.10.2012

Методика измерений толщины слоев и межплоскостных расстояний в гетероструктурах InGaAs–Ge методом просвечивающей электронной микроскопии.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ)
Дата аттестации:  21.10.2012

Методика измерения толщины слоев полупроводниковых многослойных наногетероструктур на основе соединений III-V на германиевой подложке методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ)
Дата аттестации:  21.10.2012

Вернуться к списку ЦКП

 

Для просмотра сайта поверните экран