Центр коллективного пользования «Материаловедение и диагностика в передовых технологиях»
Сокращенное наименование ЦКП: ЦКП МДТ
Базовая организация: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Ведомственная принадлежность: ФАНО России
Год создания ЦКП: 2003
Сайт ЦКП: http://ckp.rinno.ru
УНУ в составе оборудования ЦКП:
Контактная информация:
Местонахождение ЦКП:
|
Руководитель ЦКП:
|
Контактное лицо:
|
Сведения о результативности за 2017 год (данные ежегодного мониторинга)
|
Краткое описание ЦКП:
|
Центр коллективного пользования Федерального государственного бюджетного учреждения науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук «Материаловедение и диагностика в передовых технологиях», образован путем объединения части аппаратурного комплекса ЦКП ФТИ им. А.Ф. Иоффе организованного в 1994г, и части аппаратурного комплекса уникальной научной установки Глобус-М. ЦКП организован специально для решения приоритетной научной задачи (ПНЗ) «Исследования и разработка физических принципов и технических решений эффективной и безопасной гибридной ядерной энергетики». В конце 2014 года ЦКП вошел в число победителей конкурса по мероприятию 3.1.2 «Поддержка и развитие центров коллективного пользования (ЦКП) научным оборудованием» Федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы» и получил финансовую поддержку государства в лице Минобрнауки России (соглашение № 14.621.21.0007 от 04 декабря 2014 г., уникальный идентификатор работ (проекта) RFMEFI62114X0007). Исследования и разработки проводимые на аппаратуре ЦКП для поддержки ПНЗ «Исследования и разработка физических принципов и технических решений эффективной и безопасной гибридной ядерной энергетики» дадут возможность кардинально улучшить безопасность и эффективность ядерной энергетики за счет ускоренного внедрение в нее термоядерных технологий. Это достигается путем создания гибридных реакторов синтез-деление, ядерная оболочка которых (бланкет - размножитель нейтронов) работает в подкритическом режиме. В настоящее время уровень развития термоядерных технологий позволяет осуществить переход к этапу демонстрации инженерно-технологических возможностей. ПНЗ «Исследования и разработка физических принципов и технических решений эффективной и безопасной гибридной ядерной энергетики», решение которой начато в рамках ЦКП ФТИ «Материаловедение и диагностика в передовых технологиях»,призвана заложить основы успешного решения проблемы разработки гибридных реакторов синтез-деление. На оборудовании ЦКП могут реализовываться следующие задачи, направленные на решение ПНЗ: 1. Исследование и разработка эффективных схем непрерывного поддержания тока в компактном токамаке - прототипе генератора нейтронов: расчетные и экспериментальные методы отработки технологий поддержания высокочастотного тока увлечения в компактном токамаке с высокой эффективностью; расчеты и экспериментальная оптимизация режимов самогенерации тока плазмы за счет градиентов давления; оптимизация тока увлечения высокоэнергичными пучками частиц, инжектируемыми в плазму. 2. Разработка методов нагрева плазмы токамака до субтермоядерных температур, обеспечивающих условия для эффективной генерации нейтронов в реакции синтеза пучок-плазма: обеспечение равновесия и устойчивости плазмы с высокой анизотропией давления; улучшение удержания плазмы за счёт подавления аномального переноса и формирования транспортных барьеров; технологии нагрева плазмы, совместимые с технологиями непрерывного поддержания тока; диагностика высокотемпературной плазмы. 3. Разработка технологии вывода продуктов термоядерного горения через специально разработанные интерфейсы диверторного типа: численное и экспериментальное моделирование режимов ядерного синтеза с минимальной плотностью мощности переносимой на приемные диверторные пластины; технические решения диверторного узла, исследования и выбор материалов первой стенки компактного токамака, обеспечивающих стационарный режим работы, стойких к облучению плазмой, нейтронами и обладающих достаточной прозрачностью для потока нейтронов и минимальной наведенной активностью; on-line и post-mortem диагностика облученных потоками плазмы и энергичных частиц материалов первой стенки; исследование поведения кандидатных материалов под воздействием сверхмощных плазменных потоков на экспериментальном стенде. Комплексное и междисциплинарное решение задач ПНЗ обеспечивается уникальным сочетанием оборудования ЦКП для создания высокотемпературной (термоядерной) плазмы (сферический токамак Глобус-М) и аппаратуры для диагностики материалов, использующую комплекс прецизионного аналитического оборудования, позволяющего получить с высокой точностью, чувствительностью и пространственным разрешением структурную информацию вплоть до атомного масштаба. |
Направления научных исследований, проводимых в ЦКП:
|
Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):
|
Научное оборудование ЦКП (номенклатура — 15 ед.):
|
Высокоразрешающий рентгеновский дифрактометр с вращающимся анодом D8 Discover
Комплекс для локального анализа поверхности с помощью сканирующей зондовой микроскопии в условиях контролируемой инертной атмосферы
Комплекс для локального анализа структуры, атомного состава и связей с помощью просвечивающей электронной микроскопии на базе JEM-2100F
Комплектное распределительное устройство РУ-10 кВ
Микроскоп стереоскопический с системой цифровой регистрации Eclipse L150
Микроскоп стереоскопический с системой цифровой регистрации SMZ 745T (Nikon)
Порошковый рентгеновский дифрактометр Bruker D2 Phaser
Система ионного утонения образцов Nanomill 1050 (Fischione Instruments)
Система охлаждения инжектора атомов
Специализированный высоковакуумный стенд STE IBS (НиТО)
Сферический токамак Глобус-М
Универсальный вторично-ионный микроанализатор Ion Microanalyzer IMS-7F в расширенной комплектации с комплектом дополнительного специального научного и инженерного оборудования обеспечивающего его работоспособность и с комплектом ЗиП (Cameca)
Установка для исследования температурной зависимости электрофизических и оптических параметров твердотельных наногетероструктур
Установка для электронной литографии на базе растрового электронного микроскопа JSM-7001F
Устройство ионной резки с азотным охлаждением |
Услуги ЦКП (номенклатура — 10 ед.):
|
Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899): Индустрия наносистем Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899): Индустрия наносистем Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899): Индустрия наносистем Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899): Индустрия наносистем Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899): Индустрия наносистем Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899): Индустрия наносистем; Рациональное природопользование; Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899): Индустрия наносистем Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899): Индустрия наносистем Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899): Индустрия наносистем Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899): Индустрия наносистем |
Методики измерений, применяемые в ЦКП (номенклатура — 9 ед.):
|
Методика выполнения измерений метрических параметров топографии поверхности полупроводниковых многослойных наногетероструктур с помощью атомно-силового микроскопа Dimension 3100
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ) Дата аттестации: 09.12.2009
Методика выполнения измерений определение методом динамической вторично-ионной масс-спектрометрии распределения по глубине монокристаллического кремния содержания бора
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ) Дата аттестации: 29.07.2010
Методика выполнения измерений определение методом динамической вторично-ионной масс-спектрометрии распределения по глубине слоя нитрида галлия содержания кремния в структурах полупроводниковых светоизлучающих диодов на основе нитридов III группы
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ) Дата аттестации: 06.12.2009
Методика выполнения измерений определение методом динамической вторично-ионной масс-спектрометрии распределения по глубине слоя нитрида галлия содержания магния в структурах полупроводниковых светоизлучающих диодов на основе нитридов III группы
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ) Дата аттестации: 06.12.2009
Методика измерений размеров области когерентного рассеяния рентгеновского излучения в тонких пленках нанокристаллического гидрогенизированного Si и Si-Ge методом рентгеновской дифрактометрии скользящего падения.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ) Дата аттестации: 21.10.2012
Методика измерений состава и толщины слоев арсенида алюминия и арсенида галлия в многослойных наногетероструктурах на основе твердых растворов AlAs-GaAs методом рентгеновской рефлектометрии
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Федеральное государственное унитарное предприятие Уральской научно - исследовательский институт метрологии (ФГУП УНИИМ) Дата аттестации: 16.10.2011
Методика измерений среднего арифметического отклонения профиля и наибольшей высоты неровностей профиля поверхности контактного слоя ZnO на стеклянной
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ) Дата аттестации: 21.10.2012
Методика измерений толщины слоев и межплоскостных расстояний в гетероструктурах InGaAs–Ge методом просвечивающей электронной микроскопии.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ) Дата аттестации: 21.10.2012
Методика измерения толщины слоев полупроводниковых многослойных наногетероструктур на основе соединений III-V на германиевой подложке методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ) Дата аттестации: 21.10.2012 |
