Центры коллективного пользования

Элементная база радиофотоники и наноэлектроники: технология, диагностика, метрология (ЦКП «Элементная база радиофотоники и наноэлектроники: технология, диагностика, метрология»)

ЦКП создан в 2015 году

Адрес
  • Северо-Западный, г. Санкт-Петербург
  • 194021, г. Санкт-Петербург, ул. Политехническая, д. 26
  • 🌎http://marc.center/
Руководитель
Контактное лицо
Сведения о результативности за 2017 год (данные мониторинга)
Участие в мониторинге Число организаций-пользователей, ед. Число публикаций, ед. Загрузка в интересах внешних организаций-пользователей, %
нет000.00
Базовая организация

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук

Информация о центре коллективного пользования (ЦКП)

Центр Коллективного Пользования научным оборудованием
«Элементная база радиофотоники и наноэлектроники: технология, диагностика, метрология»
создан в 2015 году на базе Федерального государственного бюджетного учреждения науки
Научно-технологического центра микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук
С целью эффективного использования и развития научно-экспериментальной и приборно-методической базы и кадрового потенциала учреждения для обеспечения комплексных фундаментальных и прикладных научных исследований и с учетом выполнения большого количества заказных работ для сторонних организаций в режиме коллективного пользования на договорной основе.
Виды проводимых исследований
1.    Эпитаксиальный рост гетероструктур для транзисторов с высокой подвижностью электронов
2.    Вторично-ионный микроанализ
3.    Оже-электронная спектроскопия
4.    Радиометрия и Фотометрия
5.    Спектрометрия в УФ, видимом и ближнем ИК диапазоне
6.    Мощность излучения (световой поток)
7.    Сила излучения (сила света)
8.    Угловое распределение силы излучения (силы света)
9.    Спектральные и угловые зависимости коэффициентов отражения, пропускания и рассеяния.
10.    Колориметрия
11.    Электрооптические характеристики полупроводниковых излучателей в широком температурном диапазоне
12.    Интегральные характеристики излучения: спектр, мощность, квантовый выход, КПД и др.
13.    Ближнее и дальнее поле излучения
14.    Тепловые характеристик полупроводниковых  приборов


Направления научных исследований, проводимых в ЦКП

  • физика и технология твердотельных наноструктур;
  • физика и технология элементной базы микро- и наноэлектроники;
  • разработка и создание научно-технологического оборудования для микро- и наноэлектроники;
  • экспериментальная техника, новые методы в технологии, технике, медицине и экологии, в том числе с использованием элементной базы микро- и наноэлектроники.

Приоритетные направления
194021, г. Санкт-Петербург, ул. Политехническая, д. 26
📷

Оборудование (12)

Наименование Страна Фирма-изготовитель Марка Год
Спектрометрическая установка OL Series 750 Spectroradiometric Measurement System (входит в комплекс)
Соединённые Штаты Америки Optronic Laboratories OL-750 2008
Комплекс молекулярно-пучковой эпитаксии Compact 21 TM (Riber) (моудль)
Франция RIBER Compac t21 TM 2011
Установка для измерения силы света и координат цветности источников излучения "Radiant Imaging" IS-LI™ Luminous Intensity Measurement System (входит в комплекс)
Соединённые Штаты Америки Radiant Imaging IS-LI™ Luminous Intensity Measurement System 2008
Cпектрофотоколориметрический комплекс на базе OL 770-UV/VIZ (Optronic Laboratories)
Соединённые Штаты Америки Optronic Laboratories OL-770 UV/VIZ 2008
Прибор для измерения тепловых сопротивлений полупроводниковых приборов и интегральных модулей "Thermal tester T3Ster" (MicRed Ltd.) (входит в комплекс)
Венгрия MicRed Thermal tester T3Ster 2011
Установка молекулярно-пучковой эпитаксии MBE-FIB-FEB (МЭМС)
Россия MBE-FIB-FEB 2013
Установка газофазного химического осаждения полупроводниковых слоев из паровой фазы AIX-200 (AIXTRON)
Соединённые Штаты Америки AIXTRON AIX-200 2003
Универсальный термографический комплекс УТК-1 (ИФП СО РАН) (ИК-микроскоп, тепловизор)
Россия ИФП СО РАН УТК-1 2007
Зондовая установка Suss PM-5 с оптическим микроскопом Mitutoyo (SUSS MicroTec) (входит в комплекс)
Германия SUSS MicroTec Suss PM-5 2008
Комплекс для измерения силы света, светового потока и координат цветности источников излучения OL770-LED (входит в комплекс)
Соединённые Штаты Америки (Optronic Laboratories Inc. OL 770 LED VIZ/NIR 2008
Сканирующий оже-электронный профилометр МР-2000 (Riber)
Франция RIBER МР-2000 2006
Универсальный вторично-ионный микроанализатор Ion Microanalyzer IMS-4F (Cameca)
Франция Cameca IonMicroanalyzer IMS-4F 2006

Услуги (7)

Для подачи заявки на оказание услуги щелкните по ее наименованию.
Наименование Приоритетное направление
Тепловые характеристик полупроводниковых приборов
Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Электрооптические характеристики
Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Колориметрия
Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Радиометрия и Фотометрия
Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Оже-электронная спектроскопия
Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Вторично-ионный микроанализ
Индустрия наносистем
Рост AlInGaN
Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика

Методики (1)

Наименование методики Наименование организации, аттестовавшей методику Дата аттестации
спектрорадииметрические, фотометрические и цветовые параметры полупроводниковых светоизлучающих диодов ФГУП "ВНИИОФИ" 07.12.2009

Возврат к списку


0 комментариев

Комментарии отсутствуют!

Вы можете оставить свое сообщение первым.

Написать комментарий