Ваш браузер устарел!

Браузер, которым вы пользуетесь для просмотра этого сайта, устарел и не соответствует современным технологическим стандартам Интернета.

Вы можете установить последнюю версию подходящего браузера, воспользовавшись ссылками ниже:


Вернуться к списку ЦКП

Элементная база радиофотоники и наноэлектроники: технология, диагностика, метрология

Сокращенное наименование ЦКП: ЦКП «Элементная база радиофотоники и наноэлектроники: технология, диагностика, метрология»

Базовая организация: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук

Ведомственная принадлежность: ФАНО России

Год создания ЦКП: 2015

Сайт ЦКП: http://marc.center/

Заказать услуги ЦКП

Контактная информация:

Местонахождение ЦКП:

  • Федеральный округ: Северо-Западный
  • Регион: г. Санкт-Петербург
  • 194021, г. Санкт-Петербург, ул. Политехническая, д. 26

Руководитель ЦКП:

  • Черняков Антон Евгеньевич, кандидат физико-математических наук
  • +7 (812) 2927922
  • chernyakov.anton@yandex.ru

Контактное лицо:

Сведения о результативности за 2017 год (данные ежегодного мониторинга)

Участие в мониторинге: даЧисло организаций-пользователей, ед.: 1Число публикаций, ед.: 4Загрузка в интересах внешних организаций-пользователей, %: 2.01

Краткое описание ЦКП:

Центр Коллективного Пользования научным оборудованием
«Элементная база радиофотоники и наноэлектроники: технология, диагностика, метрология»
создан в 2015 году на базе Федерального государственного бюджетного учреждения науки
Научно-технологического центра микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук
С целью эффективного использования и развития научно-экспериментальной и приборно-методической базы и кадрового потенциала учреждения для обеспечения комплексных фундаментальных и прикладных научных исследований и с учетом выполнения большого количества заказных работ для сторонних организаций в режиме коллективного пользования на договорной основе.
Виды проводимых исследований
1.    Эпитаксиальный рост гетероструктур для транзисторов с высокой подвижностью электронов
2.    Вторично-ионный микроанализ
3.    Оже-электронная спектроскопия
4.    Радиометрия и Фотометрия
5.    Спектрометрия в УФ, видимом и ближнем ИК диапазоне
6.    Мощность излучения (световой поток)
7.    Сила излучения (сила света)
8.    Угловое распределение силы излучения (силы света)
9.    Спектральные и угловые зависимости коэффициентов отражения, пропускания и рассеяния.
10.    Колориметрия
11.    Электрооптические характеристики полупроводниковых излучателей в широком температурном диапазоне
12.    Интегральные характеристики излучения: спектр, мощность, квантовый выход, КПД и др.
13.    Ближнее и дальнее поле излучения
14.    Тепловые характеристик полупроводниковых  приборов


Направления научных исследований, проводимых в ЦКП:

  • физика и технология твердотельных наноструктур;
  • физика и технология элементной базы микро- и наноэлектроники;
  • разработка и создание научно-технологического оборудования для микро- и наноэлектроники;
  • экспериментальная техника, новые методы в технологии, технике, медицине и экологии, в том числе с использованием элементной базы микро- и наноэлектроники.

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):

    Индустрия наносистем

Фотографии ЦКП:

Научное оборудование ЦКП: (номенклатура — 12 ед.)

Зондовая установка Suss PM-5 с оптическим микроскопом Mitutoyo (SUSS MicroTec) (входит в комплекс)
Марка:  Suss PM-5
Фирма-изготовитель:  SUSS MicroTec
Страна происхождения:  Германия
Год выпуска:  2008
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Комплекс для измерения силы света, светового потока и координат цветности источников излучения OL770-LED (входит в комплекс)
Марка:  OL 770 LED VIZ/NIR
Фирма-изготовитель:  (Optronic Laboratories Inc.
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2008
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Комплекс молекулярно-пучковой эпитаксии Compact 21 TM (Riber) (моудль)
Марка:  Compac t21 TM
Фирма-изготовитель:  RIBER
Страна происхождения:  Франция
Год выпуска:  2011
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Прибор для измерения тепловых сопротивлений полупроводниковых приборов и интегральных модулей "Thermal tester T3Ster" (MicRed Ltd.) (входит в комплекс)
Марка:  Thermal tester T3Ster
Фирма-изготовитель:  MicRed
Страна происхождения:  Венгрия
Год выпуска:  2011
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Сканирующий оже-электронный профилометр МР-2000 (Riber)
Марка:  МР-2000
Фирма-изготовитель:  RIBER
Страна происхождения:  Франция
Год выпуска:  2006
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Спектрометрическая установка OL Series 750 Spectroradiometric Measurement System (входит в комплекс)
Марка:  OL-750
Фирма-изготовитель:  Optronic Laboratories
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2008
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Спектрофотоколориметрический комплекс на базе OL 770-UV/VIZ (Optronic Laboratories)
Марка:  OL-770 UV/VIZ
Фирма-изготовитель:  Optronic Laboratories
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2008
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Универсальный вторично-ионный микроанализатор Ion Microanalyzer IMS-4F (Cameca)
Марка:  IonMicroanalyzer IMS-4F
Фирма-изготовитель:  Cameca
Страна происхождения:  Франция
Год выпуска:  2006
Количество единиц:  1

Универсальный термографический комплекс УТК-1 (ИФП СО РАН) (ИК-микроскоп, тепловизор)
Марка:  УТК-1
Фирма-изготовитель:  ИФП СО РАН
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2007
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Установка газофазного химического осаждения полупроводниковых слоев из паровой фазы AIX-200 (AIXTRON)
Марка:  AIX-200
Фирма-изготовитель:  AIXTRON
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2003
Количество единиц:  1

Установка для измерения силы света и координат цветности источников излучения "Radiant Imaging" IS-LI™ Luminous Intensity Measurement System (входит в комплекс)
Марка:  IS-LI™ Luminous Intensity Measurement System
Фирма-изготовитель:  Radiant Imaging
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2008
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Установка молекулярно-пучковой эпитаксии MBE-FIB-FEB (МЭМС)
Марка:  MBE-FIB-FEB
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2013
Количество единиц:  1

Услуги ЦКП: (номенклатура — 7 ед.)

Для подачи заявки на оказание услуги щелкните по ее наименованию

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем
Краткое описание услуги:  Вторично-ионный микроанализ От H до U, с чувствительностью до 1014 ат.•см-3

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем; Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Краткое описание услуги:  Колориметрия Координат цветности x=0.17…0.75; y=0.05…0.84 Коррелированная цветовая температур 1500..20000 K Общий и частные индексы цветопередачи 0-100

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем; Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Краткое описание услуги:  Оже-электронная спектроскопия От Li до U, с чувствительностью до 1019 ат. см-3

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем; Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Краткое описание услуги:  Радиометрия и Фотометрия Спектрометрия в УФ, видимом и ближнем ИК диапазоне 200-1100 нм Мощность излучения (световой поток) 0.005 – 10 Вт (0.1- 3000 лм) Сила излучения (сила света) (1 - 10000кд) Угловое распределение силы излучения (силы света) 0-180 0 0.001 – 20 Вт/ср (10 -1500 кд) Спектральные и угловые зависимости коэффициентов отражения, пропускания и рассеяния. 200-1100 нм

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Краткое описание услуги:  Эпитаксиальный рост гетероструктур для транзисторов с высокой подвижностью электронов

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем; Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Краткое описание услуги:  Тепловые характеристик полупроводниковых приборов Измерение теплового сопротивления по методу температурочувствительных параметров 0.1-500 К/Вт Измерение температурных полей методом ИК - микроскопии разрешение 3 мкм точность 0.5 K

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Краткое описание услуги:  Электрооптические характеристики полупроводниковых излучателей в широком температурном диапазоне 10-500 К Интегральные характеристики излучения: спектр, мощность, квантовый выход, КПД и др. Ближнее и дальнее поле излучения

Методики измерений, применяемые в ЦКП: (номенклатура — 1 ед.)

спектрорадииметрические, фотометрические и цветовые параметры полупроводниковых светоизлучающих диодов
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФГУП "ВНИИОФИ"
Дата аттестации:  07.12.2009

Вернуться к списку ЦКП

 

Для просмотра сайта поверните экран