Ваш браузер устарел!

Браузер, которым вы пользуетесь для просмотра этого сайта, устарел и не соответствует современным технологическим стандартам Интернета.

Вы можете установить последнюю версию подходящего браузера, воспользовавшись ссылками ниже:


Вернуться к списку ЦКП

Региональный Центр зондовой микроскопии коллективного пользования Рязанского государственного радиотехнического университета

Сокращенное наименование ЦКП: РЦЗМкп

Базовая организация: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Рязанский государственный радиотехнический университет»

Ведомственная принадлежность: Минобрнауки России

Год создания ЦКП: 2003

Сайт ЦКП: http://ckp.rsreu.ru/

Заказать услуги ЦКП

Контактная информация:

Местонахождение ЦКП:

  • Федеральный округ: Центральный
  • Регион: Рязанская область
  • 390005, г. Рязань, ул. Гагарина, д. 59/1

Руководитель ЦКП:

  • Чиркин Михаил Викторович, доктор физико-математических наук, профессор
  • +7 (4912) 460299
  • rector@rsreu.ru

Контактное лицо:

Сведения о результативности за 2017 год (данные ежегодного мониторинга)

Участие в мониторинге: даЧисло организаций-пользователей, ед.: 10Число публикаций, ед.: 19Загрузка в интересах внешних организаций-пользователей, %: 32.06

Краткое описание ЦКП:

Региональный Центр зондовой микроскопии коллективного пользования (РЦЗМкп) создан в 2003 году при поддержке Правительства Рязанской области на базе научно-исследовательских лабораторий ведущих кафедр Рязанского государственного радиотехнического университета (РГРТУ) (приказ от 10 апреля 2003 г. № 59).
Основной целью деятельности Центра является развитие методов диагностики наноматериалов и наноструктур, а также новых инновационных технологий (в том числе нанотехнологий), и внедрение их на производстве и в учебно-научный процесс университета. В настоящее время в структуру РЦЗМкп входит четыре научно-исследовательских лаборатории: лаборатория зондовой микроскопии, лаборатория электронной микроскопии, лаборатория электрофизических исследований, лаборатория аналитических исследований.

Направления научных исследований, проводимых в ЦКП:

  • исследование поверхности твердых тел с нанометровым разрешением;
  • исследование магнитной и электрической морфологии поверхности магнитных и сегнетоэлектрических материалов электроники;
  • исследование квантоворазмерных структур, гетероструктур с квантовых ямами, квантовыми точками и квантовыми нитями;
  • исследование неупорядоченных систем и пленок неупорядоченных полупроводников, морфологии пленок и процессов роста с позиций теории самоорганизации;
  • структурная и электромагнитная модификация поверхности твердых тел и квантово-размерных объектов с нанометровым разрешением;
  • диагностика поверхности подложек для изделий микроэлектроники и изделий специального назначения, исследование и диагностика нанобиообъектов.

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):

  • Индустрия наносистем
  • Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика

Фотографии ЦКП:

Научное оборудование ЦКП (номенклатура — 16 ед., нет данных о загрузке за 2018 год):

STM-головка с предусилителем
Загрузка прибора: нет данных за 2018 год
Марка:  Solver-Pro
Фирма-изготовитель:  ЗАО НТ-МДТ (ЗАО Нанотехнология МДТ, Инструменты нанотехнологий, Нанотехнология Санкт-Петер
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2004
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Аналитико-технологический комплекс для реализации инновационных способов размерной обработки материалов и химического анализа на базе рентген-флюоресцентного спектрометра QUANT-X (Thermo Scientific)
Загрузка прибора: нет данных за 2018 год
Марка:  QUANT-X
Фирма-изготовитель:  Thermo Scientific
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2012
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Аналитико-технологический комплекс для реализации инновационных способов элементного состава
Загрузка прибора: нет данных за 2018 год
Марка:  ContrAA-600
Фирма-изготовитель:  Analytik Jena AG (Аналитик Йена АГ)
Страна происхождения:  Германия
Год выпуска:  2012
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  нет

Весы аналитические XA 82/220/У
Загрузка прибора: нет данных за 2018 год
Марка:  RADWAG
Фирма-изготовитель:  RADWAG Wagi Elektroniczne
Страна происхождения:  Польша
Год выпуска:  2013
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Измерительный прибор NanoEducator
Загрузка прибора: нет данных за 2018 год
Марка:  Nanoeducator
Фирма-изготовитель:  ЗАО НТ-МДТ (ЗАО Нанотехнология МДТ, Инструменты нанотехнологий, Нанотехнология Санкт-Петер
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2008
Количество единиц:  3
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Комплекс измерительный электронно-оптический с модулями контроля электрофизических характеристик наноматериалов и наноструктур JSM 6610LV (Jeol)
Загрузка прибора: нет данных за 2018 год
Марка:  JSM6610LV
Фирма-изготовитель:  НТ-МДТ
Страна происхождения:  Япония
Год выпуска:  2012
Количество единиц:  1

Микроскоп сканирующий зондовый SOLVER PRO
Загрузка прибора: нет данных за 2018 год
Марка:  Solver-Pro
Фирма-изготовитель:  НТ-МДТ, Asus
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2004
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Микротвердомер ПМТ-3М
Загрузка прибора: нет данных за 2018 год
Марка:  ПМТ-3М
Фирма-изготовитель:  ОАО ЛОМО
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2016
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Наноизмерительный комплекс зондовой микроскопии на базе АСМ-СТМ NTEGRA
Загрузка прибора: нет данных за 2018 год
Марка:  ИНТЕГРА Аура
Фирма-изготовитель:  НТ-МДТ
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2005
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Оптический металлографический микроскоп
Загрузка прибора: нет данных за 2018 год
Марка:  MET5
Фирма-изготовитель:  Альтами
Страна происхождения:  Корейская Народно-Демократическая Республика
Год выпуска:  2012
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Система зондирования полупроводниковых материалов на базе лазерных модулей
Загрузка прибора: нет данных за 2018 год
Марка:  СЗПМ
Фирма-изготовитель:  ЛакомПлюс
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2012
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  нет

Сканирующий микроскоп
Загрузка прибора: нет данных за 2018 год
Марка:  Смена-B
Фирма-изготовитель:  НТ-МДТ
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2002
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Спектрометр на базе монохроматора МДР-206
Загрузка прибора: нет данных за 2018 год
Марка:  МДР-206
Фирма-изготовитель:  ООО «ЛОМО ФОТОНИКА»
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Универсальный автоматизированный спектрометрический комплекс для исследования оптических и электрофизических характеристик наноматериалов и наноструктур Интегра СПЕКТРА
Загрузка прибора: нет данных за 2018 год
Марка:  Интегра СПЕКТРА
Фирма-изготовитель:  ЗАО НТ-МДТ (ЗАО Нанотехнология МДТ, Инструменты нанотехнологий, Нанотехнология Санкт-Петер
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2012
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Установка для измерения вольт-амперных характеристик
Загрузка прибора: нет данных за 2018 год
Фирма-изготовитель:  РГРТУ
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2010
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  нет

Установка для измерения электрофизических характеристик неупорядоченных и нанокристаллических структур
Загрузка прибора: нет данных за 2018 год
Фирма-изготовитель:  РГРТУ
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2012
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  нет

Услуги ЦКП (номенклатура — 14 ед.):

Для подачи заявки на оказание услуги щелкните по ее наименованию

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем
Краткое описание услуги:  Исследование ВАХ, ВФХ характеристик пленок a-Si:H для солнечных элементов

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем; Рациональное природопользование

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем; Информационно-телекоммуникационные системы

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Информационно-телекоммуникационные системы

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  _не указано

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Методики измерений, применяемые в ЦКП (номенклатура — 31 ед.):

Метод исследования распределения микро- и нанокристаллических включений, легирующих и неконтролируемых примесей в мульти- и нанокристаллическом кремнии, химического и структурного состава включений
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФГБОУ ВПО РГРТУ
Методика уникальна:  нет

Метод исследования распределения электрических полей по активным областям солнечных элементов (СЭ)
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФГБОУ ВПО РГРТУ
Методика уникальна:  нет

Метод исследования электрически и оптически активных дефектов, создающих глубокие уровни в запрещенной зоне (щели подвижности) в солнечных элементах
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФГБОУ ВПО РГРТУ
Методика уникальна:  нет

Методика выполнения измерений вольт-амперных характеристик полупроводниковых и диэлектрических микро- и наноструктур
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФГБОУВПО РГРТУ
Дата аттестации:  01.06.2011
Методика уникальна:  нет

Методика выполнения измерений вольт-фарадных характеристик полупроводниковых микро- и наноструктур
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФГБОУ ВПО РГРТУ
Дата аттестации:  20.06.2011
Методика уникальна:  нет

Методика выполнения измерений энергии ионизации дефектов с глубокими уровнями в полупроводниковых барьерных микро- и наноструктурах
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФГБОУ ВПО РГРТУ
Дата аттестации:  10.11.2011
Методика уникальна:  нет

Методика измерения концентрации, подвижности носителей заряда в полупроводниковых материалах с помощью эффекта Холла
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ВНИИМС
Дата аттестации:  27.03.2009

Методика измерения распределения электрического потенциала по поверхности образца методом зонда Кельвина (Kelvin Probe Microscopy)
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ВНИИМС
Дата аттестации:  27.03.2009

Методика измерения рельефа поверхности при сканировании образца зондом, находящимся с ним в непосредственном контакте, при этом система обратной связи разомкнута и z-координата сканера поддерживается постоянной с помощью метода постоянной высоты (Constant Height mode)
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ВНИИМС
Дата аттестации:  27.03.2009

Методика измерения рельефа поверхности при сканировании образца проводящим зондом с помощью метода постоянного тока (Constant Current mode)
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Федеральное агентство по техническому регулированию и метрологии
Дата аттестации:  27.03.2009

Методика измерения рельефа поверхности при сканировании образца проводящим зондом с помощью метода постоянной высоты (Constant Height mode)
Наименование организации, аттестовавшей методику :  Федеральное агентство по техническому регулированию и метрологии
Дата аттестации:  16.06.2010

Методика измерения рельефа поверхности с использованием колеблющегося с резонансной частотой зонда бесконтактным методом ACM (Non-Contact mode)
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ВНИИМС
Дата аттестации:  27.03.2009

Методика измерения рельефа поверхности с использованием колеблющегося с резонансной частотой зонда прерывисто-контактным методом
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ВНИИМС
Дата аттестации:  27.03.2009

Методика определение локальной плотности зарядовых состояний и их энергетического распределения в полупроводниковых тонкопленочных микро- и наноструктурах
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФГБОУ ВПО РГРТУ
Методика уникальна:  нет

Методика определения параметров дефектов с глубокими уровнями в запрещенной зоне полупроводников и полупроводниковых наногетероструктур методом токовой DLTS (CDLTS)
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ВНИИМС
Дата аттестации:  27.03.2009

Методика отображения особенностей рельефа, поверхностной адгезии и вязкоупругости, определяющих фазовую задержку колебаний зонда с помощью метода отображения фазы (Phase Imaging mode)
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ВНИИМС
Дата аттестации:  27.03.2009

Методика отображения распределения локальной поверхностной электрической емкости в системе проводящий образец - проводящее острие с помощью сканирующей емкостной микроскопии (СЕМ) (Scanning Capacitance Microscopy, SCM)
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ВНИИМС
Дата аттестации:  27.03.2009

Методика отображения распределения локальной проводимости образца с помощью метода сопротивления растекания. (Spreading Resistance Imaging)
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ВНИИМС
Дата аттестации:  27.03.2009

Методика отображения распределения локальной силы трения по поверхности образца с помощью микроскопии латеральных сил (Lateral Force Microscopy)
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ВНИИМС
Дата аттестации:  27.03.2009

Методика отображения распределения локальной упругости по поверхности образца с помощью метода модуляции силы (Force Modulation mode)
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ВНИИМС
Дата аттестации:  27.03.2009

Методика отображения распределения магнитной структуры поверхности, связанной с локальными различиями распределения первой производной магнитного поля с помощью магнитно-силовой микроскопии (С МСМ) (DC Magnetic Force Mi­croscopy, DC MFM)
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ВНИИМС
Дата аттестации:  27.03.2009

Методика отображения распределения электрического потенциала по поверхности образца с повышенным разрешением с помощью контактной электростатической силовой микроскопии (ЭСМ) (Contact EFM)
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ВНИИМС
Дата аттестации:  27.03.2009

Методика отображения распределения электрического потенциала по поверхности образца с помощью электростатической силовой микроскопии (ЭСМ) (Electrostatic Force Microscopy, EFM)
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ВНИИМС
Дата аттестации:  27.03.2009

Методика отображения сигнала рассогласования на входе системы обратной связи в процессе реализации метода постоянной силы, подчеркивание малоразмерных деталей рельефа поверхности посредством контактного метода рассогласования (Contact Error mode)
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ВНИИМС
Дата аттестации:  27.03.2009

Методика получения изображения поверхности в отраженных электронах с помощью растровой электронной микроскопии

Методика получения изображения поверхности во вторичных электронах с помощью растровой электронной микроскопии

Методика получения изображения поверхности характеристическим рентгеном с помощью растровой электронной микроскопии

Методика определение микротвердости материалов и пленочных покрытий методом Виккерса
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФГБОУ ВО РГРТУ
Методика уникальна:  нет

Методика элементного анализа материалов и покрытий методом квадрупольной масс-cпектрометрии

Методика элементного анализа материалов и покрытий методом магнитной масс-cпектрометрии
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ВНИИМС
Дата аттестации:  27.03.2009

Методика элементного анализа материалов и покрытий методом масс-спектрометрии вторичных ионов

Вернуться к списку ЦКП

 

Для просмотра сайта поверните экран