Центры коллективного пользования

Центр коллективного пользования научным оборудованием «Нанодиагностика и метрологическое обеспечение наукоемких технологий» Государственного научного метрологического центра АО «НИЦПВ» (ЦКП НИЦПВ)

ЦКП создан в 1996 году

Данный ЦКП был поддержан в рамках мероприятия 5.2 ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направления развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы»
Адрес
  • Центральный, г. Москва
  • 119421, г. Москва, ул. Новаторов, д.40, корп.1
  • 🌎www.nicpv.ru/ckp
Руководитель
  • 👤Тодуа Павел Андреевич
  • 📞(495) 9359777
  • nicpv@mail.ru
Контактное лицо
  • 👤Тодуа Павел Андреевич
  • 📞(495) 9359777
  • nicpv@mail.ru
Сведения о результативности за 2016 год (данные мониторинга)
Участие в мониторинге Число организаций-пользователей, ед. Число публикаций, ед. Загрузка в интересах внешних организаций-пользователей, %
да29320.01
Базовая организация

АО «НИЦПВ»

Информация о центре коллективного пользования (ЦКП)

Тематика научных исследований ЦКП НИЦПВ
- фундаментальные и прикладные проблемно-ориентированные исследования особенностей взаимодействия измерительных зондов, пучков заряженных частиц, рентгеновского и оптического излучений с наноструктурированными объектами;
-  разработка и создание методов и средств обеспечения единства измерений в нанотехнологиях, стандартизированных методик измерений и калибровки (поверки), стандартных образцов состава, структуры, размера и свойств;
- исследования способов повышения достоверности и точности измерений в нанотехнологиях методами: растровой электронной, просвечивающей электронной, атомно-силовой, туннельной, оптической ближнего поля, магнитно-силовой,  оже-электронной, ионной микроскопий; электронно-зондового рентгеноспектрального анализа, рентгенофотоэлектронной спектроскопии, оже-электронной спектроскопии, масс-спектрометрии вторичных ионов, локального рентгенофлуоресцентного анализа, рентгенофлуоресцентного анализа с полным внешним отражением, EXAFS- и XANES- спектроскопии; электронографии, дифракции медленных электронов, малоуглового рентгеновского рассеяния, рентгеновской рефлектометрии; комбинационного рассеяния света, эллипсометрии, динамического светорассеяния, люминесцентной спектроскопии, ИК-фурье-спектроскопии.

Направления научных исследований

  • метрологическое обеспечение и стандартизация в области нанотехнологий;
  • разработка методов и средств передачи единиц величин в нанометровый диапазон;
  • испытания для целей утверждения типа, поверка и калибровка средств измерений, применяемых в области нанотехнологий;
  • разработка и аттестация методик измерений, применяемых в области нанотехнологий;
  • метрологическая экспертиза технической документации, разрабатываемой в области нанотехнологий.

Приоритетные направления
119421, г. Москва, ул. Новаторов, д.40, корп.1
📷

Оборудование (20)

Наименование Страна Фирма-изготовитель Марка Год
Растровый электронный микроскоп Quanta 200 (FEI Company)
Соединённые Штаты Америки FEI Company Quanta 200 2011
Сверхвысоковакуумный нанотехнический СЗМ-комплекс Nanofab-100 (НТ-МДТ)
Россия ЗАО НТ-МДТ (ЗАО Нанотехнология МДТ, Инструменты нанотехнологий, Нанотехнология Санкт-Петербург, NT-MDT) Nanofab-100 2013
Установка плазменной очистки PC-2000 (South Bay Technology)
Соединённые Штаты Америки South Bay Technology Inc. PC-2000 2012
Установка для нанесения покрытий методом магнетронного распыления Q150 S/E/ES (Quorum Technologies)
Великобритания Quorum Technologies Q150 S/E/ES 2014
Спектральный эллипсометрический комплекс "ЭЛЛИПС-1891М" (ИФП РАН)
Россия ИФП РАН ЭЛЛИПС-1891М 2011
Модуль оптической профилометрии MicroXAM-100 (KLA-Tencor Corp.)
Соединённые Штаты Америки KLA-Tencor Corp. MicroXAM-100 2011
Мера ширины и периода специальная МШПС-2.0К
Россия ОАО НИЦПВ МШПС-2.0К 2009
Активно-виброизоляционный стенд для оптикомеханических и зондовых измерений
- дорогостоящее оборудование
- наиболее востребованное оборудование
Германия HWL Scientific Instruments GmbH 2005
Автоматизированный интерференционный микропрофилометр АИМ (ВНИИОФИ)
Россия ФГУП ВНИИОФИ (ФГУП Всероссийский научно-исследовательский институт оптико-физических измерений) АИМ 2005
Профилометр интерференционный компьютерный ПИК-30 (ФГУП ВНИИОФИ)
Россия ФГУП ВНИИОФИ (ФГУП Всероссийский научно-исследовательский институт оптико-физических измерений) ПИК-30 2005
Система лазерная измерительная ЛИС-01М
Россия АО "НИЦПВ" ЛИС-01М 2004
Рамановский спектрометр высокого разрешения MICRO-S-RAMAN (Spectroscopy)
Германия Spectroscopy MICRO-S-RAMAN 2004
Инфракрасный Фурье-спектрометр Tensor 37 (Bruker)
Германия Bruker Tensor 37 2004
Дифрактометр высокого разрешения D8 DISCOVERY (Bruker)
Германия Bruker AXS GmbH D8 DISCOVERY 2005
Сканирующий зондовый микроскоп SOLVER P47H (НТ-МДТ)
Россия НТ-МДТ SOLVER P47H 2000
Сканирующий зондовый микроскоп Интегра Аура (НТ-МДТ)
Россия НТ-МДТ Интегра Аура 2007
Растровый электронный микроскоп S-4800 FE-SEM (HITACHI)
Япония HITACHI S-4800 2006
Электронно-ионный микроскоп JIB-4500 c микроманипулятором IB-32010FPUS (JEOL)
Япония JEOL JIB-4500 2008
Растровый электронный микроскоп JSM-6460LV (JEOL) с приставкой рентгеновского микроанализа INCAx-sight, приставкой регистрации спектров микро-катодолюминес-ценции MonoCL3 и приставкой регистрации дифракции обратно-рассеянных электронов
Япония JEOL JSM 6460LV 2003
Просвечивающий электронный микроскоп JEM-2100 (JEOL)
Япония JEOL JEM-2100 2007

Услуги (50)

Для подачи заявки на оказание услуги щелкните по ее наименованию.
Наименование Приоритетное направление
Испытания для целей утверждения типа и поверка единичных экземпляров средств измерений - микроскоп зондовый сканирующий атомно-силовой JSPM 5400
Индустрия наносистем
Испытания в целях утверждения типа средств измерений - преобразователь акустической эмиссии широкополосный с предварительным усилителем АЕШД
Индустрия наносистем
Испытания в целях утверждения типа единичного экземпляра средств измерений - акустикоэмиссионная поверочная AP8004
Индустрия наносистем
Испытания в целях утверждения типа средств измерений - преобразователь акустической эмиссии резонансный GT 200 UB
Индустрия наносистем
Испытания в целях утверждения типа средств измерений "Микроскопы электронные растровые" JSM-6x10
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка микроскопа оптического
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка меры ширины и периода специальной
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка меры ширины и периода специальной
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка растрового электронного микроскопа
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
- наиболее востребованная услуга
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
- наиболее востребованная услуга
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка меры ширины и периода специальной
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
- наиболее востребованная услуга
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем
Поверка A-line 32D и преобразователей акустической эмиссии
Индустрия наносистем

Методики (131)

Наименование методики Наименование организации, аттестовавшей методику Дата аттестации
Государственная система обеспечения единства измерений. Преобразователи акустической эмиссии. Методика поверки. МИ 3124-2008 ОАО НИЦПВ 18.04.2008
Методика поверки. Оптический микроскоп AxioImager m2M ОАО НИЦПВ 06.12.0011
ГСИ. Акустико-эмиссионные информационно-измерительные комплексы Лель/A-Line 32D (DDM). Методика Поверки МП 12-03 ОАО НИЦПВ 20.06.2003
ГОСТ Р 8.700-2010 Государственная система обеспечения единства измерений. Методика измерений эффективной высоты шероховатости поверхности с помощью сканирующего зондового атомно-силового микроскопа ОАО НИЦПВ
ГОСТ Р 8.698-2010 Государственная система обеспечения единства измерений. Размерные параметры наночастиц и тонких пленок. Методика выполнения измерений с помощью малоуглового рентгеновского дифрактометра ОАО НИЦПВ
ГОСТ Р 8.697-2010 Государственная система обеспечения единства измерений. Межплоскостные расстояния в кристаллах. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа ОАО НИЦПВ
ГОСТ Р 8.696-2010 Государственная система обеспечения единства измерений. Межплоскостные расстояния в кристаллах и распределение интенсивностей в дифракционных картинах. Методика выполнения измерений с помощью электронного дифрактометра ОАО НИЦПВ
ГОСТ 8.594-2009 Государственная система обеспечения единства измерений. Микроскопы электронные растровые. Методика поверки ОАО НИЦПВ
ГОСТ 8.593-2009 Государственная система обеспечения единства измерений. Микроскопы сканирующие зондовые атомно-силовые. Методика поверки ОАО НИЦПВ
ГОСТ 8.591-2009 Государственная система обеспечения единства измерений. Меры рельефные нанометрового диапазона с трапецеидальным профилем элементов. Методика поверки ОАО НИЦПВ
ГОСТ Р 8.644-2008 Государственная система обеспечения единства измерений. Меры рельефные нанометрового диапазона с трапецеидальным профилем элементов. Методика калибровки ОАО НИЦПВ
ГОСТ Р 8.636-2007 Государственная система обеспечения единства измерений. Микроскопы электронные растровые. Методика калибровки ОАО НИЦПВ
ГОСТ Р 8.635-2007 Государственная система обеспечения единства измерений. Микроскопы сканирующие зондовые атомно-силовые. Методика калибровки ОАО НИЦПВ
ГОСТ Р 8.631-2007 Государственная система обеспечения единства измерений. Микроскопы электронные растровые измерительные. Методика поверки ОАО НИЦПВ
ГОСТ Р 8.630-2007 Государственная система обеспечения единства измерений. Микроскопы сканирующие зондовые атомно-силовые измерительные. Методика поверки ОАО НИЦПВ
ГОСТ Р 8.629-2007 Государственная система обеспечения единства измерений. Меры рельефные нанометрового диапазона с трапецеидальным профилем элементов. Методика поверки ОАО НИЦПВ
Межплоскостные расстояния в кристаллах. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа по электронным микродифракционным картинам ОАО НИЦПВ 12.11.2010
Межплоскостные расстояния в кристаллах. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа по электронным нанодифракционным картинам ОАО НИЦПВ 12.11.2010
МВИ массовых долей элементов однородных по составу пленок толщиной от 10 нм до 100 нм на подложке, состоящей из элементов отличных от элементов пленки, методом электронно-зондового рентгеноспектрального микроанализа с использованием спектрометрического (энергодисперсионного) блока детектирования рентгеновского излучения и массивных однородных образцов в качестве стандартных образцов ОАО НИЦПВ 12.11.2010
МВИ геометрических параметров трехмерного распределения локального оптического поля на сканирующих оптических микроскопах ближнего поля с использованием стандартных образцов наноструктур и фотонных кристаллов ОАО НИЦПВ 22.10.2010
МВИ геометрических параметров продукции нанотехнологий на сканирующих оптических микроскопах ближнего поля в режиме квазитрения ОАО НИЦПВ 22.10.2010
МВИ параметров элементарной ячейки монокристаллов ОАО НИЦПВ 22.10.2010
МВИ эффективной высоты шероховатости сверхгладких поверхностей подложек ОАО НИЦПВ 20.10.2010
МВИ линейных размеров (диаметра и длины) углеродных нанотрубок с помощью растрового электронного микроскопа JSM-7401F ОАО НИЦПВ 20.10.2010
МВИ линейных размеров (диаметра и длины) углеродных нанотрубок с помощью растрового электронного микроскопа ОАО НИЦПВ 20.10.2010
МВИ межплоскосных расстояний в режиме дифракции и линейных размеров объектов в режиме изображения с помощью просвечивающего электронного микроскопа ОАО НИЦПВ 20.10.2010
МВИ диаметра микро- и нанообъектов сферической формы с помощью растрового электронного микроскопа ОАО НИЦПВ 20.10.2010
МВИ периода структур, состоящих из узких штрихов, с помощью растрового электронного микроскопа ОАО НИЦПВ 20.10.2010
МВИ диаметров верхнего и нижнего отверстий в мембранах известной толщины с помощью растрового электронного микроскопа ОАО НИЦПВ 20.10.2010
МВИ диаметра микро- и нанообъектов сферической формы с помощью сканирующего зондового микроскопа Ntegra Prima ОАО НИЦПВ 18.10.2010
МВИ эффективной высоты шероховатости поверхности с помощью сканирующего зондового микроскопа Solver Р47 ОАО НИЦПВ 18.10.2010
МВИ вольт-апмперной характеристики наноструктур с абсолютным значением силы электрического тока, протекающего через наноструктуру, в диапазоне от 100 пА до 100 нА при изменении приложенного напряжения в диапазоне от минус 10 В до 10 В, с помощью сканирующего зондового атомно-силового микроскопа для электрофизических измерений. ОАО НИЦПВ 12.10.2010
МВИ локальной электрической емкостьи нанообъектов и наноструктур с шероховатостью поверхности (Rmax) не более 10 нм, электрическим сопротивлением не менее 1 ГОм и емкостью, постоянной в диапазоне приложенных напряжений от минус 10 В до 10 В, с помощью сканирующего зондового атомно-силового микроскопа для электрофизических измерений, предназначенного для измерений параметров электрического тока ОАО НИЦПВ 12.10.2010
МВИ размеров частиц в жидкой суспензии с помощью автоматического анализатора Delsa Nano ОАО НИЦПВ 01.09.2010
МВИ распределения по глубине монокристаллического кремния содержания бора ОАО НИЦПВ 30.07.2010
МВИ межплоскостных расстояний в кристаллах по электронным микродифракционным картинам. Методика выполнения измерений с помощью электронного дифрактометра (электронографа) ОАО НИЦПВ 10.06.2010
МВИ межплоскостных расстояний в кристаллах по электронным микродифракционным картинам. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа ОАО НИЦПВ 10.06.2010
МВИ локального электрического сопротивления наноматериалов и наноструктур с монотонной вольтамперной характеристикой с помощью сканирующего зондового атомно-силового микроскопа для электрофизических измерений, предназначенного для измерения электрического тока в диапазоне 100 пА-10 нА ОАО НИЦПВ 07.05.2010
МВИ мольной доли алюминия в эпитаксиальных пленках AlxGa1-xAs, выращенных на подложке GaAs, с помощью порошкового рентгеновского дифрактометра со спектрометрическим (энергодисперсионным) блоком детектирования рентгеновского излучения ОАО НИЦПВ 07.05.2010
МВИ толщины однослойной тонкой пленки, а также суммарной толщины и размера межслоевого периода многослойных тонких пленок с помощью порошкового рентгеновского дифрактометра со спектрометрическим (энергодисперсионным) блоком детектирования рентгеновского излучения ОАО НИЦПВ 07.05.2010
МВИ локального химического состава трехкомпонентных тонких пленок твердых материалов методом электронной оже-спектроскопии, а именно мольных долей элементов, входящих в состав пленок ОАО НИЦПВ 15.12.2009
МВИ химического состава поверхности с помощью блока детектирования рентгеновского излучения кремниевого в составе растрового электронного микроскопа ОАО НИЦПВ 15.12.2009
МВИ химического состава наноразмерных структур на основе оксидов переходных металлов методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, а именно относительной доли атомов переходного металла с выбранной степенью окисления. ОАО НИЦПВ 15.12.2009
МВИ геометрических параметров наноразмерных полупроводниковых многослойных гетероструктур с помощью растрового электронного микроскопа JSM-7001F ОАО НИЦПВ 10.12.2009
МВИ метрических параметров топографии поверхности полупроводниковых многослойных наногетероструктур с помощью атомно-силового микроскопа Dimension 3100 ОАО НИЦПВ 10.12.2009
МВИ относительной толщины пленки FeNiCo на кремниевой подложке ОАО НИЦПВ 12.11.2009
МВИ толщины диэлектрических пленок на пластинах кремния ОАО НИЦПВ 12.11.2009
МВИ распределения по глубине слоя нитрида галлия содержания магния в структурах полупроводниковых светоизлучающих диодов на основе нитридов III группы ОАО НИЦПВ 07.12.2009
МВИ распределения по глубине слоя нитрида галлия содержания кремния в структурах полупроводниковых светоизлучающих диодов на основе нитридов III группы ОАО НИЦПВ 07.12.2009
МВИ толщин слоев гетероструктур с помощью растрового электронного микроскопа JSM-7001F ОАО НИЦПВ 12.11.2009
МВИ линейных размеров микро- и нанообъектов с помощью растрового электронного микроскопа Quanta 200 ОАО НИЦПВ 12.11.2009
МВИ метрических параметров поверхности с помощью сканирующего зондового микроскопа Ntegra Prima ОАО НИЦПВ 12.11.2009
МВИ эффективной шероховатости поверхности с помощью сканирующего зондового микроскопа Ntegra Prima ОАО НИЦПВ 12.11.2009
МВИ линейных размеров объектов в режиме изображения и межплоскостных расстояний в режиме дифракции с помощью просвечивающего электронного микроскопа JEM-2100 ОАО НИЦПВ 31.08.2009
МВИ линейных размеров микро- и нанообъектов с помощью растрового электронного микроскопа S-4800 ОАО НИЦПВ 31.08.2009
МВИ метрических параметров поверхности с помощью сканирующего зондового микроскопа Solver P47H ОАО НИЦПВ 25.08.2009
МВИ метрических параметров поверхности с помощью сканирующего зондового микроскопа Ntegra Aura ОАО НИЦПВ 25.08.2009
МВИ размерных параметров наночастиц и тонких пленок с помощью малоуглового рентгеновского дифрактометра ОАО НИЦПВ 20.08.2009
МВИ межплоскостных расстояний в кристаллах и распределения интенсивностей в дифракционных картинах с помощью электронного дифрактометра ОАО НИЦПВ 20.08.2009
МВИ межплоскостных расстояний в кристаллах с помощью просвечивающего электронного микроскопа ОАО НИЦПВ 20.08.2009
МВИ эффективной высоты шероховатости поверхности с помощью сканирующего зондового атомно-силового микроскопа ОАО НИЦПВ 20.08.2009
МВИ линейных размеров элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов, регистрируемых в ионных и электронных пучках с помощью микроскопа Quanta 200 3D ОАО НИЦПВ 10.03.2009
МВИ метрических параметров полимерных микрокапсул в водных суспензиях с помощью оптического микроскопа Leica TCS SPE ОАО НИЦПВ 10.03.2009
МВИ политипов монокристаллов карбида кремния с помощью рентгеновского дифрактометра Xcalibur S с координатным детектором ОАО НИЦПВ 10.03.2009
Линейные размеры микро- и нанообъектов. Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа Quanta 200 ОАО НИЦПВ 01.09.2009
Метрические параметры поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа Ntegra Prima ОАО НИЦПВ 01.09.2009
Измерение линейных размеров объектов в режиме изображения и межплоскостных расстояний в режиме дифракции. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа JEM-2100 ОАО НИЦПВ 31.08.2009
Линейные размеры микро- и нанообъектов. Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа S-4800 ОАО НИЦПВ 31.08.2009
Метрические параметры поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа Solver P47H ОАО НИЦПВ 25.08.2009
Эффективная высота шероховатости поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа Solver P47 ОАО НИЦПВ 04.07.2011
Метрические параметры поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа Ntegra Aura ОАО НИЦПВ 25.08.2009
Метрические параметры поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующей зондовой нанолаборатории Ntegra Aura ОАО НИЦПВ 21.01.2009
Методика выполнения измерений геометрических параметров продукции нанотехнологий на сканирующих оптических микроскопах ближнего поля в режиме квазитрения ОАО НИЦПВ 06.07.2011
ГСИ. Линейные размеры элементов топологии микро-рельефа поверхности твердотельных материалов, регистрируемые в ионных и электронных лучах. Методика выполнения измерений с помощью микроскопа Quanta 200 3D ОАО НИЦПВ 10.03.2009
ГСИ. Метрические параметры полимерных микро-капсул в водных суспензиях. Методика выполнения измерений с помощью оптического микроскопа Leica TCS SPE ОАО НИЦПВ 10.03.2009
ГСИ. Определение политипов монокристаллов карбида кремния. Методика выполнения измерений с помощью рентгеновского дифрактометра Xcalibur S с координатным детектором ОАО НИЦПВ 10.03.2009
ГСИ. Линейные размеры элементов топологии микро-рельефа поверхности твердотельных материалов. Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа JSM-7401F ОАО НИЦПВ 14.07.2006
Методика выполнения измерений геометрических параметров трехмерного распределения локального оптического поля на сканирующих микроскопах ближнего поля с использованием стандартных образцов наноструктур и фотонных кристалов ОАО НИЦПВ 06.07.2011
Линейные параметры отверстий в тонких мембранах. Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа ОАО НИЦПВ 18.07.2011
Период в непериодических структурах, состоящих из узких штрихов. Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа ОАО НИЦПВ 18.07.2011
ГСИ. Измерение линейных размеров объектов в режиме изображения и межплоскостных расстояний в режиме дифракции. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа Tecnai G2 30 S-TWIN с рентгеновским спектрометром фирмы EDAX ОАО НИЦПВ 17.07.2006
ГСИ. Пространственное распределение атомов в кристаллах. Методика выполнения измерений с помощью рентгеновского спектрометра АССВ. ОАО НИЦПВ 14.07.2006
Диаметр микро- и нанообъектов сферической формы. Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа Quanta 200 ОАО НИЦПВ 18.07.2011
ГСИ. Ориентация образца, параметры элементарной ячейки и симметрия монокристаллов в области температур 90-490К. Методика выполнения измерений с помощью рентгеновского дифрактометра Xcalibur S ОАО НИЦПВ 14.07.2006
ГСИ. Метрические параметры поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующей зондовой нанолаборатории Ntegra Prima ОАО НИЦПВ 14.07.2006
ГСИ. Эффективная шероховатость поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа Solver P47 ОАО НИЦПВ 21.11.2005
ГСИ. Межплоскостные расстояния в кристаллах в диапазоне 0,08 ÷ 60 нм; распределение интенсивностей в дифракционных картинах. Методика выполнения измерений с помощью электронографа ЭМР-102 (модернизированного) ОАО НИЦПВ 21.11.2005
Методика выполнения измерений с помощью ПЭМ Tecnai G² 30 S-TWIN геометрических параметров продукции нанотехнологий в диапазоне от 0,25 нм до 200нм ОАО НИЦПВ 18.07.2011
ГСИ. Параметры шероховатости сверхгладких поверхностей. Методика выполнения измерений рентгеновским методом. ОАО НИЦПВ 21.11.2005
ГСИ. Межплоскостные расстояния в кристаллах в диапазоне 0,1 ÷ 60 нм. Распределение интенсивностей рефлексов в дифракционных картинах. Методика выполнения измерений с помощью электронографа ЭМР-102. ОАО НИЦПВ 30.11.2004
Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа JSM-7401F геометрических параметров продукции нанотехнологий в диапазоне от 5 нм до 100 нм ОАО НИЦПВ 18.07.2011
Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа JSM-7401F геометрических параметров продукции нанотехнологий в диапазоне от 70 нм до 100 мкм ОАО НИЦПВ 18.07.2011
Параметры элементарной ячейки монокристаллов в области температур 90-490 К. Методика выполнения измерений с помощью рентгеновского дифрактометра Xcalibur S ОАО НИЦПВ 18.07.2011
Параметры шероховатости сверхгладких поверхностей. Методика выполнения измерений рентгеновским методом ОАО НИЦПВ 18.07.2011
ГСИ. Структура поверхности кристалла при дифракции электронов на отражение. Методика выполнения измерений электронографическим методом. ОАО НИЦПВ 30.11.2004
ГСИ. Линейные размеры элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов. Методика выполнения измерений с помощью растровых электронных микроскопов JSM-840 и BS-340 ОАО НИЦПВ 30.11.2004
ГСИ. Межплоскостные расстояния в кристаллах. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа EM-430ST. ОАО НИЦПВ 30.11.2004
ГСИ. Метрические параметры поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа Solver P47. ОАО НИЦПВ 30.11.2004
ГСИ. Микротвердость материалов. Методика выполнения измерений микротвердости с помощью микротвердомера ПМТ-3. ОАО НИЦПВ 30.11.2004
ГСИ. Объемное и удельное сопротивления высокоомных кристаллических диэлектриков и полупроводников. Методика выполнения измерений. ОАО НИЦПВ 30.11.2004
ГСИ. Спектральные показатели ослабления конденсированных сред в диапазоне длин волн 0,2-50 мкм. Методика выполнения измерений спектрофотометрическим методом. ОАО НИЦПВ 30.11.2004
ГСИ. Линейные размеры объектов в диапазоне 2-100 мкм. Методика выполнения измерений на оптическом микроскопе Carl Zeiss E2 ОАО НИЦПВ 30.11.2004
Методика измерений и контроля параметров кристаллических рельефных наноструктур. Линейные размеры структур в оксидной маске на поверхности кремниевых пластин ОАО НИЦПВ 28.10.2011
ГСИ. Нарушенные слои и нанесенные покрытия. Методика выполнения измерений рентгеновским методом. ОАО НИЦПВ 30.11.2004
Методика измерений и контроля параметров кристаллических рельефных наноструктур. Линейные размеры проявленных в резисте структур и неравномерность ширины элементов резистивной маски на поверхности кремниевых пластин ОАО НИЦПВ 28.10.2011
ГСИ. Гомогенность кристаллических объектов. Методика выполнения измерений методом двухкристальной рентгеновской дифрактометрии. ОАО НИЦПВ 30.11.2004
ГСИ. Параметры структуры монокристаллов и сложных многослойных нанокомпозиций. Методика выполнения измерений рентгенодифракционным методом. ОАО НИЦПВ 30.11.2004
ГСИ. Высокоразрешающие пространственно-угловые рефлектометрические измерения. Методика выполнения измерений с помощью высокоразрешающего сканирующего рефлектометра. ОАО НИЦПВ 30.11.2004
ГСИ. Фазовый анализ поликристаллов. Методика выполнения измерений с помощью координатного рентгеновского дифрактометра КАРД-6. ОАО НИЦПВ 30.11.2004
ГСИ. Ориентация образца, параметры элементарной ячейки и симметрия монокристаллов в области температур 10-800К. Методика выполнения измерений с помощью четырехкружных рентгеновских дифрактометров Enraf-Nonius и Huber. ОАО НИЦПВ 30.11.2004
ГСИ. Интегральные структурные параметры наночастиц и кластеров в моно- полидисперсных системах, толщина и период повторяемости в тонких пленках. Методика выполнения измерений с помощью малоуглового рентгеновского дифрактометра с позиционно-чувствительным детектором «АМУР-К» ОАО НИЦПВ 30.11.2004
ГСИ. Линейные и объемные дефекты в кристаллических структурах. Методика выполнения измерений с помощью двухкристального рентгеновского топографического спектрометра ОАО НИЦПВ 30.11.2004
Ширина верхнего основания и шаг трапецеидальных рельефных элементов в монокристаллическом кремнии. Методика измерений с помощью стенда для входного и пооперационного контроля процесса изготовления кристаллических рельефных наноструктур ОАО НИЦПВ 21.12.2011
Неравномерность ширины верхнего основания кристаллической рельефной наноструктуры. Методика измерений с помощью растрового электронного микроскопа ОАО НИЦПВ 29.09.2011
ГСИ. Ориентировка крупных кристаллов на рентгеновском дифрактометре. Методика выполнения измерений рентгенодифракционным методом. ОАО НИЦПВ 30.11.2004
Размер наночастиц керамик в полимерном материале (гранулах и пленке). Методика измерений с помощью растрового электронного микроскопа ОАО НИЦПВ 28.10.2011
Радиул скругления угла при верхнем основании рельефного элемента кристаллической рельефной наноструктуры. Методика измерений с помощью электронно-ионного микроскопа JIB 4500 и просвечивающего электронного микроскопа JEM-2100 ОАО НИЦПВ 31.10.2011
Толщина наноразмерных пластин силикатов в полимерной матрице. Методика измерений с помощью растрового электронного микроскопа ОАО НИЦПВ 28.10.2011
Степень интеркалированния (эксфолиации) слоистых силикатов в полимерной матрице. Методика измерений с помощью рентгеновского дифрактометра ARL X'TRA ОАО НИЦПВ 28.10.2011
Размер частиц наноструктурированного гидроксида магния. Методика измерений с помощью растрового электронного микроскопа ОАО НИЦПВ 28.10.2011
Ширина верхнего основания поперечного среза трапецеидального рельефного элементы кристаллической наноструктуры. Методика измерений с помощью измерительного стенда для испытаний экспериментальных образцов кристаллических рельефных наноструктур ОАО НИЦПВ 01.03.2012
Методика измерений и контроля параметров экспериментальных образцов кристаллических рельефных наноструктур. Радиусы скругления углов при верхнем основании рельефных элементов на поверхности кремниевых пластин ОАО НИЦПВ 12.03.2012
Геометрические параметры кристаллических рельефных наноструктур. Методика измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа Ntegra Aura ОАО НИЦПВ 12.03.2012
Ширина верхнего основания поперечного среза трапецеидального рельефного элемента в монокристаллическом кремнии. Методика измерений с помощью измерительного стенда для испытаний экспериментальных образцов кристаллических рельефных наноструктур ОАО НИЦПВ 12.03.2012
Параметры наноструктурированных объектов. Методика измерений с помощью просвечивающей электронной микроскопии ОАО НИЦПВ 12.03.2012
Параметры наноструктурированных объектов. Методика измерений с помощью электроннозондового рентгеноспектрального микроанализа ОАО НИЦПВ 12.03.2012
Параметры шаговой структуры в тонком слое монокристаллического кремния. Методика измерений с помощью стенда для входного и пооперационного контроля процесса изготовления кристаллических рельефных наноструктур ОАО НИЦПВ 12.03.2012
Геометрические параметры кристаллических рельефных наноструктур. Методика измерений с помощью измерительного стенда для выходного контроля параметров кристаллических рельефных наноструктур ОАО НИЦПВ 26.07.2012
Размерные параметры наноструктурированных объектов. Методика измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа с регистрацией изображения на фотопленку ОАО НИЦПВ 03.09.2012
Геометрические параметры кристаллических рельефных наноструктур. Методика измерений с помощью стенда для проведения предварительных испытаний кристаллических рельефных наноструктур ОАО НИЦПВ 10.10.2012
Отклонение рабочей поверхности кремниевой пластины от кристаллографической плоскости (100). Методика измерений с помощью рентгеновского дифрактометра D8 DISCOVER ОАО НИЦПВ 08.11.2012

Возврат к списку


0 комментариев

Комментарии отсутствуют!

Вы можете оставить свое сообщение первым.

Написать комментарий