Услуги центров коллективного пользования

кристаллы

Фильтры
Все Да

Образцы гетероструктур - эпитаксиальные слои твердых растворов SiC – AlN на подложках карбида кремния и сапфира заданного состава полученных с применением технологий: молекулярно-пучковая эпитаксия (МПЭ) – 5 (пять) образцов эпитаксиальных слоев (SiC)1-х (AlN) толщиной 2 мкм при значениях х= 20; 40; 60; 70; 80, на монокристаллах карбида кремния размерами 6х10 мм , класс полировки 15; сублимационная эпитаксия –образцов эпитаксиальных слоев (SiC)1-х (AlN) толщиной 2 мкм при значениях х= 20; 40; 60; 70; 80, на монокристаллах карбида кремния размерами 6х10 мм, класс полировки 15; ионно-лучевое распыление – 5 (пять) образцов эпитаксиальных слоев (SiC)1-х (AlN) толщиной 2 мкм при значениях х= 20; 40; 60; 70; 80, на монокристаллах карбида кремния размерами 6х10 мм, класс полировки 15; магнетронное распыление –10 (десять) образцов эпитаксиальных слоев (SiC)1-х (AlN) толщиной 1 мкм при значениях х= 20; 40; 60; 70; 80, на монокристаллах карбида кремния размерами 6х10 мм, класс полировки 15; магнетронное распыление –10 (десять) образцов эпитаксиальных слоев (SiC)1-х (AlN) толщиной 2 мкм при значениях х= 20; 40; 60; 70; 80, на монокристаллах сапфира 10х10 мм, класс полировки 15.

Радиоэлектронные приборы, микроэлектроника и нанотехнологии

Индустрия наносистем