Ваш браузер устарел!

Браузер, которым вы пользуетесь для просмотра этого сайта, устарел и не соответствует современным технологическим стандартам Интернета.

Вы можете установить последнюю версию подходящего браузера, воспользовавшись ссылками ниже:


Вернуться к списку УНУ

Автоматизированная многомодульная сверхвысоковакуумная установка молекулярно-лучевой эпитаксии «Обь-М»

Сокращенное наименование УНУ: МЛЭ КРТ «Обь-М»

Базовая организация: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им.А.В.Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Ведомственная принадлежность: Минобрнауки России

Классификационная группа УНУ: Электрофизические установки и ускорители

Год создания УНУ: 2005

Размер занимаемых УНУ площадей, кв. м: 112

Заказать услуги УНУ

Контактная информация:

Местонахождение УНУ:

  • Федеральный округ: Сибирский
  • Регион: Новосибирская область
  • 630090, г. Новосибирск, пpоспект академика Лавpентьева, д. 13

Руководитель работ на УНУ:

  • Дворецкий Сергей Алексеевич
  • +7 (383) 3304967
  • dvor@isp.nsc.ru

Сведения о результативности за 2017 год (данные ежегодного мониторинга)

Участие в мониторинге: нетЧисло организаций-пользователей, ед.: 0Число публикаций, ед.: 0Загрузка в интересах внешних организаций-пользователей, %: 0.00

Информация об УНУ:

Установка молекулярно-лучевой эпитаксии «Обь-М», разработанная и изготовленная в ИФП СО РАН. Установка используется для выращивания наногетероэпитаксиальных структур твердых растворов теллуридов кадмия и ртути (КРТ) и фоточувствительных материалов на основе многослойных гетероструктур из узкозонных твердых растворов КРТ методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из кремния и арсенида галлия.

Главные преимущества, обоснование уникальности установки, в том числе сопоставление УНУ с существующими аналогами, многофункциональность и междисциплинарность УНУ:

Задача выращивания ртутьсодержащих полупроводников методом МЛЭ на альтернативных подложках является очень сложной. Данной технологией обладают только высокоразвитые страны, такие как США, Германия, Франция, Китай и Япония. Для реализации такой технологии необходимо решить проблемы чрезвычайно высокого давления паров ртути и гигантского структурного и химического рассогласования сопрягаемых материалов. Примененные при разработке установки МЛЭ «Обь-М» инженерно-технические решения позволили решить задачу эпитаксиального выращивания ртутьсодержащих полупроводников на альтернативных подложках, таких как арсенид галлия и кремний. Используемый при создании установки принцип кольцевых источников позволил выращивать пленки теллуридов кадмия и ртути на подложках большого диаметра с высокой латеральной однородностью состава без использования вращения. Отсутствие вращения позволяет проводить in situ исследования процессов роста методами эллипсометрии и дифракции электронов и прецизионно управлять профилем состава КРТ по толщине. Установка МЛЭ «Обь-М» является единственной в России и по многим параметрам не имеет аналогов в мире.

Наиболее значимые научные результаты исследований (краткое описание):

Проведены комплексные экспериментальные исследования механизмов роста и дефектообразования при выращивании на высокоиндексных поверхностях методом молекулярно-лучевой эпитаксии наногетероэпитаксиальных структур с большим рассогласованием параметров кристаллических решёток, с различной природой химической связи и разным структурным типам пленки и подложки. В результате установлены основные закономерности гетероэпитаксиального роста полупроводниковых соединений ZnSe, ZnTe, CdTe и CdHgTe (КРТ) на подложках из GaAs и Si. Физика твердого тела и квантовая электродинамика, с ее ультрарелятивистскими безмассовыми частицами, встречаются в электронных свойствах одномерных углеродных нанотрубок, двумерного графена или поверхностей топологического изолятора. Однако, ясных экспериментальных данных для электронных состояний с коническим дисперсионным соотношением во всех трех измерениях, возможных для определенных объемных материалов по прежнему не хватает. Изучен кристалл цинкового сфалерита HgCdTe, в точке топологического перехода полупроводник – полуметалл. Для этого состава наблюдались трехмерные безмассовые электроны, что подтверждается динамикой проводимости, линейно увеличивающейся с частотой фотонов со скоростью 106 м/сек. При приложении магнитного поля B наблюдается корневая от поля зависимость для диполь-активных переходов между уровнями Ландау и спиновыми расщепленными уровнями Ландау – хорошо зарекомендовавшееся (устоявшееся) представление для ультрарелятивистских частиц, но до сих пор экспериментально не наблюдаемое ни в какой твердотельной электронной системе.

Направления научных исследований, проводимых на УНУ:

  • Разработка и выращивание  фоточувствительных, светоизлучающих материалов инфракрасного диапазона спектра и квантово-размерных структур на основе КРТ.

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):

    Индустрия наносистем

Фотографии:

Состав УНУ и вспомогательное оборудование: (номенклатура — 1 ед.)

Автоматизированная многомодульная сверхвысоковакуумная установка молекулярно-лучевой эпитаксии «Обь-М
Фирма-изготовитель:  ИФП СО РАН
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2005
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: Автоматизированная многомодульная сверхвысоковакуумная установка молекулярно-лучевой эпитаксии «Обь-М», разработанная и изготовленная в ИФП СО РАН. Установка используется для выращивания наногетероэпитаксиальных структур твердых растворов теллуридов кадмия и ртути (КРТ) (фоточувствительных материалов на основе многослойных гетероструктур из узкозонных твердых растворов КРТ) методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из кремния. Задача выращивания ртутьсодержащих полупроводников методом МЛЭ на альтернативных подложках является очень сложной. Данной технологией обладают только высокоразвитые страны, такие как США, Германия, Франция, Китай и Япония. Для реализации такой технологии необходимо решить проблемы чрезвычайно высокого давления паров ртути и гигантского структурного и химического рассогласования сопрягаемых материалов. Примененные при разработке установки МЛЭ «Обь-М» инженерно-технические решения позволили решить задачу эпитаксиального выращивания ртутьсодержащих полупроводников на альтернативных подложках, таких как арсенид галлия и кремний. Используемый при создании установки принцип кольцевых источников позволил выращивать пленки теллуридов кадмия и ртути на подложках большого диаметра с высокой латеральной однородностью состава без использования вращения. Отсутствие вращения позволяет проводить in situ исследования процессов роста методами эллипсометрии и дифракции электронов и прецизионно управлять профилем состава КРТ по толщине. Установка МЛЭ «Обь-М» является единственной в России и по многим параметрам не имеет аналогов в мире. Кроме фоточувствительных материалов на данной установке выращиваются уникальные квантово-размерные структуры на основе КРТ, которые исследуются во многих научных центрах России, Германии, Франции, США.

Услуги УНУ: (номенклатура — 1 ед.)

Для подачи заявки на оказание услуги щелкните по ее наименованию

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Методики измерений, применяемые на УНУ: (номенклатура — 0 ед.)

Нет данных.

Вернуться к списку УНУ

 

Для просмотра сайта поверните экран