Ваш браузер устарел!

Браузер, которым вы пользуетесь для просмотра этого сайта, устарел и не соответствует современным технологическим стандартам Интернета.

Вы можете установить последнюю версию подходящего браузера, воспользовавшись ссылками ниже:


Вернуться к списку УНУ

Комплекс оборудования для исследования технологий гетерогенной интеграции и кремний-углеродных нанотехнологий

Сокращенное наименование УНУ: УНУ «КУТГИ»

Базовая организация: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук

Ведомственная принадлежность: Минобрнауки России

Классификационная группа УНУ: Стенды для электро-, теплофизических и механических испытаний

Год создания УНУ: 2019

Размер занимаемых УНУ площадей, кв. м: 1500

Сайт УНУ: https://inme-ras.ru/rus/production-base/unu/

Средняя загрузка УНУ — 0%

Заказать услуги УНУ

Контактная информация:

Местонахождение УНУ:

  • Федеральный округ: Центральный
  • Регион: г. Москва
  • 115487, г. Москва, ул. Нагатинская, д. 16а, корп. 11

Руководитель работ на УНУ:

Сведения о результативности за 2019 год (данные ежегодного мониторинга)

Участие в мониторинге: нетЧисло организаций-пользователей, ед.: 0Число публикаций, ед.: 0Загрузка в интересах внешних организаций-пользователей, %: 0.00

Информация об УНУ:

Ключевыми элементами комплекса являются три литографические установки – электронная литография Raith e_LiNE plus 100, система оптической литографии на 300 мм пластинах ASML TWINSCAN XT:400K и лазерный генератор изображения Heidelberg DWL2000. Формирование сложных интегральных и объемных структур на подложках различного типа обеспечивается комплексом технологического оборудования, включающего установки сухого и жидкостного травления, низкотемпературного осаждения слоев различной морфологии и стехиометрии с полностью управляемыми характеристиками и толщинами от нескольких нанометров до десятков микрон. Синтез наноструктурированных материалов обеспечивается установкой на базе реактора Oxford Instruments PlasmaLab100. Исследование характеристик получаемых материалов и структур осуществляется с использованием уникального подкомплекса аналитического оборудования, обеспечивающего решение как материаловедческих задач, так и исследование электрофизических и СВЧ характеристик различных элементов. В его состав входят такие приборы как: ОЖЭ-микроанализатор JAMP-9510F, двухлучевая система микроскопической инспекции FEI Helios G4, FRT MicroProf 300 TTV MFE для измерения топографических характеристик и параметров тонких плёнок, просвечивающий электронный микроскоп JEOL JEM-2100 Plus, стилусный профилометр KLA-Tencor P-17 и многие другие приборы, реализующие контактные и бесконтактные методики исследования.

Главные преимущества, обоснование уникальности установки, в том числе сопоставление УНУ с существующими аналогами, многофункциональность и междисциплинарность УНУ:

Комплекс оборудования для исследования технологий гетерогенной интеграции и кремний-углеродных нанотехнологий включает в себя приборы и оборудования полного цикла исследований в области микро- и наноэлектроники: установку синтеза наноструктурированных материалов, подкомплексы литографического и технологического оборудования, обеспечивающие возможность создания различных объемных и интегральных структур с разрешением менее 10 нм, а также контрольное и аналитическое оборудования для обеспечения высокой точности и достоверности исследований. Комплекс позволяет исследовать наноструктурированные материалы широкого спектра с целью оценки и дальнейшего их применения в технологиях микро- и наноэлектроники и гетерогенной интеграции. В области развития кремний-углеродных технологий отдаленным аналогом могут служить соответствующие подразделения Skywater Technology Foundry (США), в области гетерогенной интеграции – отдельные лаборатории SEA LETI (Франция), Института Фраунгофера (Германия) и IMEC (Нидерланды).

Наиболее значимые научные результаты исследований (краткое описание):

Разработана кинетическая физико-математическая модель синтеза углеродных нанотрубок для создания наноэлектронных элементов кремний-углеродной электроники. Модель учитывает пиролиз углеводородов на поверхности наночастицы катализатора, формирование барьерного слоя на его поверхности, который замедляет и останавливает рост массива нанотрубок, взаимодействие вещества буферного слоя с углеродом в наночастице катализатора. Данная модель позволила глубоко проанализировать механизмы роста углеродных нанотрубок и оптимизировать условия синтеза, а именно: состав каталитических слоев, состав и динамику газовой смеси в реакторе для синтеза, температуру и давление в реакторе. Разработанная модель апробирована и практически применялась для оптимизации технологии синтеза углеродных нанотрубок, синтезированных на кремниевых подложках и никель содержащих катализаторах для наноэлектронных элементов кремний углеродной электроники. Установлена связь частотных характеристик системы с механическими свойствами углеродных нанотрубк, а также с их кинетической индуктивностью и квантовой емкостью. Это позволяет расширить практического использования радиочастотных свойств углеродных нанотрубок (УНТ). Обнаружено резонансное взаимодействие углеродных нанотрубок с током эмиссии с ВЧ электромагнитным излучением. Углеродная нанотрубка обладает высокой добротностью и малыми потерями энергии. Частотой резонанса можно управлять, изменяя напряжение между катодом и анодом эмиссионной системы. Получены условия создания резонансных систем в ТГЦ диапазоне частот электромагнитного излучения Исследована возможность создания и разработаны подходы к формированию радиоприемных устройств интегрального исполнения на основе углеродных нанотрубок. Получены результаты в увеличении амплитуды выходного низкочастотного сигнала посредством увеличения автоэмиссионного тока за счет использования массивов углеродных нанотрубок, в уменьшении рабочего напряжения из-за минимизации расстояния между катодом и анодом, в уменьшении габаритов радиоприемного устройства за счет формирования вакуумированного объема посредством сращивания герметизирующей пластины и подложки, что приводит к повышению стабильности работы и срока службы радиоприемного устройства. Разработаны квантово-химические, термодинамические и кинетические модели легирования углеродных нанотрубок газами. Разработана технология плазменно-химического легирования углеродных нанотрубок водородом, в результате которой водород связывается устойчивыми ковалентными связями с графеновой решеткой углеродных нанотрубок, выращенных на кремниевой подложке. Выявлено два перспективных применения: во-первых, образование устойчивых хранилищ водорода, в которых водород в связанном состоянии может хранится при комнатных температурах более 10 000 000 часов, и управляемо выделяться в нужном количестве и со скоростью, задаваемыми температурой и временем нагрева. Во-вторых получено достигнуто снижение работы выхода электронов с 5 до 3 эВ, в результате снизилось пороговое напряжение холодной эмиссии и эмиссионные токи значительно возросли. Развитие физико-математических моделей и технологии легирования углеродных нанотрубок расширяет возможности развития кремний углеродной наноэлектронки и открывает перспективы новых конструкторских работ в этом направлении. Разработана модель фазового равновесия многокомпонентной системы, содержащей наноразмерные выделения вторых фаз, которая описывает важнейшие параметры формирования наночастиц катализаторов, применяющихся при синтезе углеродных нанотрубок. Разработка выполнена впервые. Модифицировано уравнение Кана-Хилларда для рассмотрения таких систем, а также представлен метод его решения. Разработаны алгоритмы программ моделирования, позволяющие оптимизировать технологические режимы формирования наночастиц катализаторов для низкотемпературного синтеза углеродных трубок, использующихся в наноэлектронных элементах кремний углеродной электроники. Выявлены оптимальные режимы формирования выделений второй фазы. На основе гидродинамической модели проведен анализ кинетики смачивающих переходов в тонкой пленке жидкости на поверхности подложки. Установлена кинетика среднего размера, концентрации и функции распределения пор на поверхности пленки в процессе её разрыва. Изучена кинетика среднего эффективного радиуса и высоты кластеров, их концентрации и функции распределения (по радиусу и высоте). Установлены степенные зависимости, описывающие эволюцию ансамбля кластеров на поздней стадии. Разработана модель генерации поверхностных плазмон-поляритонов ИК диапазона в углеродных наноструктурах (углеродных нанотрубках, планарных графеновых структурах), с токовой накачкой от внешнего источника постоянного электрического тока. Модель предсказывает усиление поверхностной плазмон-поляритонной волны в условиях согласования ее фазовой скорости с дрейфовой скоростью движения носителей заряда тока накачки. При этом коэффициент усиления может превышать коэффициент омических потерь и генерировать излучение в широком спектральном диапазоне, в том числе ТГц и ИК-области. Это позволяет применять подстилающую среду с периодически модулированным показателем преломления для реализации новых оптоэлектронных элементов кремний углеродной электроники. На основе разработанной модели рассчитаны параметры резонатора с распределённой обратной связью, который обеспечивает глубокую модуляцию показателя преломления подложки. Показано, что периодически модулированная подложка может использоваться не только для формирования резонатора с высокой селекцией по усиливаемым модам, но и для реализации вывода излучения из генератора за счет формирования направленного дифракционного излучения, а также для реализации нанотехнологии “Fermi velocity engineering”, позволяющей значительно увеличить дрейфовую скорость носителей заряда пропускаемого через УНТ при протекании тока. Модель делает возможным создание наноразмерных источников когерентного излучения (спазеров) на основе углеродных наноструктур.

Направления научных исследований, проводимых на УНУ:

  • актуальные проблемы физики конденсированных сред в том числе квантовой макрофизики, мезоскопики, физики наноструктур, спинтроники, сверхпроводимости;
  • физическое материаловедение, новые материалы и структуры, в том числе фуллерены, нанотрубки, графены, другие наноматериалы, а также метаматериалы;
  • фундаментальные проблемы физической электроники, в том числе разработка методов генерации, приема и преобразования электромагнитных волн с помощью твердотельных и вакуумных устройств, акустоэлектроника, релятивистская СВЧ-электроника больших мощностей, сверхпроводниковые структуры и устройства для приема и обработки информации;
  • элементная база микроэлектроники, наноэлектроники и квантовых компьютеров, материалы для микро- и наноэлектроники, нано- и микросистемная техника, твердотельная электроника;
  • нанотехнологии, нанобиотехнологии, наносистемы, наноматериалы, нанодиагностика, наноэлектроника и нанофотоника.

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):

    Индустрия наносистем

Приоритетные направления Стратегии НТР РФ (п. 20):

    цифровые технологии, роботизированные системы, новые материалы, большие данные, машинное обучение, искусственный интеллект

Состав УНУ и вспомогательное оборудование: (номенклатура — 39 ед.)

LEI 1510 EC
Фирма-изготовитель:  Semilab LEI
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: бесконтактные измерения электрических характеристик полупроводниковых пластин: три диапазона измерений (Hi,Lo,XLo),16мм диаметр магнитов, зазор между магнитами более 0,889 мм, размер образцов от 50 до 200 мм,  ручная загрузка.

Вакуумная камера с системой визуального прецизионного контроля Cascade PAV200 Semi-automated vacuum probe system
Фирма-изготовитель:  Cascasde Microtech (FormFactor)
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Германия
Год выпуска:  2016
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: Зондирования станция для исследования полупроводниковых устройств на пластинах и кристаллах в условиях контролируемого вакуума при воздействии температуры. Моторизированная платформа предметного стола, с прецизионным   перемещением в Х-У-Z и поворот по углу Тета.  Моторизированная система визуального прецизионного контроля для получения изображения.

Инспекционный микроскоп Nikon Eclipse L200N
Фирма-изготовитель:  Nikon
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Япония
Год выпуска:  2016
Количество единиц:  4
Назначение, краткая характеристика: Проведение визуальной инспекции поверхности образцов в режиме светлого поля; Проведение визуальной инспекции поверхности образцов в режиме темного поля; Измерение геометрических размеров элементов топологии. Оптическое увеличение x5, 10, 20, 50, 100, 150. Полупроводниковые подложки диаметром до 200 мм.

Инспекционный микроскоп Nikon Eclipse L300N
Фирма-изготовитель:  Nikon
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Япония
Год выпуска:  2016
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: 1) Проведение визуальной инспекции поверхности образцов в режиме светлого поля; 2) Проведение визуальной инспекции поверхности образцов в режиме темного поля; 3) Измерение геометрических размеров элементов топологии Размер обрабатываемых подложек: 300мм; Метод загрузки подложек: ручной; Метод проведения измерений: ручной; Увеличение окуляров: 10х; Револьверная головка для объективов; Кол-во объективов: 5 шт; Объективы Nikon TU Plan Fluor (5x/0,15), TU Plan Fluor (10x/0,3); Plan ELWD (20x/0.4); TU Plan ELWD (50х/0,6); TU Plan ELWD (100x/0.8) Камера DS-Ri2: - КМОП-матрица 16,2 МПс; - вывод изображения: RGB 24bit; - формат изображения: цветное; - экспозиция: от 100 мкс до 120 сек;

Комплекс зондов и микроманипуляторов Cascade Probe Systems
Фирма-изготовитель:  Cascasde Microtech (FormFactor)
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Германия
Год выпуска:  2016
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: Назначение, краткая характеристика: Комплект зондов для измерений на постоянном токе или при низкой частоте, а также в высокочастотной области. В температурном диапазоне работы вакуумной камеры в составе Cascade PAV200. СВЧ -позиционер - 4 шт. Триаксиальный позиционер - 4 шт. Ход по осям XYZ : 12х12х12 мм; Разрешение по перемещению <3 мкм. Вакуумный СВЧ зонд, 40 ГГц, GSG, 100 мкм - 4 шт.

Комплект измерительного оборудования Анализатор цепей Keysight N5242A
Фирма-изготовитель:  Keysight Technologies
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2016
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: Анализатор цепей Частотный диапазон: 10 МГц - 26,5 ГГц. Число измерительных портов: 4. Число источников сигналов: 2.   Наличие отдельного тракта шумовых приемников до 26,5 ГГц Динамический диапазон >138 дБ. Наличие встроенных коммутаторов и аттенюаторов сигналов Зашумлённость трассы при полосе фильтра ПЧ 1кГц (амплитуда):  <0,002 дБ . Максимальная  мощность сигнала:  +17 дБм. Типовая минимальная устанавливаемая мощность на измерительном порте -95 дБм . Типовая максимальная устанавливаемая мощность на измерительном порте +30 дБм . Цепи подачи пост. питания: +/-40 В, +/-200 мА.

Многофункциональная система электронно-лучевой литографии Raight e_LiNE plus/Chipscanner 100
Фирма-изготовитель:  Raight GmbH
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Германия
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: Литография электронным пучком Размер пучка ≤ 4 нм при 1 кВ ≤ 1,6 нм при 20 кВ Дрейф тока пучка ≤ 0,5% за 8 часов Дрейф позиции пучка  ≤ 300 нм/час Минимальная периодичность решетки ≤ 40 нм Минимальная ширина линий  ≤ 8 нм Сшивка полей ≤ 40 нм (|среднее| + 3 sigma) Точность совмещения (наведения)  ≤ 40 нм (|среднее| + 3 sigma) Воспроизводимость определения высоты  1мкм

Модуль № 1 линии формирования рисунка на полупроводниковых пластинах диаметром 300 мм: ASML - TWINSCAN XT:400K CLIP TO H
Фирма-изготовитель:  ASML
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Нидерланды
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: Экспонирование (через проекционную линзу с коэффициентом уменьшения 4 пленок светочувствительных материалов, нанесенных на 300мм кремниевые пластины, УФ-излучением (λ=365нм), с использованием фотошаблона (6"), в т.ч. с совмещением по подлежащим топологических слоям Равномерность критического размера (эквив. темные/светлые элементы, ном. разм. 350нм;  доза излучения ±10% от номинальной, дефокус ±0,3 мкм): < 30 нм; Равномерность критического размера (эквив. темные/светлые элементы, ном. разм. 350нм при дозе ±10% от номинальной, оптимальный фокус): < 20 нм; Разрешение (предельное): до 280 нм; Ошибка совмещения топологии по второму слою: до 35 нм;

Модуль № 2 линии формирования рисунка на полупроводниковых пластинах диаметром 300 мм: RF3s i-line 300mm TRACK
Фирма-изготовитель:  DAINIPPON SCREEN
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Япония
Год выпуска:  2016
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: 1) Формирование пленки позитивного фоторезиста Microposit S1813 G2 SP15 в диапазоне толщин 2,2- 2,6 мкм (неравномерность пленки < 2%); 2) Формирование пленки позитивного фоторезиста Ultra-I 123-0,8 в диапазоне толщин 0,85 - 1,1 мкм (неравномерность пленки < 2%); 3) Постэкспозиционная обработка и проявление пленок позитивных фоторезистов проявителем Microposit MF-26A. Размер обрабатываемых подложек: 300мм; Кол-во модулей нанесения материалов: 1; Кол-во модулей проявления материалов: 1; Кол-во модулей температурной обработки: 6; Кол-во модулей обработки в парах ГМДС: 1; Кол-во модулей температурной стабилизации: 2; Кол-во линий подачи материалов: 4; Объем подачи материала в одном рабочем цикле: до 5 мл (точность  ± 0,3 %); Кол-во линий подачи проявителя: 1; Скорость вращения центрифуги: до 5000 об/мин (± 1,5 об/мин); Температура в блоке температурной обработки: до 250 °С (3σ ≤ 2°С (при 250 °С)); Шаг режима температурной обработки: 0,1 °С; Продолжительность одного цикла температурной обработки: до 999 сек;

Модуль № 3 линии формирования рисунка на полупроводниковых пластинах диаметром 300 мм: SU-3100 PRX Etch
Фирма-изготовитель:  Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Япония
Год выпуска:  2016
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: Удаление полимерной высадки в растворе PRX-505  после процессов плазмохимического травления Обрабатываемые пластины: кремниевые подложки, толщиной 775 мкм, диаметром 300 мм. Тип загрузочных кассет: FOUP. 2 идентичных камеры для удаления остатков полимера без возможности обработки обратной стороны.

Модуль № 9 линии формирования рисунка на полупроводниковых пластинах диаметром 300 мм: MicroProf 300 TTV MFE для измерения топографических характеристик и параметров тонких плёнок
Фирма-изготовитель:  FRT FmbH
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Германия
Год выпуска:  2016
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: 1) Измерение толщины и неравномерности тонких прозрачных пленок; 2) Измерение остаточных напряжений тонких пленок; 3) Измерение и параметров профиля элемента топологии (высота, размеры) с использованием АСМ. Размер обрабатываемых подложек: 300мм; Тип обрабатываемых подложек: кремниевые пластины; Тонкопленочный датчик FTR УФ/видимого/ближнего ИК диапазона: - Спектральный диапазон источника излучения: 250 – 1075 нм; - Диапазон измерений: 20 нм – 130 мкм; - Вертикальное разрешение: < 1%, мин. 1 нм - Латеральное разрешение: 100 – 400 мкм Спектрометр CWL: - Диапазон измерений по оси Z: 600 мкм; - Рабочее расстояние: 6,5 мм; - Вертикальное разрешение (макс.): 6 нм; - Латеральное разрешение (макс.): 2 мкм; - Повторяемость : < 0,00009х от измеряемого диапазона; - Точность измерений: < 0,00033х от измеряемого диапазона; Атомно-силовой микроскоп: - Макс. диапазон измерений по осям Х,У: 100 мкм; - Макс. диапазон измеряемых высот: 20 мкм; - Вертикальное разрешение: 0,35 нм; - Линейность измерений в горизонтальной плоскости: 0,6%; - Линейность измерений в вертикальной плоскости: 5%; - Точность измерений в вертикальной плоскости: 3%, мин. 1 нм; - Повторяемость измерений в вертикальной плоскости: 5 нм;

Модуль анализа поверхности кристаллов и пластин - стилусный профилометр KLA-Tencor P-17
Фирма-изготовитель:  KLA-Tencor
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2016
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: Назначение, краткая характеристика: Определение толщины пленок, параметров шероховатости, механического напряжения в пленках по кривизне пластины. Длина единичной трассы сканирования без использования функции сшивки, не менее 200 мм; Латеральное разрешение в направлении сканирования, не более 0.025 мкм; Допустимое количество точек одного 2D-профиля, не менее 2 000 000; Минимальный диапазон скоростей сканирования От 2 мкм/с до 25 мм/с; Минимальный диапазон частоты считывания данных От 5 до 2000 Гц; Минимальный диапазон высот по вертикали От 0 до 327 мкм; Минимальный диапазон усилий на стилус От 0.5 до 50 мг.  

Модуль анализа поверхности кристаллов и пластин (Rs-probe) 280SI
Фирма-изготовитель:  4 dimensions
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2016
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: определение поверхностного сопротивления пленки на пластине. Работа с пластинами 70-200 мм определение поверхностного сопротивления 0,0001Ом/кв.-800кОм/кв, измерительная головка с зондами из карбида вальфрама, диаметр закругления зондов 100 и 300 мкм.

Модуль анализа поверхности кристаллов и пластин (лазерный анализатор поверхности) Рефлекс 405
Фирма-изготовитель:  ООО " Рефлекс Лайт"
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Россия
Год выпуска:  2016
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: детектирование частиц на пластине, диметр частиц 0,2-5 мкм, работа с пластинами 70-300 мм

Модуль ванного типа для исследования процессов травления с двумя шкафами для подачи 6ти реактивов
Фирма-изготовитель:  ООО "Сталис"
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Россия
Год выпуска:  2016
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: Фторопластовая ваная (6 л.) со встроенным нагревателем - 2 шт. Температура химического раствора - от комнатной до 80С Ванна с горячей водой 65С - 2 шт. Стоп-ванна - 2 шт. Промывочная ванна - 2 шт. Контроль провымки по кондуктометру - 2 шт.

Модуль ванного типа для проведения процессов взрывной литографии
Фирма-изготовитель:  ООО "Сталис"
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Россия
Год выпуска:  2016
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: Ультразвуковая ванна со встроенным нагревателем - 2 шт. Температура химического раствора - от комнатной до 80С Стоп-ванна - 1 шт. Промывочная ванна - 1 шт. Контроль провымки по кондуктометру - 1 шт.

Модуль ванного типа для снятия слоев в органических растворах
Фирма-изготовитель:  ООО "Сталис"
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Россия
Год выпуска:  2016
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: Металлическая ванна из нержавеющей стали (6 л.) со встроенным нагревателем - 2 шт. Температура химического раствора - от комнатной до 80С Ванна с горячей водой 65С - 2 шт. Стоп-ванна - 2 шт. Промывочная ванна - 2 шт. Контроль провымки по кондуктометру - 2 шт.

Модуль ванного типа для снятия фоторезистивных слоев и химической обработки в неорганических растворах с дополнительным модулем универсальным (с центрифугой для отмывки и сушки фотошаблонов)
Фирма-изготовитель:  ООО "Сталис"
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Россия
Год выпуска:  2016
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: Металлическая ванна из нержавеющей стали (6 л.) со встроенным нагревателем - 1 шт. Температура химического раствора - от комнатной до 80С Каскадная ванна - 1 шт. Центрифуга для сушки фотошаблонов - 1 шт.

Модуль ванного типа для травления диэлектрических слоев
Фирма-изготовитель:  ООО "Сталис"
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Россия
Год выпуска:  2016
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: Фторопластовая ванна (6 л.) со встроенным нагревателем - 2 шт. Температура химического раствора - от комнатной до 80С Стоп-ванна - 2 шт. Промывочная ванна - 2 шт. Контроль провымки по кондуктометру - 2 шт.

Модуль ванного типа для травления кремния со шкафом для подачи 2х реактивов
Фирма-изготовитель:  ООО "Сталис"
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Россия
Год выпуска:  2016
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: Фторопластовая ваная (6 л.) со встроенным нагревателем - 2 шт. Температура химического раствора - от комнатной до 80С Ванна с горячей водой 65С - 2 шт. Стоп-ванна - 2 шт. Промывочная ванна - 2 шт. Контроль провымки по кондуктометру - 2 шт.

Модуль ванного типа для травления металлов
Фирма-изготовитель:  ООО "Сталис"
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Россия
Год выпуска:  2016
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: Фторопластовая ванна (6 л.) со встроенным нагревателем - 2 шт. Температура химического раствора - от комнатной до 80С Стоп-ванна - 2 шт. Промывочная ванна - 2 шт. Контроль провымки по кондуктометру - 2 шт.

Модуль ванного типа для удаления полимерных образований
Фирма-изготовитель:  ООО "Сталис"
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Россия
Год выпуска:  2016
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: Металлическая ванна из нержавеющей стали (6 л.) со встроенным нагревателем - 2 шт. Температура химического раствора - от комнатной до 80С Ванна с горячей водой 65С - 2 шт. Стоп-ванна - 2 шт. Промывочная ванна - 2 шт. Контроль провымки по кондуктометру - 2 шт.

Модуль газофазного травления диэлектрических слоев PRIMAXX Monarch 3
Фирма-изготовитель:  SPTS Technologies
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: Изотропное травление оксидов и нитридов. Автоматический загрузочный модуль на 3 пластины диаметром 100 мм; Нагрев стенок рабочей камеры от 35 до 45 градусов; Газовые детекторы на HF и пары спирта

Модуль ионно-лучевого травления Oxford Instruments IonFab 300 Plus
Фирма-изготовитель:  Oxford Instruments Plasma Technology
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Великобритания
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: Ионно-лучевое травление полупроводниковых слоев. Нагрев стенок рабочей камеры до 80 градусов; Водоохлаждаемый ( постоянная температура в диапазоне +5 - + 60 градусов)  подложкодержатель с прижимным механизмом для пластин диаметром 100 мм; Подложкодержатель оснащен поворотным механизмом для изменения угла по отношению падающему пучку ионов в диапазоне от -90 до + 55 градусов и механизм вращение относительно оси с макс. скоростью 20 об/мин.; Ионный источник диаметром 35 см оснащенный генератором с частотой 13,56 МГц и мощностью 3000 Вт; Контроль состава распыляемых материалов осуществляется модулем ВИМС.

Модуль нанесения и проявления фоторезиста Suss Gamma
Фирма-изготовитель:  Suss MicroTec
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Германия
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: 2 автоматических загрузочных модуля по 25 пластин диаметром 100мм; Модули термообработки с максимальным значением нагрева 250°C, охлаждения от 15 до 30°C, нанесения ГМДС с максимальным значением нагрева 250°C, нанесения фоторезиста ценрифугированием 10 – 4000 об/мин, Нанесение фоторезиста распылением, проявления фоторезиста.

Модуль операционного контроля
Фирма-изготовитель:  ООО "Сталис"
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Россия
Год выпуска:  2016
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: Не применимо

Модуль прецизионного напыления металлов EVOVAC
Фирма-изготовитель:  Angstrom Enineering Inc
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Канада
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: Магнетронное, электронно-лучевое и термическое распыление проводящих, диэлектрических, магнитных материалов. Электронно-лучевой испаритель 8кВт 6 тиглей, DC магнетрон 700Вт 76,2мм , HF-магнетрон 1400 Вт 76,2мм, 2 резистивных  нагревательных источника темп. до 1500оС, ионный источник K&R  для ионной зачистки и ассистирования, 3 линии  напуска реактивных процессных газов. Криогенный вакуумный насос.

Модуль синтеза углеродных наноструктурированных материалов Oxford Instruments PlasmaLab100
Фирма-изготовитель:  Oxford Instruments
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Великобритания
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: Синтез углеродных наноструктурированных материалов. Рабочее давление – 300 – 1200 мТорр, конформное осаждение, точный контроль стехиометрии пленки, используемые газы: CF4, N2, N2O, NH3, SiH4, подогреваемый нижний электрод (до 1100оС)

Модуль технологической обработки и подготовки пластин (центрифуги) CLASSONE 8800 TRIDENT SRD
Фирма-изготовитель:  ClassOne Technology
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2016
Количество единиц:  3
Назначение, краткая характеристика: Финальная отмывка и сушка платин после жидкохимических процессов травления и отмывки кремниевых пластин диаметром 100мм. Камера для отмывки и сушки - 2 шт. Скорость вращения - от 100 до 3000 об Температура азота во время сушки - от 25С до 80С Отмывка деионизованной водой. Подогреваемые стенки камеры. Контроль отмывки по сопротивлению воды.

Модуль технологической обработки и подготовки пластин. Центрифуга SM200
Фирма-изготовитель:  Sawatec
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Швейцария
Год выпуска:  2016
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: Нанесение полимеров методом центрифугирования. Скорость: от 1 до 6000 об/мин +- 1 об/мин, расхождение заданной и фактической скорости <+-1%, ускорение 0-6000 об/мин. за 0.6 сек, задержка: 6000 об/мин-0 за 0,6 сек, время обработки до 9999 секунд с шагом 0,1 сек, продолжительность дозирования 999 сек/сегмент.

Модуль формирования топологического рисунка Heidelberg DWL-2000
Фирма-изготовитель:  Heidelberg
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Германия
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: Сменные пишущие линзы (головы) на 0,5 и 0,7 мкм, Источник излучения: диодный лазер — 405 нм, 100 мВт, размер обрабатываемых подложек и пластин до 9 х 9 дюймов, размер поля экспонирования до 200 х 200 мм² (минимум 5х5 мм²), скорость письма (экспонирования) от 6 до 1000мм² в зависимости от выбора пишущей линзы, погрешность позиционирования подложки 10 нм.

ОЖЭ-микроанализатор с термополевым катодом JAMP-9510F
Фирма-изготовитель:  JEOL Japanese Electron Optics Laboratory Джеол
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Япония
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: Определение качественного и количественного состава образца; Определение распределения атомов по глубине образца; Картирование распределения атомов по поверхности образца. Латеральное разрешение в СЭМ 3 нм; латеральное разрешение в режиме Оже-картирования 10 нм; предел обнаружения ~0,5 ат. % и зависит от типа атома и времени исследования; энергия электронного пучка 0,5 - 30 кэВ; энергия ионного пучка 0,1 - 3 кэВ

параметрический характериограф Keysight В1500А
Фирма-изготовитель:  Keysight Technologies
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2016
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: Параметрический характериограф (анализатор параметров полупроводниковых приборов) Модуль источника измерителя высокой мощности (2шт.): диапазон напряжений от -200 В до +200 В; токов от -1 А до + lА; разрешающая способность измерения 2 мкВ, 10 фА. Модуль высокого разрешения (2 шт.): диапазон напряжений от -100 В до + 100 В, токов от -100 мА до + 100 мА , разрешающая способность измерения 0,5 мкВ , 1 фА. Модуль измерителя емкости: частотный диапазон тестового сигнала от 1 кГц до 5 МГц; уровень выходного сигнала: от 10 мВ до 250 мВ; разрешение : 1 мВ; разрешающая способность измерения емкости 0,1фФ Модуль импульсного генератора: минимальная длительность импульса 12,5 нс, длительность перепада 10 нс; уровень напряжения до 40 В.

Просвечивающий электронный микроскоп JEOL JEM-2100 Plus
Фирма-изготовитель:  JEOL Japanese Electron Optics Laboratory Джеол
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Япония
Год выпуска:  2016
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: Просвечивающая электронная микроскопия; Сканирующая просвечивающая электронная микроскопия; Элементный анализ; Дифракция. Разрешение • В точке – 0.23 нм • Латеральное – 0.14 нм Ускоряющее напряжение • 80 – 200 кВ Увеличение • Х2,000 – 1,500,000 • Х50 – 6,000 • Х8,000 – 800,000 • Х80 – 2,000

Реакторный модуль плазмохимического травления металлических, диэлектрических и слоев фоторезистивных слоев LAM 2300
Фирма-изготовитель:  Lam Research
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: 1) Плазмохимическое травление диэлектрических пленок (нелегированный оксид SiO2 и фосфоросиликатное стекло PSG) с использованием функции автоматической остановки травления. 2) Плазмохимическое травление слоев металлизации с использованием функции автоматической остановки травления. Посткоррозийная обработка. 3) Плазменное удаление фоторезиста. Обрабатываемые пластины: кремниевые подложки, толщиной 775 мкм, диаметром 300 мм. Тип загрузочных кассет : FOUP. Количество модулей процесса: 3. Характеристики модулей: 1) Название модуля - Exelan Flex, используется для травления диэлектрических слоёв (SiO2, Si3N4). 2) Название модуля - Versys Metal, используется для травления металлических слоев (Al, Ta). 3) Название модуля - Microwave Stripper, используется для плазменной очистки пластин и травления фоторезистивных слоев.

Система микроскопической инспекции FEI Helios G4CX
Фирма-изготовитель:  FEI Company
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Нидерланды
Год выпуска:  2016
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: Назначение, краткая характеристика: электронная микроскопия, ионная микроскопия, модификация, элементный анализ, зондирование Разрешение электронного пучка При оптимальном рабочем расстоянии: - 0,6 нм при 30 кВ ПСЭМ - 0,7 нм при 1 кВ - 1,0 нм при 500 В (встроенный в колонну детектор (ICD)) Разрешение ионного пучка в точке схождения - 4,0 нм при 30 кВ - 2,5 нм при 30 кВ

Система плазменной очистки модели TETRA 30
Фирма-изготовитель:  Diener Electronic
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Германия
Год выпуска:  2016
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: Плазмохимическая очистка поверхности кремниевых пластин диаметром 100мм. Количество газовых линий - 4 шт. (Ar, O2, H2/N2, N2); Объем вакуумной камеры 34 л.; Электрод с режимом работы Electron Free/Downstream Mode; Генератор: частота - 13.56 МГц, Мощность 0 - 600 Вт, автоматическое согласование; Нагрев стола от 25 до 300 градусов С.

Установка для осаждения диэлектрических пленок DCVD CENTURA AP SYSTEM
Фирма-изготовитель:  Applied Materials
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: 1) Осаждение пленок оксида кремния (SiO2). 2) Осаждение пленок фосфоросиликатного стекла (PSG) Скорость осаждения: 300 нм/мин Разброс толщины в пределах одной пластины: 2%

Установка импульсного отжига ANNEALSYS AS-One
Фирма-изготовитель:  Annealsys
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Франция
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1
Назначение, краткая характеристика: Рекристаллизационный отжиг пластины Si/TiOx. Вакуумная камера, на 1 пластину диаметром 100мм. ИК-нагреватель 15кВт, темп. нагрева до 1100оС, водяное охлаждение вакуумной камеры, напуск процессных газов Ar, O2, N2

Услуги УНУ: (номенклатура — 36 ед.)

Для подачи заявки на оказание услуги щелкните по ее наименованию

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Методики измерений, применяемые на УНУ: (номенклатура — 0 ед.)

Нет данных.

Вернуться к списку УНУ

 

Для просмотра сайта поверните экран