Ваш браузер устарел!

Браузер, которым вы пользуетесь для просмотра этого сайта, устарел и не соответствует современным технологическим стандартам Интернета.

Вы можете установить последнюю версию подходящего браузера, воспользовавшись ссылками ниже:


Вернуться к списку УНУ

Комплекс плазмохимического синтеза и анализа наноструктур

Сокращенное наименование УНУ: КПС и АНС

Базовая организация: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Сибирский федеральный университет»

Ведомственная принадлежность: Минобрнауки России

Классификационная группа УНУ:

Год создания УНУ: 2007

Размер занимаемых УНУ площадей, кв. м: 200

Заказать услуги УНУ

Контактная информация:

Местонахождение УНУ:

  • Федеральный округ: Сибирский
  • Регион: Красноярский край
  • 660074, г. Красноярск, ул. Киренского, д. 26

Руководитель работ на УНУ:

  • Лепешев Анатолий Александрович
  • +7 (391) 2912119
  • sfu-unesco@mail.ru

Сведения о результативности за 2017 год (данные ежегодного мониторинга)

Участие в мониторинге: нетЧисло организаций-пользователей, ед.: 0Число публикаций, ед.: 0Загрузка в интересах внешних организаций-пользователей, %: 0.00

Информация об УНУ:

Рентгеновский поликристалльный дифрактометр с геометрией тета-тета.  Предназначен для качественного и количественного рентгенофазового, а также рентгеноструктурного анализа порошковых материалов.

Главные преимущества, обоснование уникальности установки, в том числе сопоставление УНУ с существующими аналогами, многофункциональность и междисциплинарность УНУ:

В настоящее время дуговые разряды низкого давления применяются в основном для получения высокоионизированной плазмы, состоящей из ионов материала распыляемых электродов. Сдерживающим фактором использования дуговых разрядов низкого давления для получения УДП является наличие крупных, более 1 мкм, частиц в продуктах эрозии электродов. При плазмохимическом синтезе используется низкотемпературная (4 000–8 000 К) азотная, аммиачная, углеводородная, аргоновая плазма дугового, тлеющего, высоко- или сверхвысокочастотного разрядов; в качестве исходного сырья применяют элементы, их галогениды и другие соединения. Характеристики получаемых порошков зависят от используемого сырья, технологии синтеза и типа плазмотрона. Продукты плазмохимического синтеза порошков имеют дисперсность от 10 до 100-200 нм и более. Плазмохимический синтез обеспечивает высокие скорости образования и конденсации соединения и отличается достаточно высокой производительностью. Главные недостатки плазмохимического синтеза – широкое распределение частиц по размерам и, вследствие этого, наличие довольно крупных (до 1–5 мкм) частиц, и высокое содержание примесей в порошке.

Наиболее значимые научные результаты исследований (краткое описание):

К настоящему времени плазмохимическим методом получены высокодисперсные порошки нитридов титана, циркония, гафния, ванадия, ниобия, тантала, бора, алюминия и кремния, карбидов титана, ниобия, тантала, вольфрама, бора и кремния, оксидов магния, иттрия и алюминия. Наиболее широко плазмохимический метод применяется для синтеза нитридов переходных металлов IV и V групп с размероми частиц менее 50 нм. Температура плазмы, доходящая до 10 000 К, определяет наличие в ней ионов, электронов, радикалов и нейтральных частиц, находящихся в возбужденном состоянии. Это приводит к высоким скоростям взаимодействия и быстрому (за 10–3-10–6 с) протеканию реакций. Высокая температура обеспечивает переход практически всех исходных веществ в газообразное состояние с их взаимодействием и последующей конденсацией продуктов. Наиболее высокой мощностью и коэффициентом полезного действия обладают дуговые плазмотроны, однако получаемые в них материалы загрязнены продуктами эрозии электродов.

Направления научных исследований, проводимых на УНУ:

  • синтез оксидов в плазме электродугового разряда путем испарения металла с последующим окислением паров или окислением частиц металла в кислородсодержащей плазме, образование нанопорошков оксида алюминия с минимальным размером частиц (размером 10–30 нм);
  • получение особо чистых слоев материалов, обладающих специальными свойствами и выполняющих активные функции (пассивных и активных элементов интегральных схем, магнитных, оптических, эмиссионных, сверхпроводящих и других слоев);
  • защита материалов барьерными слоями со специальными свойствами, обеспечивающими длительный срок службы изделий в условиях высоких температур, агрессивных сред, высоких скоростей газовых потоков и высоких нагрузок (различные покрытия).

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):

    Индустрия наносистем

Состав УНУ и вспомогательное оборудование: (номенклатура — 7 ед.)

Анализатор наноструктур CPS DC24000
Фирма-изготовитель:  "NETZSCH", Германия
Год выпуска:  2009
Количество единиц:  1

Прибор для динамического механического анализа DMA 242
Фирма-изготовитель:  "NETZSCH, Германия
Год выпуска:  2007
Количество единиц:  1

Приборы синхронного термического анализа ТГ-ДТА/ДСК STA/
Фирма-изготовитель:  "NETZSCH,Германия
Год выпуска:  2007
Количество единиц:  1

Просвечивающий электронный микроскоп JEOL JEM-2100/
Фирма-изготовитель:  JEOL, Япония
Год выпуска:  2007
Количество единиц:  1

Растровый электронный микроскоп JEOL JSM-6490 LV
Фирма-изготовитель:  JEOL, Япония
Год выпуска:  2007
Количество единиц:  1

Рентгеновский дифрактометр XRD 7000
Фирма-изготовитель:  Shimadzu, Япония
Год выпуска:  2007
Количество единиц:  1

Установка плазмохимического синтеза наноструктурных материалов
Фирма-изготовитель:  ИСЭ СО РАН г. Томск, Россия
Год выпуска:  2005
Количество единиц:  1

Услуги УНУ: (номенклатура — 6 ед.)

Для подачи заявки на оказание услуги щелкните по ее наименованию

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Науки о жизни

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Методики измерений, применяемые в ЦКП: (номенклатура — 3 ед.)

Методики и программное обеспечение для проведения измерений физико-химических свойств материалов. Методики проведения структурных исследований металлических, полупроводниковых и керамических материалов методами просвечивающей электронной микроскопии, проведение исследований поверхности металлических, полупроводниковых и керамических материалов методами растровой электронной микроскопии, методики рентгенофазового анализа поликристаллических материалов, неорганических порошков, сплавов, минерального сырья, руд, горных пород, некоторых органических материалов; рентгеноструктурный анализ; анализ керамики, огнеупоров, объектов окружающей среды, катализаторов, металлов, сплавов, пакет программного обеспечения для обработки дифрактограмм, фазовой идентификации, количественного анализа многофазных образцов по методу Ритвельда; определение размеров кристаллитов и микронапряжений по профилю линий. Методики многоэлементного анализа высокочистых веществ, нанообъектов, тонких пленок, определение изотопного состава

Модельные исследования атомной и электронной структуры нанокластеров; исследования атомной и электронной структуры нанокластеров на основе соединений металлов и неметаллов; исследований структуры и свойств наноматериалов

Нанесение защитных и многофункциональных покрытий в плазме догового разряда низкого давления, обработка поверхностей инструмента, деталей или оснастки при помощи высокоэнергетических плазменных пучков, ионное плакирование порошковых и волокнистых материалов. Синтез нанодисперсных материалов.

Вернуться к списку УНУ

 

Для просмотра сайта поверните экран