Ваш браузер устарел!

Браузер, которым вы пользуетесь для просмотра этого сайта, устарел и не соответствует современным технологическим стандартам Интернета.

Вы можете установить последнюю версию подходящего браузера, воспользовавшись ссылками ниже:


Вернуться к списку ЦКП

Центр коллективного пользования «Центр по исследованию высокотемпературных сверхпроводников и других сильнокоррелированных электронных систем»

Сокращенное наименование ЦКП: ЦКП ФИАН

Базовая организация: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт имени П.Н. Лебедева Российской академии наук

Ведомственная принадлежность: Минобрнауки России

Год создания ЦКП: 2004

Сайт ЦКП: http://sites.lebedev.ru/cac/

Заказать услуги ЦКП

Контактная информация:

Местонахождение ЦКП:

  • Федеральный округ: Центральный
  • Регион: г. Москва
  • 119991, г. Москва, Ленинский пр-т, д. 53

Руководитель ЦКП:

  • Пудалов Владимир Моисеевич, доктор физико-математических наук, профессор, член-корреспондент РАН
  • +7 (499) 1326499
  • pudalovvm@lebedev.ru

Контактное лицо:

  • Мицен Кирилл Владимирович, кандидат физико-математических наук
  • +7 (499) 1326302
  • mitsenkv@lebedev.ru

Сведения о результативности за 2021 год (данные ежегодного мониторинга)

Участие в мониторинге: даЧисло организаций-пользователей, ед.: 41Число публикаций, ед.: 14Загрузка в интересах внешних организаций-пользователей, %: 40.49

Краткое описание ЦКП:

Центр по исследованию высокотемпературных сверхпроводников и других сильно-коррелированных электронных систем был создан 2004г. как структурное подразделение Физического института им. П.Н. Лебедева на базе трех отделений ФИАН.
Основные направления научной деятельности ЦКП:
- Исследование сверхпроводимости, включая ВТСП
- Исследование мезоскопических систем, а также новых материалов для элементной базы микроэлектроники, наноэлектроники и квантовых компьютеров
- Исследование низкоразмерных электронных систем в полупроводниках
- Исследование органических материалов
- Исследование эффектов сильных межэлектронных корреляций
- Исследование магнетизма и магнитных материалов

Направления научных исследований, проводимых в ЦКП:

  • Исследование сверхпроводимости, включая ВТСП;
  • Исследование мезоскопических систем, а также новых квантовых материалов для элементной базы микроэлектроники, наноэлектроники и квантовых компьютеров;
  • Исследование низкоразмерных электронных систем в полупроводниках;
  • Исследование органических материалов;
  • Исследование эффектов сильных межэлектронных корреляций;
  • Исследование магнетизма и магнитных материалов.

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):

  • Индустрия наносистем
  • Информационно-телекоммуникационные системы
  • Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика

Приоритетные направления Стратегии НТР (п. 20):

    цифровые технологии, роботизированные системы, новые материалы, большие данные, машинное обучение, искусственный интеллект

Фотографии ЦКП:

Научное оборудование ЦКП (номенклатура — 31 ед., нет данных о загрузке за 2022 год):

Измерительная установка «0.3К/21Тл» для измерений проводимости, магнитосопротивления и магнитной восприимчивости в магнитном поле 21Тл при температурах 0,3-300К (входит в состав УНУ Экстрим)
Загрузка прибора: нет данных за 2022 год
Марка:  0.3К/21Т
Фирма-изготовитель:  Cryogenic Limited
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Великобритания
Год выпуска:  2009
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  нет

Измерительная установка - автоматизированный СКВИД-магнитометр MPMS-7 (в составе УНУ ЭКСТРИМ)
Загрузка прибора: нет данных за 2022 год
Марка:  MPMS-XL7
Фирма-изготовитель:  Quantum Design EasyLab Technologies Ltd
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2005
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Измерительная установка «0.3K/7Тл» для измерения магнитотранспорта и его анизотропии в магнитном поле
Загрузка прибора: нет данных за 2022 год
Марка:  «Intermagnetics»,CTI-1400
Фирма-изготовитель:  «Intermagnetics», Cryogenic Technology Incorporated
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Россия; Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2005
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  нет

Измерительная установка СКВИД-магнитометр
Загрузка прибора: нет данных за 2022 год
Марка:  О1
Фирма-изготовитель:  "ФИАН, Stanford Research, SHE, LakeShore"
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Россия; Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2007
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Интерференционный микроскоп ЛЮМАМ И-3 (ЛОМО)
Загрузка прибора: нет данных за 2022 год
Марка:  ЛЮМАМ
Фирма-изготовитель:  ОАО ЛОМО
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Россия
Год выпуска:  2011
Количество единиц:  1

Инфракрасный Фурье-спектрометр высокого разрешения
Загрузка прибора: нет данных за 2022 год
Марка:  IFS 125 HR
Фирма-изготовитель:  Bruker Optics GmbH
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Германия
Год выпуска:  2013
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Комплекс аппаратуры для изготовления полевых МДП структур
Загрузка прибора: нет данных за 2022 год
Марка:  МДП-3
Фирма-изготовитель:  ФИАН
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Россия; Соединённые Штаты Америки; Япония
Год выпуска:  2007
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  нет

Комплекс аппаратуры для измерений транспортных свойств материалов в диапазоне давлений 0-3ГПа (в составе УНУ ЭКСТРИМ)
Загрузка прибора: нет данных за 2022 год
Марка:  КВД-3, КВД-2, NI-488
Фирма-изготовитель:  ФИАН
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Россия
Год выпуска:  2007
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Комплект оборудования для твердофазного синтеза, включая: планетарную мельницу; прибор для обработки металлов в атмосфере аргона; пилу алмазную настольную
Загрузка прибора: нет данных за 2022 год
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Россия
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1

Многофункциональная измерительная криомагнитная установка CFMS-16
Загрузка прибора: нет данных за 2022 год
Марка:  CFMS-16
Фирма-изготовитель:  Cryogenic Limited
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Великобритания
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Многофункциональный автоматизированный комплекс PPMS-9 для проведения электрических, магнитных и температурных измерений свойств материалов (в составе УНУ ЭКСТРИМ)
Загрузка прибора: нет данных за 2022 год
Марка:  PPMS-9
Фирма-изготовитель:  Quantum Design
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2006
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Низкотемпературный сверхвысоковакуумный сканирующий туннельный микроскоп
Загрузка прибора: нет данных за 2022 год
Марка:  Unisoku USM-130
Фирма-изготовитель:  UNISOKU Co., Ltd.
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Япония
Год выпуска:  2017
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Рентгеновский дифрактометр X’Pert PRO MRD (PANAlytical)
Загрузка прибора: нет данных за 2022 год
Марка:  X’Pert PRO MRD
Фирма-изготовитель:  «PANAlytical BV»
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Нидерланды
Год выпуска:  2007
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Сдвоенные герметичные перчаточные боксы со шлюзами, муфельной печью, шаровой мельницей, аналитическими весами
Загрузка прибора: нет данных за 2022 год
Марка:  СПЕКС GB-02 Retsch-MM 400
Фирма-изготовитель:  СПЕКС, Retsch, Fritsch
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Германия; Россия; Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2009
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Система измерения магнитных свойств на переменном токе на основе моста с перестраиваемой частотой АН 2700С
Загрузка прибора: нет данных за 2022 год
Марка:  АН 2700С
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1

Сканирующий зондовый микроскоп Solver Pro
Загрузка прибора: нет данных за 2022 год
Марка:  «Solver Pro»
Фирма-изготовитель:  НТ-МДТ
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Россия
Год выпуска:  2007
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Установка - вибрационный магнитометр для измерений намагниченности в полях до 21Тесла и в диапазоне температур 1,4 - 300К (в составе УНУ ЭКСТРИМ)
Загрузка прибора: нет данных за 2022 год
Марка:  VSM
Фирма-изготовитель:  Cryogenic Limited
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Великобритания
Год выпуска:  2009
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Установка ARPES VG SCIENTA АВ,
Загрузка прибора: нет данных за 2022 год
Марка:  VG SCIENTA АВ,
Фирма-изготовитель:  SCIENTA
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Швеция
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Установка Helios NanoLab 660 для нанолитографии
Загрузка прибора: нет данных за 2022 год
Марка:  Helios NanoLab 660
Фирма-изготовитель:  Fei
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Установка TOR для напыления тонких металлических и диэлектрических пленок методом магнетронного распыления и электронно-лучевого испарения
Загрузка прибора: нет данных за 2022 год
Марка:  EB4P3KW-TH1-3G2-SP-DC/RF
Фирма-изготовитель:  Torr
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2008
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  нет

Установка для подготовки образцов к измерениям методом ультразвуковой микросварки
Загрузка прибора: нет данных за 2022 год
Марка:  4523D
Фирма-изготовитель:  Kulicke & Soffa Industries
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Сингапур
Год выпуска:  2007
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  нет

Установка для выращивания стандартных образцов высокосовершенных монокристаллов методом бестигельной зонной плавки с оптическим нагревом
Загрузка прибора: нет данных за 2022 год
Марка:  FZ-T-4000-H-VI-VPO-PC
Фирма-изготовитель:  «Crystal Systems Corp.»
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Япония
Год выпуска:  2007
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  нет

Установка для измерений при сверхнизких температурах до 10мК, в диапазоне частот до 20ГГц
Загрузка прибора: нет данных за 2022 год
Марка:  BF-250LD
Фирма-изготовитель:  Bluefors
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Финляндия
Год выпуска:  2010
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Установка для измерений спектров квазичастичных возбуждений ВТСП методами Андреевской и Джозефсоновской спектроскопии при температурах 1.6К-300К
Загрузка прибора: нет данных за 2022 год
Марка:  Zurich Instruments
Фирма-изготовитель:  Zurich Instruments
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Швейцария
Год выпуска:  2016
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Установка для измерений температурной зависимости химического потенциала в диапазоне температур 4,2-300К
Загрузка прибора: нет данных за 2022 год
Марка:  ChP-2
Фирма-изготовитель:  ФИАН
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Россия
Год выпуска:  2013
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Установка для лазерной литографии, включая генератор изображения лазерный Heidelberg mPG101, с антивибрационным гранитным столом; блоками нанесения и сушки фоторезиста.
Загрузка прибора: нет данных за 2022 год
Марка:  mPG101
Фирма-изготовитель:  Heidelberg
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Германия
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Установка для напыления пленок PLD/MBE модель PVD-2300 (PVD)
Загрузка прибора: нет данных за 2022 год
Марка:  PVD-2300
Фирма-изготовитель:  PVD
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1

Установка для рентгеноструктурного анализа Rigaku Miniflex 600
Загрузка прибора: нет данных за 2022 год
Марка:  Miniflex 600
Фирма-изготовитель:  Rigaku
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Япония
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1

Установка плазмохимической очистки
Загрузка прибора: нет данных за 2022 год
Марка:  УПХОА-5300
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Китайская Республика (Тайвань)
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Установка по измерению переходных процессов в ВТСП устройствах и измерению критических токов в длинномерных ВТСП проводах
Загрузка прибора: нет данных за 2022 год
Марка:  ВТСП-1
Фирма-изготовитель:  ФИАН, National Instruments
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Россия; Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2008
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  нет

Электронный растровый микроскоп c приставками для измерения катодолюминесценции и элементного анализа методом EDS
Загрузка прибора: нет данных за 2022 год
Марка:  JSM 7001FA
Фирма-изготовитель:  JEOL
Страна происхождения фирмы-изготовителя:  Япония
Год выпуска:  2009
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Услуги ЦКП (номенклатура — 20 ед.):

Для подачи заявки на оказание услуги щелкните по ее наименованию

Краткое описание услуги:  Бесконтактные измерения локальных значений плотности критического тока сверхпроводящих ВТСП-лент и пленок. Предлагаемая индукционная методика основана на измерении полного нелинейного отклика образца на переменное магнитное поле, наводимое внешней микрокатушкой, расположенной у поверхности образца.

Краткое описание услуги:  Пленочная МДП структура на поверхности исследуемых материалов (полуметаллов или полупроводников) создается нанесением органического диэлектрика методом CVD. Изготовление таких структур необходимо для проведения измерений вариаций химического потенциала образцов.

Краткое описание услуги:  Изготовление стандартных образцов тонких эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников YBaCuO и FeSe(Te) методом лазерного напыления с фильтрацией скорости частиц

Краткое описание услуги:  Анизотропия тензора проводимости испытуемых материалов измеряется путем прецизионного вращения образца относительно направления магнитного поля. Диапазон магнитных полей - до 14Т, диапазон температур 0,4 - 300К.

Краткое описание услуги:  Измеряются компоненты тензора сопротивления образца, помещенного в криостат с магнитным полем до ~14Т. Диапазон температур 0,4 - 300К. Измерения проводятся 4-контактным методом на переменном или постоянном токе.

Краткое описание услуги:  Измерение критических токов и переходных процессов в устройствах и проводах на основе высокомемператрных сверхпроводников

Краткое описание услуги:  Измерение спектров отражения и поглощения объмных и пленочных материалов и гетероструктур в диапазоне длин волн 0,5мкм- 1мм (c разрешением до 0,01см-1) и в диапазоне температур 4,2-300К с помощью инфракрасного спектрометра сверхвысокого разрешения IFS-125H

Краткое описание услуги:  Измерения геометрического и потенциального профиля поверхности проводящих материалов методом СТМ и АФМ при комнатной температуре с помощью зондового микроскопа SolverPro

Краткое описание услуги:  Измерения производной химического потенциала по температуре проводятся емкостным методом при помощи изготовляемой на поверхности испытуемого объемного или пленочного образца полевой структуры металл-диэлектрик- исследуемый образец. Диапазон температур - 4 - 300К. Результат измерений - температурная зависимость энтропии на 1 электрон и теплоемкости на 1 электрон.

Краткое описание услуги:  Измерения катодолюминесценции поверхности образцов с помощью электронного микроскопа JSM-7001FA

Краткое описание услуги:  Измерения параметров решетки, толщины и состава монокристаллических эпитаксиальных квантовых ям полупроводниковых и металлических структур с помощью дифрактометра X'PertPRO MRD

Краткое описание услуги:  Измерения полевой и температурной зависимостей AC-магнитной восприимчивости и магнитного момента материалов в диапазоне температур 1,8 – 350К и магнитных полей до 9Тл с помощью многофункционального автоматизированного комплекса для измерения физических свойств «PPMS-9». Измерения проводятся индуктивным методом на низкой частоте.

Краткое описание услуги:  Измерения полевой и температурной зависимостей магнитного момента материалов в диапазоне температур 2 – 500К и магнитных полей до 7Тл с помощью автоматизированного СКВИД-магнитометра «MPMS-XL-7» с порогом чувствительности 10-8 emu

Краткое описание услуги:  Измерения теплоемкости материалов и структур в диапазоне температур 0,4-400К и в магнитных полях до 9Тесла с помощью многофункционального автоматизированного комплекса для измерения физических свойств «PPMS-9»

Краткое описание услуги:  Измерения теплопроводности металлических и полупроводниковых структур в диапазоне температур 1,8-400К и в магнитных полях до 9Тесла с помощью многофункционального автоматизированного комплекса для измерения физических свойств «PPMS-9»

Краткое описание услуги:  Измеряются две компоненты тензора сопротивления испытуемого образца в зависимости от магнитного поля (0 - 9Т) и температуры (0.35 - 400К). Измерения проводятся на переменном токе низкой частоты, 4-контактным методом, с помощью синхронного детектирования.

Краткое описание услуги:  Измерение транспортных свойств образцов (тензор проводимости и его анизотропия относительно вектора магнитного поля) в условиях высокого гидростатического давления до 3ГПа, в диапазоне температур 0,3 - 300К и полей до 21Т.

Краткое описание услуги:  Измерения фазового состава поликристаллических порошковых образцов на дифрактометре ДРОН-2 методом Ритвальда

Краткое описание услуги:  Измерения энергетических щелей в спектре сверхпроводниковых материалов проводятся формированием микроконтакта на микротрещине. Измерения проводятся в режимах Андреевского отражения и многократного Андреевского отражения на одиночных контактах и цепочках контактов.

Методики измерений, применяемые в ЦКП (номенклатура — 32 ед.):

Методика измерений теплоемкости с помощью автоматизированного измерительного комплекса «PPMS-9»
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  12.03.2015

Методика изготовления и характеризации наноструктур
Методика уникальна:  для России

Методика измерения геометрического профиля поверхности материалов с помощью электронного микроскопа JSM-7001FA
Методика уникальна:  для России

Методика измерения катодолюминесценции с помощью электронного микроскопа JSM-7001FA
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  06.09.2016
Методика уникальна:  нет

Методика исследования электронной структуры материалов с помощью фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением
Методика уникальна:  для России

Методика низкотемпературной высоковакуумной туннельной микроскопии/спектроскопии материалов
Методика уникальна:  для всего мира

Методика транспортных измерений при сверхнизких температурах до 10мК, в диапазоне частот до 20ГГц
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  14.12.2009
Методика уникальна:  для всего мира

Методика измерения транспортных характеристик (сопротивление, магнитосопротивление, холловское сопротивление) металлических и полупроводниковых структур при субгелиевых температурах и в магнитных полях до 16 Тесла с помощью многофункциональной измерительной криомагнитной установки CFMS-16
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  06.09.2016
Методика уникальна:  нет

Методика измерения переходных процессов в ВТСП устройствах и измерения критических токов в длинномерных ВТСП проводах
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  06.09.2016
Методика уникальна:  нет

Методика рентгеноструктурных исследований
Методика уникальна:  нет

Рентгенофазовый анализ материалов методом Дебая-Шерера
Методика уникальна:  нет

Методика твердофазного синтеза
Методика уникальна:  нет

Методика подготовки смесей высокочистых веществ для синтеза
Методика уникальна:  нет

Методика выращивания стандартных образцов высокосовершенных монокристаллов методом бестигельной зонной плавки с оптическим нагревом
Методика уникальна:  для России

Бесконтактные измерения критического тока ВТСП лент
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  15.02.2012

Экспресс-измерения комплексной магнитной восприимчивости материалов
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  21.09.2011

Методика измерения мощности излучения полупроводниковых лазеров на квантовых точках
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ВНИИ Метрологической службы Росстандарта
Дата аттестации:  10.11.2009

Методика измерения локального элементного состава поверхности методом EDX с помощью электронного микроскопа JSM-7001FA
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  15.02.2012

Методика измерения состава и толщины монокристаллических эпитаксиальных квантовых ям
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ВНИИ Метрологической службы Росстандарта
Дата аттестации:  09.11.2009

Методика выполнения измерений при изготовлении стандартных образцов тонких эпитаксиальных пленок YBaCuO методом лазерного напыления с фильтрацией скорости частиц
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  21.09.2011

Методика выполнения измерений полевой и температурной зависимостей AC-магнитной восприимчивости материалов в диапазоне температур 0,35 – 400К и магнитных полей до 9Тл с помощью многофункционального автоматизированного комплекса для измерения физических свойств «PPMS-9»
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  13.12.2009

Методика выполнения измерений сверхпроводящих щелей в электронных спектрах сверхпроводниковых материалов методом микроконтактной спектроскопии
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  21.09.2011

Методика выполнения измерений спектров отражения и пропускания в ИК-диапазоне
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  27.04.2010

Методика выполнения измерений теплопроводности металлических и полупроводниковых структур в диапазоне температур 1,8-400К и в магнитных полях до 9Тесла с помощью многофункционального автоматизированного комплекса для измерения физических свойств «PPMS-9»
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  13.12.2009

Методика измерения в условиях высокого давления (до 3ГПа) сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-0,3К в магнитном поле до 21Тесла
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  15.02.2012

Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-0,3К в магнитном поле с помощью измерительной установки «0,3К/21Тл»
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  15.02.2012

Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-1,2К в магнитном поле с помощью измерительной установки «0,3К/21Т»
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  15.02.2012

Методика измерения транспортных характеристик (сопротивление, магнитосопротивление, холловское сопротивление) металлических и полупроводниковых структур при субгелиевых температурах и в магнитных полях до 9 Тесла с помощью автоматизированного измерительного комплекса «PPMS-9»
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  13.12.2009

Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-0,3К в магнитном поле с помощью измерительной установки «0,3К/21Тл»
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  13.12.2009

Методика измерений полевой и температурной зависимостей магнитного момента материалов с помощью измерительной установки «MPMS-XL-7»
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  13.12.2009

Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур при сверхнизких температурах в магнитном поле с помощью измерительной установки «0,03К/13Тл»
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  13.12.2009

Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-1,3К в магнитном поле с помощью измерительной установки «1,3К/16Тл»
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  13.12.2009

Вернуться к списку ЦКП

 

Для просмотра сайта поверните экран