Центр коллективного пользования «Наноэлектроника и нанотехно-логические приборы»
Сокращенное наименование ЦКП: ЦКП НЭНТП
Базовая организация: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Воронежский государственный технический университет
Ведомственная принадлежность: Минобрнауки России
Год создания ЦКП: 2005
Контактная информация:
Местонахождение ЦКП:
|
Руководитель ЦКП:
|
Контактное лицо:
|
Сведения о результативности за 2021 год (данные ежегодного мониторинга)
|
Краткое описание ЦКП:
| ЦКП «НЭНТП» создан в 2005 г. как структурное подразделение Воронежского государственного технического университета (ВГТУ) и располагается на территории ВГТУ и Научно-исследовательского института полупроводникового машиностроения. Основные направления исследований - фундаментальные исследования процессов синтеза и свойств 1D-структурированных материалов полупроводников и их практическое применение. Общая сумма инвестиций в ЦКП за последние два года составила более 35 млн. руб. ЦКП «НЭНТП» функционирует в рамках ОАО «Технопарк «Содружество» (г. Воронеж). |
Направления научных исследований, проводимых в ЦКП:
|
Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):
|
Приоритетные направления Стратегии НТР (п. 20):
|
Фотографии ЦКП:
Научное оборудование ЦКП (номенклатура — 48 ед., нет данных о загрузке за 2022 год):
|
Автоматизированное зарядно-разрядное устройство
Автоматизированное зарядно-разрядное устройство
Анализаторы жидкости
Весы аналитические МВ 210 А
Весы лабораторные ВМ 1502 (Веста)
Видеомикроскоп оптический ВМ-1 (ВЦМ)
Генератор водорода
Деионизатор воды
Измеритель RLC-параметров
Измеритель времени жизни неосновных носителей заряда (СВЧ-релаксометр)
Измеритель освещенности
Измеритель удельного электросопротивления
Измерительно-калибровочная система
ИК-спектрофотомер SS-1103 (Leki)
ИК-спектрофотометр СФ-2000-02
Импульсный тестер для контроля параметров солнечных элементов и батарей
Испаритель ротационный
Картридж для де-ионизатора воды ДВ-1
Контроллер программируемый
Лабораторный комплекс по определению ключевых характеристик препрегов и ПКМ на их основе, Instron
Лабораторный комплекс по получению новых и модифицированных композиционных материалов CiJect (Composite Integreation)
Лабораторный технологический комплекс получения прекурсоров Dornier 0126T (ИНУМиТ)
Мельница вибрационная
Многофункциональный генератор-частотомер
Мультитест
Нано-склеро-метрический модуль "Интегра" (МДТ)
Опытный технологический комплекс пропитки I-190-102 (COS.T.A.)
Осциллограф цифровой DS1042C RIGOL Technologies
Осциллограф цифровой Tektronix 4.12
Печь высокотемпературная трубчатая
Поляриметр круговой
Потенциостат P-8S (ЭЛЛИНС)
Просвечивающий электронный микроскоп ПРЭМ-200 (Электрон)
Просвечивающий электронный микроскоп ЭМ-125 К (Электрон)
Растровый электронный микроскоп BS-300 (Tesla)
Рефрактометр
Система измерений вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик на постоянном токе и в импульсном режиме
Система электронно-лучевого и термического испарения для нанесения металлов
Сканирующий зондовый микроскоп
Спектрометр универсальный рентгеновский СУР-01 (Реном)
Титратор Фишера
Универсальный СЗМ комплекс
Установка приварки контактов FINEPLACER Micro HVR
Установка с вращающимся дисковым электродом
Устройство зарядно-разрядное
Цифровой аналитический металлографический комплекс
Шкаф сушильный
Шкаф Сушильный |
Услуги ЦКП (номенклатура — 16 ед.):
|
Краткое описание услуги: Проведено определение предела прочности при растяжении и модуля упругости при растяжении композиционного материала на основе препрега углепластика ВКУ – 25 с поверхностной плотностью 308 г/м2. Краткое описание услуги: Исследование поверхностной структуры пленок двуокиси олова. Краткое описание услуги: Определение филфактора фотоэлектрических структур кремния. Краткое описание услуги: Проведены исследования морфологии отпечатка наноиндентора в режиме топологии поверхности пленок Ag, Cu и Ag-Cu, полученных термическим испарением и конденсацией в вакууме соответствующих металлов из одного и двух источников на поверхности SiO2. Установлено, что различие морфологии поверхности отпечатка связано с различным механизмом деформации. Краткое описание услуги: Методом АСМ проведены исследования влияния импульсной фотонной обработки некогерентным излучением на морфологию поверхности композиционных покрытий систем Ca-P-O-H-Ti, Ca-P-O-H-Zr, полученных методом ВЧМР составных мишеней из гидроксиапатита и биосовместимых металлов (Ti, Zr) или их оксидов (TiO2, ZrO2). Краткое описание услуги: Определение филфактора фотоэлектрических структур фотоэлементов. Краткое описание услуги: исследование геометрических параметров нанопор оксида титана. Краткое описание услуги: Проведено определение предела прочности при растяжении и модуля упругости при растяжении композиционного материала на основе препрега углепластика ВКУ - 25 с поверхностной плотностью 308 г/м2 Краткое описание услуги: Получены титановые, нихромовые пленки толщиной 0,2 мкм, а также тонкий слой (0,5±0,1мкм) пленки SnO2 при следующих технологических режимах: давление в камере 10-11 Па Краткое описание услуги: Измерены линейные размеры пористых наноструктур на основе оксида титана. Краткое описание услуги: Исследование процесса роста нитевидных кристаллов кремний-германий с использованием матриц нанопористого оксида титана. Краткое описание услуги: Разработка методики припайки электрических контактов к тонкопленочным многослойным полупроводниковым структурам (ZnO/In2O3)n Краткое описание услуги: Исследованы габитусные параметры нитевидных нанокристаллов кремния. Краткое описание услуги: Исследование закономерностей образования нанопор оксида алюминия.
Синтез и исследование морфологии нитевидных кристаллов кремния для чувствительных элементов датчиков
Краткое описание услуги:
Атомно-силовая микроскопия нитевидных нанокристаллов. Краткое описание услуги: Определение вольт-фарадных характеристик электродов суперконденсаторов |
Методики измерений, применяемые в ЦКП (номенклатура — 1 ед.):
|
Методы исследований электрических параметров кремниевых фотоэлементов (напряжение холостого хода, ток короткого замыкания, филфактор, ток насыщения, максимальная мощность, к.п.д., темновые и световые характеристики, и др.) на импульсном солнечном тестере SТ-1000 при нормальных испытательных условиях (STC): освещенность равна 1000 Вт/м2, температура элемента 25 оС, солнечная спектральная освещенность АСТМ Е892 (масса воздуха 1.5).
|
