Микросистемная техника и электронная компонентная база
Сокращенное наименование ЦКП: МСТ и ЭКБ
Базовая организация: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»
Ведомственная принадлежность: Минобрнауки России
Год создания ЦКП: 2002
Сайт ЦКП: http://ckp-miet.ru/
Контактная информация:
Местонахождение ЦКП:
|
Руководитель ЦКП:
|
Контактное лицо:
|
Сведения о результативности за 2020 год (данные ежегодного мониторинга)
|
Краткое описание ЦКП:
|
Центр коллективного пользования "Микросистемная техника и электронная компонентная база" созданный в 2002 году,является самостоятельным структурным подразделением МИЭТ. ЦКП проводит научные исследования и разработки, а также предоставляет научно-технические услуги учреждениям, предприятиям и организациям. ЦКП оснащен новейшим оборудованием мирового уровня, которое позволяет реализовать замкнутый технологический маршрут проектирования интегральных схем с последующим изготовлением фотошаблонов и организацией мелкосерийного производства конечной продукции на отечественных производственных мощностях. В состав ЦКП входят подразделения: - Нано-технологический центр "Нано- и микросистемной техники"; - Дизайн-центр "Проектирование интегральных микроэлектронных систем"; - Центр "Технологии и испытания электронных компонентов"; - Центр "Интеллектуальные электронные энергосберегающие системы". |
Направления научных исследований, проводимых в ЦКП:
|
Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):
|
Приоритетные направления Стратегии НТР (п. 20):
|
Фотографии ЦКП:
Научное оборудование ЦКП (номенклатура — 70 ед., нет данных о загрузке за 2021 год):
|
4-х кан. установка хим. осаждения из газ. фазы при пониж. давлении и плазм. активации SVFUR-PEH4
4-х канальная печь SVFUR-AH4-1 . компания SVCS
4-х канальная печь SVFUR-AH4-2 . компания SVCS
4-х канальная установка хим.осаждения из газовой фазы при пониж.давлении SVFUR
Автомат разварки выводов 64000 G5
Аппаратно-программный комплекс для измерений X-, S- параметров и анализа характеристик усилителей до 40 ГГц
Аппаратно-программный комплекс для проектирования СВЧ МИС
Аппаратно-программный комплекс с терминальным доступом для выполнения задач проектирования интегральных микросхем с автоматизированными рабочими местами
Вакуумная печь
Вакуумная электроннолучевая система для исследования морфологии, элементного состава и формирования рисунка изделий микросистемной техники на базе растрового электронного микроскопа JSM-6490LV
Времяпролетный вторично-ионный масс-спектрометр TOFSIMS-5-100 (IonTOF)
Высоковакуумная низкотемпературная система для исследования нанорельефа, электростатических, магнитных и тепловых свойств наноструктур методами ACM/CTM/MCM PlasmoScope-2M
Двулучевая система высокого разрешения FEL Quanta 3D FEG DEMO
Дифрактометр многофункциональный Rigaku SmartLab
Зондовая установка для тестирования микросхем в составе пластин UF200A TOKYO
Зондовая установка контроля электрических параметров Cascade Summit 12K
Камера климатическая программируемая Espeс MC-811P
Кластерная установка плазмохимического травления
Комплект блоков и оснастки IE350 X-Max20 (Premium) для проведения энергодисперсионного микроанализа для электронного микроскопа JEOL JSM-6490LV
Комплект блоков и оснастки MK3 COOLSTAGE для проведения экспериментов при пониженных и повышенных температурах для растрового электронного микроскопа
Комплект блоков и оснастки XeDraw 2 для управления пучком и прецизионной засветки фоторезиста на поверхности полупроводниковых подложек для растрового электронного микроскопа
Контрольно-измерительный стенд для воспроизведения рельефа поверхности объекта и обеспечения высококачественного 3-х мерного компьютерного изображения (Оптический профилометр)
Лазерный конфокальный микроскоп VL 2000 DХ (Lasertech)
Линия герметизации корпусов методом роликовой шовной сварки с вакуумной печью и возможностью корпусирования в гелиевой среде
Микроскоп МИКРО2001-01
Оже-микрозонд PHI-670xi (Physical Electronics) в составе Специализированного программно-технического комплекса коллективного пользования для количественного элементного 3D анализа изделий нано- и микросистемной техники
Оптический микроскоп Vistec lNM100
Оптический микроскоп Vistec lNM100/DFC290 с цветной цифр.камерой
Оптический микроскоп Vistec lNM100/DFC290 с цветной цифр.камерой
Оптический микроскоп Vistec lNM200 UV высокого разрешения
Оптический микроскоп VL2000D высокого разрешения
Программно-аппаратный комплекс Vistec для проведения процессов с фотошаблонами размером 7 дюймов
Программно-аппаратный комплекс ДМТ-518 (Электроникс)
Программно-технический комплекс коллективного пользования для проектирования и испытаний систем-на-кристалле и сенсоров физических, биологических и химических (установка измерения поверхностного сопротивления quad pro)
Программно–технический комплекс высокопроизводительных вычислений с использованием САПР
Профилометр Alpha-Step D120 в составе Специализированного программно-технического комплекса коллективного пользования для количественного элементного 3D анализа изделий нано- и микросистемной техники
Проходная камера CK-581 (Multitest Elektronische System)
Рентгеноскопическая цифровая система контроля микросхем с функцией томографии
Система бесконтактного измерения температуры и теплового анализа SC5700 M (FLIR System)
Система временного бондинга пластин
Система лазерного разделения пластин со структурами, формируемыми по технологии 3D-сборки
Система обрезки и формовки выводов 5000L-F-3A-F-1A/4 Fancort Industries, Inc.
Система по изучению магнитооптического эффекта Керра Neoark BH-PI7892-KI
Система реактивно-ионного травления и обработки поверхности фотошаблона Corial 300S с дополнительными опциями
Система электрохимического формирования слоев металла в структурах 3D сборки
Сканирующее зондовое устройство для исследования морфологии, тепловых и магнитных полей изделий микросистемной техники на базе атомно-силового микроскопа Smart SPM фирмы AIST-NT
Сканирующий спектральный эллипсометр HORIBA UVISEL 2
Спектральное устройство для исследования оптических характеристик многослойных тонкопленочных структур на базе эллипсометра AutoSE фирмы Horiba
Стенд измерения и контроля параметров аналоговых микросхем и устройств ДМТ-219
Сухожаровой термошкаф
Технологический комплекс жидкостного травления и химической обработки кремния Mercury style (SCR) в составе: установки жидкостного травления SCP (9 ед.) и кислотные процессоры SCR Mercury style (2 ед.)
Технологический комплекс фотолитографии и оптического контроля EVG 150 в составе: установки контактной фотолитографии МА-150Е BSA, установки контактной фотолитографии и совмещения подложек МА6/ВА 6, установки контактной фотолитографии МА-150Е BSA, установ
Установка гидрообработки разделенных пластин
Установка для акустических исследований объемных структур KSI v-350lm
Установка для зондового контроля и анализа микросхем PM5
Установка для ионного травления и полировки Fischione Instruments Model 1060 SEM Mill в составе Специализированного программно-технического комплекса коллективного пользования для количественного элементного 3D анализа изделий нано- и микросистемной тех
Установка контроля акустических шумов LPD-4000.BGW
Установка контроля герметичности с камерой опрессовки в гелии HLT-560-VC
Установка контроля топологии ЭМ-6329Р
Установка монтажа кристаллов методом флип-чип с возможностью эвлектич.пайки РР5/4
Установка монтажа кристаллов с возможностью эвтектической пайки PP5/2 (Cefor Ingenierie)
Установка напыления тонких пленок металлов SEGI-RFA3-4TR
Установка отмывки пластин ЭМ-3027
Установка плазменной очистки YES G500 Yield Engineering Systems
Установка резки пластин DAD3350
Установка соединения пластин и подложек Suss Microtech Substrate bonder SB6
Установка тестирования и Уз-сварки 5630
Установка тестирования микросистем UltraFlex (Teradyne)
Установка формирования шариковых выводов с возможностью термо- и ультразвуковой сварки выводов многоуровневых корпусов
Энергодисперсионный спектрометр Quantax XFlash 6 с модульной системой дифракции обратнорассеянных электронов QUANTAX CrystAlign 200 |
Услуги ЦКП (номенклатура — 114 ед.):
|
Краткое описание услуги: Разработка технологии изготовления микросхем со встроенной энергонезависимой памятью с минимальными топологическими размерами 90 нм и освоение производства серии СБИС для смарт карт на её основе Краткое описание услуги: Временное соединение и разъединение кремниевых пластин Приоритетные направления Стратегии НТР РФ (п. 20): интеллектуальные транспортные и телекоммуникационные системы, освоение космического и воздушного пространства, Мирового океана, Арктики и Антарктики; цифровые технологии, роботизированные системы, новые материалы, большие данные, машинное обучение, искусственный интеллект
Краткое описание услуги: Внутренний визуальный контроль ОСТ11 073.013, 405-1.1 - метод предназначен для контроля кристаллов полупроводниковых микросхем, включая кристаллы третьей и высшей степени интеграции с металлизацией, защищенной и незащищенной диэлектрической пленкой и контроля качества сборки ИС Краткое описание услуги: Временное соединение (bonding) пластин Приоритетные направления Стратегии НТР РФ (п. 20): интеллектуальные транспортные и телекоммуникационные системы, освоение космического и воздушного пространства, Мирового океана, Арктики и Антарктики; цифровые технологии, роботизированные системы, новые материалы, большие данные, машинное обучение, искусственный интеллект
Краткое описание услуги: Герметизация корпуса
Краткое описание услуги: Измерение коэффициента шума монолитных интегральных схем (МИС) малошумящих усилителей (МШУ), фазовращателей с рабочими частотами до 40ГГц, смонтированных на диэлектрической подложке Приоритетные направления Стратегии НТР РФ (п. 20): цифровые технологии, роботизированные системы, новые материалы, большие данные, машинное обучение, искусственный интеллект; экологически чистая и ресурсосберегающая энергетика, глубокая переработка углеводородного сырья, новые источники энергии Краткое описание услуги: Измерение линейных характеристик МИС МШУ на полупроводниковой подложке и в составе радиоэлектронного модуля Приоритетные направления Стратегии НТР РФ (п. 20): цифровые технологии, роботизированные системы, новые материалы, большие данные, машинное обучение, искусственный интеллект Краткое описание услуги: Измерение магнитных свойств поверхности изделий микросистемной техники с пространственным разрешением в нанометровом диапазоне Краткое описание услуги: Измерение параметров энергоносителей в системах теплоэнергетики Краткое описание услуги: Измерение топологических элементов на фотошаблонах Краткое описание услуги: Измерение точностных параметров фотошаблонов Краткое описание услуги: Измерение фазового шума МИС генераторов, управляемых напряжением (ГУН), умножителей частоты на полупроводниковой подложке и в составе радиоэлектронного модуля Приоритетные направления Стратегии НТР РФ (п. 20): цифровые технологии, роботизированные системы, новые материалы, большие данные, машинное обучение, искусственный интеллект Краткое описание услуги: Испытание выводов на воздействие растягивающей силы ОСТ11 073.013, 109-1 Краткое описание услуги: Испытание гибких проволочных и ленточных выводов на изгиб ОСТ11 073.013, 110-3 Краткое описание услуги: Испытание датчиков контроля расхода энергоносителей в системах теплоэнергетики Краткое описание услуги: Испытание изделий МСТ и ЭКБ на воздействие внешних влияющих факторов Краткое описание услуги: Испытание на вибропрочность ОСТ11 073.013, 103-1.1, 103-1.3 - проводится с целью проверки способности микросхем противостоять разрушающему действию вибрации и сохранять внешний вид и параметры в пределах норм установленных в ТУ на микросхемы после ее воздействия Краткое описание услуги: Испытание на виброустойчивость ОСТ11 073.013, 102-1 - проводится с целью проверки способности микросхем выполнять свои функции и сохранять внешний вид и параметры в пределах норм установленных в ТУ на микросхемы в условиях и после воздействия синусоидальных вибраций в заданных режимах Краткое описание услуги: Испытание на влагостойкость в циклическом режиме ОСТ11 073.013, 207-4 - проводится с целью ускоренной оценки устойчивости микросхем и материалов, из которых они изготовлены, к разрушительному действию высокой влажности и температуры, характерных для тропического климата Краткое описание услуги: Испытание на воздействие акустического шума ОСТ11 073.013, 108-1, 108-2 Краткое описание услуги: Испытание на воздействие атмосферного повышенного давления ОСТ11 073.013, 406-1, 210-1 Краткое описание услуги: Испытание на воздействие атмосферного пониженного давления ОСТ11 073.013, 209-1 Краткое описание услуги: Испытание на воздействие изменения температуры ОСТ11 073.013, 205-1, 205-3 - проводится с целью определения способности микросхем сохранять свой внешний вид и параметры после воздействия изменения температуры среды в пределах значений, установленных в ТУ на микросхемы Краткое описание услуги: Испытание на воздействие инея и росы с покрытием лаком ОСТ11 073.013, 206-1 Краткое описание услуги: Испытание на воздействие линейных ускорений ОСТ11 073.013, 107-1 - проводится с целью проверки способности микросхем противостоять разрушающему действию линейного ускорения и сохранять свои параметры после воздействия линейного ускорения Краткое описание услуги: Испытание на воздействие одиночных ударов ОСТ11 073.013, 106-1 - проводится с целью проверки способности микросхем противостоять разрушающему действию механических ударов одиночного действия и сохранять внешний вид и параметры после воздействия ударов Краткое описание услуги: Испытание на воздействие очищающих растворителей ОСТ11 073.013, 411-1 - проводят с целью проверки стойкости к воздействию очищающих растворителей наружных материалов (неметаллических покрытий) и маркировки микросхем выполненной лакокрасочными материалами, и (или) определение способности микросхем сохранять свои параметры в пределах значений, указанных в ТУ Краткое описание услуги: Испытание на воздействие плесневых грибов ОСТ11 073.013, 214-1 Краткое описание услуги: Испытание на воздействие повышенной влажности воздуха (длительное) с покрытием лаком ОСТ11 073.013, 207-2 Краткое описание услуги: Испытание на воздействие повышенной влажности воздуха (кратковременное) ОСТ11 073.013, 208-2 - проводится: а) с целью выявления технологических дефектов, если специфика производства и конструктивные особенности изделий таковы, что дефекты могут быть выявлены кратковременным испытанием; б) с целью выявления дефектов, которые могут возникнуть при других видах испытаний. Микросхемы испытывают без электрической нагрузки в камере влаги
Краткое описание услуги: Испытание на воздействие пониженного атмосферного давления ОСТ11 073.013, 209-4 Краткое описание услуги: Испытание на воздействие соляного тумана с покрытием лаком 3 слоя ОСТ11 073.013, 215-1 Краткое описание услуги: Испытание на воздействие статической пыли ОСТ11 073.013 213-1 - проводится с целью проверки способности микросхем работать в среде с повышенной концентрацией пыли Краткое описание услуги: Испытание на герметичность ОСТ11 073.013, 401-8, 401-9 - представляет собой приборную проверку герметичности микросхем путем обнаружения утечки введенного в них элегаза или содержащегося в них воздуха Краткое описание услуги: Испытание на пожарную безопасность ОСТ11 073.013, 410-1, 410-2 - проводится с целью оценки соответствия микросхем требованиям по обеспечению пожарной безопасности, установленным в ТЗ и ТУ на микросхемы Краткое описание услуги: Испытание на прочность при свободном падении ОСТ11 073.013, 408-1 Краткое описание услуги: Испытание на способность к пайке ОСТ11 073.013, 402-1 Краткое описание услуги: Испытание на теплостойкость при пайке ОСТ11 073.013, 403-1 Краткое описание услуги: Испытание на хранение при повышенной температуре ОСТ11 073.013,201-1.1 Краткое описание услуги: Испытание на чувствительность к разряду статического электричества ОСТ11 073.013, 502-1, 502-1а - проводится с целью определения допустимых значений статического электричества для микросхем и определения их соответствия заданному в технической документации допустимому значению статического электричества Краткое описание услуги: Испытание соединения кристалл- подложка на сдвиг ОСТ11 073.013, 115-1 - проводится с целью определения прочности соединений между кристаллом и держателем или подложкой и оценки качества крепления кристалла
Краткое описание услуги: Исследование возможности формирования верхнего слоя металлизации цифровых интегральных схем
Исследование и разработка узлов схемы обработки сигналов 3-х осевого пьезогироскопического механизма
Краткое описание услуги:
Исследование и разработка узлов схемы обработки сигналов 3-х осевого пьезогироскопического механизма Краткое описание услуги: Исследование перспективных конструкций и технологических процессов изготовления генераторных приборов на алмазном теплоотводе с целью увеличения их выходной мощности Краткое описание услуги: Исследование распределения концентрации бора по глубине в кремнии с помощью вторично-ионного масс-спектрометра Приоритетные направления Стратегии НТР РФ (п. 20): интеллектуальные транспортные и телекоммуникационные системы, освоение космического и воздушного пространства, Мирового океана, Арктики и Антарктики; цифровые технологии, роботизированные системы, новые материалы, большие данные, машинное обучение, искусственный интеллект Краткое описание услуги: Исследование распределения концентрации фосфора по глубине в кремнии с помощью вторично-ионного масс-спектрометра Приоритетные направления Стратегии НТР РФ (п. 20): интеллектуальные транспортные и телекоммуникационные системы, освоение космического и воздушного пространства, Мирового океана, Арктики и Антарктики; цифровые технологии, роботизированные системы, новые материалы, большие данные, машинное обучение, искусственный интеллект Краткое описание услуги: Исследования в области основных направлений развития научно-технологической базы высокоплотных технологий Краткое описание услуги: Калибровка измерительных специализированных технических средств, предназначенных для измерения электрических, геометрических и оптических параметров изделий МСТ и ЭКБ Краткое описание услуги: Количественное определение концентрации элементов методом электронной оже-спектроскопии Приоритетные направления Стратегии НТР РФ (п. 20): интеллектуальные транспортные и телекоммуникационные системы, освоение космического и воздушного пространства, Мирового океана, Арктики и Антарктики; цифровые технологии, роботизированные системы, новые материалы, большие данные, машинное обучение, искусственный интеллект Краткое описание услуги: Контроля качества и геометрии пластин и параметров структур на всех этапах изготовления конечного продукта, принцип работы основан на мультисенсорной технологии Приоритетные направления Стратегии НТР РФ (п. 20): интеллектуальные транспортные и телекоммуникационные системы, освоение космического и воздушного пространства, Мирового океана, Арктики и Антарктики; персонализированная медицина, высокотехнологичное здравоохранение и технологии здоровьесбережения; цифровые технологии, роботизированные системы, новые материалы, большие данные, машинное обучение, искусственный интеллект Краткое описание услуги: Контроля качества и геометрии пластин и параметров структур на всех этапах изготовления конечного продукта, принцип работы основан на мультисенсорной технологии Приоритетные направления Стратегии НТР РФ (п. 20): интеллектуальные транспортные и телекоммуникационные системы, освоение космического и воздушного пространства, Мирового океана, Арктики и Антарктики; персонализированная медицина, высокотехнологичное здравоохранение и технологии здоровьесбережения; цифровые технологии, роботизированные системы, новые материалы, большие данные, машинное обучение, искусственный интеллект
Краткое описание услуги: Контроль параметров структуры рельефа поверхности на кремниевых пластинах в процессе изготовления изделий нано-микросистемной техники Краткое описание услуги: Контроль прочности сварного соединения ОСТ11 073.013, 109-4 - проводится с целью проверки прочности сварных соединений проволочных и ленточных выводов с контактными площадками кристалла, подложки (для гибридных схем) или траверсами корпуса и перемычек схем Краткое описание услуги: Контроль свободно перемещающихся частиц внутри корпуса по уровню шума Краткое описание услуги: Контроль содержания паров воды внутри корпуса ОСТ11 073.013, 222-1, 222-2 Краткое описание услуги: Контроль топологи и поиск дефектов на фотошаблонах Краткое описание услуги: Контроль топологии и поиск дефектов на фотошаблонах Краткое описание услуги: Кратковременное испытание на безотказность длительностью 1000 ч. - проводится с целью периодического контроля качества микросхем и проверки стабильности технологического процесса изготовления Краткое описание услуги: Кратковременное испытание на безотказность длительностью 3000 ч. ОСТ11 073.013, 700-2,1 Краткое описание услуги: Лазерная ретушь на фотошаблонах Краткое описание услуги: Разделения без применения абразивов и жидкостей. Резка осуществляется с помощью твердотельного лазера в импульсном режиме. Не требуются последующая очистка области резки пластины Приоритетные направления Стратегии НТР РФ (п. 20): интеллектуальные транспортные и телекоммуникационные системы, освоение космического и воздушного пространства, Мирового океана, Арктики и Антарктики; цифровые технологии, роботизированные системы, новые материалы, большие данные, машинное обучение, искусственный интеллект
Краткое описание услуги: Межоперационная и финишная отмывки фотошаблонов Краткое описание услуги: Монтаж пелликлов на фотошаблонах Краткое описание услуги: Неразрушающий рентгеновский контроль полупроводниковых приборов
Краткое описание услуги: Определение запасов устойчивости к воздействию механических , тепловых и электрических нагрузок (граничные испытания) ОСТ11 073.013, 422-1 - проводится при проведении приемки ОКР с целью определения: запасов устойчивости микросхем и корпусов к различным видам внешнего воздействия; предельных значений электрических режимов и минимальных значений предельно допустимых электрических режимов эксплуатации; резонансных частот микросхем Краткое описание услуги: Организация и осуществление повышения квалификации сотрудников Краткое описание услуги: Организация и проведение стажировки
Отработка и выполнение технологических операций жидкостного травления и химической обработки кремния
Краткое описание услуги: Проведение высокоточных измерений толщин слоев, показателей преломления и состава в многослойных структурах МСТ и ЭКБ Краткое описание услуги: Проведение работ по препарированию СБИС, получению изображений их топологических слоёв в оптическом или электронном микроскопе Краткое описание услуги: Проведение технологических операций жидкостного травления кремния Краткое описание услуги: Проведение технологических операций термического окисления кремния Краткое описание услуги: Проведение технологических операций фотолитографии и оптического контроля Краткое описание услуги: Проверка внешнего вида микросхем ОСТ 11 073.013,405-1.3 - проводится с целью определения соответствия внешнего вида требованиям ТУ, образцам внешнего вида или "Описанию образцов внешнего вида". Краткое описание услуги: Проверка габаритных размеров индивидуальной, групповой, дополнительной и транспортной тары ОСТ11 073.013, 404-2 - проводится с целью определения соответствия габаритных размеров индивидуальной, групповой, дополнительной и транспортной тары технической документации и ТУ Краткое описание услуги: Проверка габаритных, установочных и присоединительных размеров ОСТ11 073.013, 404-1 - проводится с целью определения соответствия габаритных, установочных и присоединительных размеров микросхем требованиям ТУ на микросхемы Краткое описание услуги: Проверка качества маркировки ОСТ11 073.013, 407-1 - осуществляется с целью определения содержания и разборчивости маркировки Краткое описание услуги: Проверка массы микросхемы ОСТ11 073.013, 406-1 - проводится с целью проверки соответствия массы микросхем требованиям, установленным в ТУ на микросхемы Краткое описание услуги: Проверка способности к пайке облуженных выводов без дополнительного облуживания после хранения в течение 12 месяцев ОСТ11 073.013, 402-1 - проводится с целью проверки выводов микросхем легко смачиваться припоем Краткое описание услуги: Проверка статических параметров ОСТ11 073.013, 500-1, 203-1, 201-2,1 - проводится с целью проверки соответствия электрических параметров нормам, установленным в ТУ. Испытания проводят средствами измерений, приборами и приспособлениями, удовлетворяющими требованиям стандартов на методы измерения электрических параметров микросхем
Краткое описание услуги: Разработка аппаратуры электронной (АЭ) Краткое описание услуги: Разработка комплекса методик калибровки и поверки оборудования для диагностики внутренних поверхностей открытых и глухих каналов в агрегатах и узлах механизмов в машиностроительной и авиакосмической отраслях методом профиламетрии Краткое описание услуги: Разработка опытного образца аппаратно-программного комплекса системы контроля процессов эксплуатации и энергопотребления объектов недвижимости Краткое описание услуги: Разработка технологии и организация производства имплантируемого насоса длительной механической поддержки кровообращения для пациентов с тяжелыми формами сердечной недостаточности Краткое описание услуги: Разработка эскизного проекта, технического проекта и стендов контроля для микросхемы изменения емкостей чувствительного элемента мостового диффиренциального типа в номинированное значение электрического напряжения для измерителей линейного ускорения Краткое описание услуги: Четырехпроводной метод измерения абсолютного электрического сопротивления индивидуальных нанопроволок с применением фокусированного ионного пучка
Краткое описание услуги: Сборка образцов изделий СЦС ТЕАЦ3.057.031 Краткое описание услуги: Суть конфокального принципа состоит в том, что используется диафрагма с крошечным отверстием (пинхол), расположенная в плоскости, сопряженной с плоскостью фокуса объектива. Для построения изображения подобной системой производится поточечное сканирование образца либо за счёт его перемещения, либо за счёт системы отклонения лучей в двух плоскостях. Полученные данные о яркости флуоресценции в каждой точке препарата сохраняются компьютером для последующего построения изображения. Приоритетные направления Стратегии НТР РФ (п. 20): интеллектуальные транспортные и телекоммуникационные системы, освоение космического и воздушного пространства, Мирового океана, Арктики и Антарктики; цифровые технологии, роботизированные системы, новые материалы, большие данные, машинное обучение, искусственный интеллект; экологически чистая и ресурсосберегающая энергетика, глубокая переработка углеводородного сырья, новые источники энергии Краткое описание услуги: Физико-химическая обработка фотошаблонов
Краткое описание услуги: Экспонирование резиста на электронно-лучевом генераторе изображения Краткое описание услуги: Экспонирование фоторезиста на лазерном генераторе изображения
|
Методики измерений, применяемые в ЦКП (номенклатура — 122 ед.):
|
Испытания по ГОСТ 20.57.406 Метод 102, 103, 104-1, 104-5
Испытания по ГОСТ 20.57.406 Метод 106-1
Испытания по ГОСТ 20.57.406 Метод 201, 202-1, 203, 204
Методика измерения линейных характеристик МИС МШУ на полупроводниковой подложке и в составе радиоэлектронного модуля
Методика уникальна:
нет
Методика измерения фазового шума МИС генераторов, управляемых напряжением (ГУН), умножителей частоты на полупроводниковой подложке и в составе радиоэлектронного модуля
Методика уникальна:
нет
Методика измерения коэффициента шума монолитных интегральных схем (МИС) малошумящих усилителей (МШУ), фазовращателей с рабочими частотами до 40ГГц, смонтированных на диэлектрической подложке
Методика уникальна:
нет
Методика временного соединения (bonding) и разъединения (debonding) пластин на жесткий носитель для работы с тонкими пластинами
Методика уникальна:
нет
Методика количественного определения концентрации элементов методом электронной оже-спектроскопии
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Акционерное общество «Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума» (АО «НИЦПВ») Методика уникальна: нет
Методика лазерного разделения пластин со структурами, формируемыми по технологии 3D сборки
Методика уникальна:
нет
Методика исследования распределения концентрации бора по глубине в кремнии с помощью вторично-ионного масс-спектрометра
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Акционерное общество «Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума» (АО «НИЦПВ») Методика уникальна: нет
Методика исследования распределения концентрации фосфора по глубине в кремнии с помощью вторично-ионного масс-спектрометра
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Акционерное общество «Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума» (АО «НИЦПВ») Методика уникальна: нет
Методика измерения локальной ёмкости поверхности образцов с точностью до 25 нм
Методика уникальна:
нет
Методика получения и анализа изображений, получаемых на оптическом микроскопе Nikon Eclipse, включающая особенности тепнопольной и светлопольной микроскопии отраженного и проходящего света
Методика уникальна:
нет
Экспресс-метод определения оптических характеристик n и k структуры в целом
Методика уникальна:
нет
Методика исследования процессов возбуждения автоэлектронной эмиссии
Методика уникальна:
нет
Методика определения величины плотности заряда в диэлектрической пленке методом вольт-фарадных характеристик
Методика уникальна:
нет
Методика анализа пустот на сканирующем акустическом микроскопе KSI V-350 LM
Наименование организации, аттестовавшей методику :
АО "НИЦПВ" Дата аттестации: 30.12.2020 Методика уникальна: нет
Методика визуализации пустот после операции бондинга
Методика герметизации корпуса
Методика групповой сборки кристаллов и соединения пластин
Методика жидкостного травления кремния
Методика измерений с помощью спектрального эллипсометра
Наименование организации, аттестовавшей методику :
АО "НИЦПВ" Дата аттестации: 30.12.2020 Методика уникальна: нет
Методика измерения S- и X- параметров МИС усилителей мощности (УМ) на подложке и в составе радиоэлектронного модуля
Методика уникальна:
нет
Методика измерения магнитных свойств поверхности изделий микросистемной техники с пространственным разрешением в нанометровом диапазоне
Методика измерения магнитооптических параметров и доменной структуры изделий нано- и микросистемной техники
Наименование организации, аттестовавшей методику :
АО "НИЦПВ" Дата аттестации: 30.12.2020 Методика уникальна: для России
Методика измерения топологических элементов на фотошаблонах
Методика измерения точностных параметров фотошаблонов
Методика исследования деградации шумовых и линейных характеристик МИС с рабочими частотами до 40 ГГц при их корпусировании и монтаже на диэлектрическую подложку с различными характеристиками
Методика уникальна:
для России
Методика калибровки измерительных специализированных технических средств, предназначенных для измерения электрических, геометрических и оптических параметров изделий МСТ и ЭКБ
Методика контроля параметров структуры рельефа поверхности на кремниевых пластинах в процессе изготовления изделий нано-микросистемной техники
Методика контроля свободно перемещающихся частиц внутри корпуса по уровню шума
Методика контроля топологи и поиск дефектов на фотошаблонах
Методика межоперационной и финишной отмывки фотошаблонов
Методика монтажа пелликлов на фотошаблонах
Методика напыления тонких пленок металлов
Методика обработки корпусов
Методика пиролитических процессов и плазмостимулированного осаждения материалов
Методика плазменного, реактивно-ионного травления и обработки материалов
Методика по неразрушающему рентгеновскому контролю полупроводниковых приборов
Методика посадки кристалла в корпус
Методика построения компактных моделей МИС с рабочими частотами до 40 ГГц на основе S- и X- параметров для дальнейшего проектирования радиоэлектронных модулей на их основе
Методика уникальна:
для России
Методика проведения высокоточных измерений напряжений в пленках и подложках на этапах технологического маршрута изготовления структур функциональной электроники
Методика проведения высокоточных измерений толщин слоев, показателей преломления и состава в многослойных структурах МСТ и ЭКБ
Методика разделения пластин на кристаллы
Методика термического окисления кремния
Методика тестирования активных и пассивных фильтров
Методика тестирования аналоговых генераторов в диапазоне частот до 500 МГц
Методика тестирования аналоговых элементов АПЧ и АПФ
Методика тестирования АЦП, ЦАП
Методика тестирования буферных усилителей
Методика тестирования компараторов
Методика тестирования ОУ
Методика физико-химической обработки фотошаблонов
Методика формирования внутренних соединений
Методика фотолитографии и оптического контроля
Методика измерения распределения потенциала поверхности методом Градиентного Зонда Кельвина
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Акционерное общество «Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума» (АО «НИЦПВ») Методика уникальна: нет
Методика электрохимического осаждения слоев меди на пластине в структурах 3D сборки
Методика уникальна:
нет
Методика измерения перепадов высот в нанометровом диапазоне с использованием профилометра
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Федеральное государственное унитарное предприятие «Всероссийский научно-исследовательский институт метрологической службы» (ФГУП «ВНИИМС») Дата аттестации: 16.12.2015 Методика уникальна: нет
Методика измерения перепадов высот в нанометровом диапазоне методами сканирующей зондовой микроскопии
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Федеральное государственное унитарное предприятие «Всероссийский научно-исследовательский институт метрологической службы» (ФГУП «ВНИИМС») Дата аттестации: 19.10.2015 Методика уникальна: нет
Методика измерения линейных размеров наноструктур методами сканирующей зондовой микроскопии
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Федеральное государственное унитарное предприятие «Всероссийский научно-исследовательский институт метрологической службы» (ФГУП «ВНИИМС») Дата аттестации: 19.10.2015 Методика уникальна: нет
Методика измерений линейных размеров наноструктур методами растровой электронной микроскопии
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Федеральное агенство по техническому регулированию и метрологии. Государственный научный метрологический институт «Всероссийский научно-исследовательский институт оптико-физических измерений» (ВНИИОФИ) Дата аттестации: 18.12.2014 Методика уникальна: нет
Методика плазменного реактивно-ионного травления и обработки поверхности
Методика измерения магнитного момента магнитных и ферромагнитных наноструктур при перемагничивании спин-поляризованным током комбинированным методом АСМ/СТМ/МСМ
Методика фазового и структурного анализа тонких пленок и наноматериалов с использованием многофункционального рентгеновского дифрактометра
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Акционерное общество «Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума» (АО «НИЦПВ») Методика уникальна: нет
Испытание на воздействие акустического шума ОСТ11 073.013, 108-1, 108-2
Испытание на воздействие соляного тумана с покрытием лаком 3 слоя ОСТ11 073.013, 215-1
Испытание на воздействие инея и росы с покрытием лаком ОСТ11 073.013, 206-1
Испытание на воздействие плесневых грибов ОСТ11 073.013, 214-1
Испытание на воздействие атмосферного пониженного давления ОСТ11 073.013, 209-1
Испытание на воздействие атмосферного повышенного давления ОСТ11 073.013, 406-1, 210-1
Испытание на хранение при повышенной температуре ОСТ11 073.013,201-1.1
Испытание на воздействие повышенной влажности воздуха (длительное) с покрытием лаком ОСТ11 073.013, 207-2
Испытание на прочность при свободном падении ОСТ11 073.013, 408-1
Испытание на воздействие пониженного атмосферного давления ОСТ11 073.013, 209-4
Испытание гибких проволочных и ленточных выводов на изгиб ОСТ11 073.013, 110-3
Кратковременное испытание на безотказность длительностью 3000 ч. ОСТ11 073.013, 700-2,1
Испытание выводов на воздействие растягивающей силы ОСТ11 073.013, 109-1
Испытание на теплостойкость при пайке ОСТ11 073.013, 403-1
Испытание на способность к пайке ОСТ11 073.013, 402-1
Контроль содержания паров воды внутри корпуса ОСТ11 073.013, 222-1, 222-2
Методика испытаний датчиков контроля расхода энергоносителей в системах теплоэнергетики
Методика измерения параметров энергоносителей в системах теплоэнергетики
Методика испытания изделий МСТ и ЭКБ на воздействие внешних влияющих факторов
Проверка способности к пайке облуженных выводов без дополнительного облуживания после хранения в течение 12 месяцев ОСТ11 073.013, 402-1 - проводится с целью проверки выводов микросхем легко смачиваться припоем
Испытание на воздействие статической пыли ОСТ11 073.013 213-1 - проводится с целью проверки способности микросхем работать в среде с повышенной концентрацией пыли
Испытание на пожарную безопасность ОСТ11 073.013, 410-1, 410-2 - проводится с целью оценки соответствия микросхем требованиям по обеспечению пожарной безопасности, установленным в ТЗ и ТУ на микросхемы
Испытание на воздействие повышенной влажности воздуха (кратковременное) ОСТ11 073.013, 208-2 - проводится: а) с целью выявления технологических дефектов, если специфика производства и конструктивные особенности изделий таковы, что дефекты могут быть выявлены кратковременным испытанием; б) с целью выявления дефектов, которые могут возникнуть при других видах испытаний. Микросхемы испытывают без электрической нагрузки в камере влаги
Испытание на воздействие линейных ускорений ОСТ11 073.013, 107-1 - проводится с целью проверки способности микросхем противостоять разрушающему дейтсвию линейного ускорения и сохранять свои параметры после воздействия линейного ускорения
Испытание на воздействие изменения температуры ОСТ11 073.013, 205-1, 205-3 - проводится с целью определения способности микросхем сохранять свой внешний вид и параметры после воздействия изменения температуры среды в пределах значений, установленных в ТУ на микросхемы
Проверка габаритных, установочных и присоединительных размеров ОСТ11 073.013, 404-1 - проводится с целью определения соответствия габаритных, установочных и присоединительных размеров микросхем требованиям ТУ на микросхемы
Испытание на чувствительность к разряду статического электричества ОСТ11 073.013, 502-1, 502-1а - проводится с целью определения допустимых знгачений статического электричества для микросхем и определения их соответствия заданному в технической документации допустимому значению статического электричества
Проверка массы микросхемы ОСТ11 073.013, 406-1 - проводится с целью проверки соответствия массы микросхем требованиям, установленным в ТУ на микросхемы
Определение запасов устойчивости к воздействию механических , тепловых и электрических нагрузок (граничные испытания) ОСТ11 073.013, 422-1 - проводится при проведении приемки ОКР с целью определения: запасов устойчивости микросхем и корпусов к различным видам внешнего воздействия; предельных значений электрических режимов и минимальных значений предельно допустимых электрических режимов эксплуатации; резонансных частот микросхем
Проверка габаритных размеров индивидуальной, групповой, дополнительной и транспортной тары ОСТ11 073.013, 404-2 - проводится с целью определения соответствия габаритных размеров индивидуальной, групповой, дополнительной и транспортной тары технической документации и ТУ
Испытание на виброустойчивость ОСТ11 073.013, 102-1 - проводится с целью проверки способности микросхем выполнять свои функции и сохранять внешний вид и параметры в пределах норм установленных в ТУ на микросхемы в условиях и после воздействия синусоидальных вибраций в заданных режимах
Испытание на вибропрочность ОСТ11 073.013, 103-1.1, 103-1.3 - проводится с целью проверки способности микросхем противостоять разрушающему действию вибрации и сохранять внешний вид и параметры в пределах норм установленных в ТУ на микросхемы после ее воздействия
Испытание на воздействие одиночных ударов ОСТ11 073.013, 106-1 - проводится с целью проверки способности микросхем противостоять разрушающему действию механических ударов одиночного действия и сохранять внешний вид и параметры после воздействия ударов
Испытание на влагостойкость в циклическом режиме ОСТ11 073.013, 207-4 - проводится с целью ускоренной оценки устойчивости микросхем и материалов, из которых они изготовлены, к разрушительному действию высокой влажности и температуры, характерных для тропического климата
Кратковременное испытание на безотказность длительностью 1000 ч. - проводится с целью периодического контроля качества микросхем и проверки стабильности технологического процесса изготовления
Испытание соединения кристалл- подложка на сдвиг ОСТ11 073.013, 115-1 - проводится с целью определения прочности соединений между кристаллом и держателем или подложкой и оценки качества крепления кристалла
Контроль прочности сварного соединения ОСТ11 073.013, 109-4 - проводится с целью проверки прочности сварных соединений проволочных и ленточных выводов с контактными площадками кристалла, подложки (для гибридных схем) или траверсами корпуса и перемычек схем
Внутренний визуальный контроль ОСТ11 073.013, 405-1.1 - метод предназначен для контроля кристаллов полупроводниковых микросхем, включая кристаллы третьей и высшей степени интеграции с металлизацией, защищенной и незащищенной диэлектрической пленкой и контроля качества сборки ИС
Испытание на воздействие очищающих растворителей ОСТ11 073.013, 411-1 - проводят с целью проверки стойкости к воздействию очищающих растворителей наружных материалов (неметаллических покрытий) и маркировки микросхем выполненной лакокрасочными материалами, и (или) определение способности микросхем сохранять свои параметры в пределах значений, указанных в ТУ
Проверка качества маркировки ОСТ11 073.013, 407-1 - осуществляется с целью определения содержания и разборчивости маркировки
Испытание на герметичность ОСТ11 073.013, 401-8, 401-9 - представляет собой приборную проверку герметичности микросхем путем обнаружения утечки введенного в них элегаза или содержащегося в них воздуха
Проверка статических параметров ОСТ11 073.013, 500-1, 203-1, 201-2,1 - проводится с целью проверки соответствия электрических параметров нормам, установленным в ТУ. Испытания проводят средствами измерений, приборами и приспособлениями, удовлетворяющими требованиям стандартов на методы измерения электрических параметров микросхем
Проверка внешнего вида микросхем ОСТ 11 073.013,405-1.3 - проводится с целью определения соответствия внешнего вида требованиям ТУ, образцам внешнего вида или "Описанию образцов внешнего вида"
Методика испытания изделий с определением концентрации паров воды в газовой смеси (200-10500) млн-1
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Государственный научный метрологический цент Открытое акционерное общество «Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума» (ОАО НИЦПВ) Дата аттестации: 11.08.2014 Методика уникальна: нет
Методика испытания изделий на воздействие температуры в диапазоне от минус 80 до плюс 220 ºС
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Общество с ограниченной ответсвенностью «СОВТЕСТ АТЕ» Дата аттестации: 11.04.2014 Методика уникальна: нет
Методика испытания изделий с воспроизведением линейных ускорений до 50 g
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Государственный научный метрологический цент Открытое акционерное общество «Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума» (ОАО НИЦПВ) Дата аттестации: 02.06.2014 Методика уникальна: нет
Методика испытания изделий с воспроизведением нагрузок от 1 N до 50 N
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Государственный научный метрологический цент Открытое акционерное общество «Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума» (ОАО НИЦПВ) Дата аттестации: 30.05.2012 Методика уникальна: нет
Методика испытания изделий с воспроизведением вибрации до 20 g в диапазоне частот от 40 Гц до 200 Гц
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Государственный научный метрологический цент Открытое акционерное общество «Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума» (ОАО НИЦПВ) Дата аттестации: 10.06.2014 Методика уникальна: нет
Методика испытания изделий с воспроизведением ударного ускорения от 100 g до 15000 g при длительности ударного импульса от 1 мс до 2 мс
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Государственный научный метрологический цент Открытое акционерное общество «Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума» (ОАО НИЦПВ) Дата аттестации: 06.12.2013 Методика уникальна: нет
Методика испытания изделий на воздействие температуры в диапазоне от 40 ºС до 300 ºС
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Общество с ограниченной ответсвенностью «СОВТЕСТ АТЕ» Дата аттестации: 22.05.2012 Методика уникальна: нет
Методика контроля микросхем с функцией томографии
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Государственный научный метрологический цент Открытое акционерное общество «Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума» (ОАО НИЦПВ) Дата аттестации: 31.08.2012 Методика уникальна: нет
Методика испытания изделий с диапазоном измерения утечки газов от 5 Е-12 м3*Па/с до 1 м3*Па/с
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Государственный научный метрологический цент Открытое акционерное общество «Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума» (ОАО НИЦПВ) Дата аттестации: 02.06.2014 Методика уникальна: нет
Методика испытания изделий с воспроизведением и измерением напряжения и силы постоянного тока, частоты следования прямоугольных импульсов при высоковоспроизводительном функциональном и параметрическом контроле интегральных микросхем и кристаллов в составе полупроводниковой пластины с числом выводов до 256 и рабочей частотой последовательности функционального контроля до 500 МГц
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Государственный научный метрологический цент Открытое акционерное общество «Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума» (ОАО НИЦПВ) Дата аттестации: 20.06.2014 Методика уникальна: нет
Методика контроля прочности присоединения кристаллов и прочности сварных соединений
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Государственный научный метрологический цент Открытое акционерное общество «Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума» (ОАО НИЦПВ) Дата аттестации: 02.06.2014 Методика уникальна: нет
Методика испытания изделий в диапазоне температуры от минус 85 ºС до 160 ºС с отклонением температуры от заданного значения ±2 ºС
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Государственный научный метрологический цент Открытое акционерное общество «Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума» (ОАО НИЦПВ) Дата аттестации: 28.05.2012 Методика уникальна: нет
Методика испытаний технических изделий на стойкость к воздействию влажности
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Общество с ограниченной ответсвенностью «СОВТЕСТ АТЕ» Дата аттестации: 22.05.2012 Методика уникальна: нет
Методика испытания изделий с воспроизведением амплитуды виброперемещения от 0,1 мм до 24,4 мм, виброскорости от 0 м/с до 1,7 м/с, ускорения от 0,1 g до 50 g в диапазоне частот от 5 Гц до 3000 Гц
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Государственный научный метрологический цент Открытое акционерное общество «Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума» (ОАО НИЦПВ) Дата аттестации: 02.07.2014 Методика уникальна: нет
Методика электротермотренировки элементов функциональной электроники
|
