Центр коллективного пользования приборами и оборудованием «Высокие технологии и аналитика наносистем НГУ»
Сокращенное наименование ЦКП: ЦКП ВТАН НГУ
Базовая организация: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Новосибирский национальный исследовательский государственный университет»
Ведомственная принадлежность: Минобрнауки России
Год создания ЦКП: 2010
Сайт ЦКП: https://www.nsu.ru/n/research/divisions/physics/ckp/2774978/
Контактная информация:
Местонахождение ЦКП:
|
Руководитель ЦКП:
|
Контактное лицо:
|
Сведения о результативности за 2021 год (данные ежегодного мониторинга)
|
Краткое описание ЦКП:
Центр коллективного пользования научным оборудованием «Высокие технологии и аналитика наносистем» (ЦКП ВТАН) представляет собой научно-организационную структуру, которая обеспечивает проведение научных исследований и оказание услуг в интересах заинтересованных пользователей (юридических и физических лиц) на основе интеллектуального потенциала высококвалифицированных научно-инженерных кадров, использующих современное технологическое и аналитическое оборудование и уникальные приборы. Основными задачами центра являются: реализация научных, научно-технических и инженерно-технологических проектов, а также выполнение инженерно-конструкторских и технологических работ; оказание услуг по широкому спектру аналитических и технологических исследований, по высокотехнологичным процессам и операциям; подготовка высококвалифицированных научных и инженерных кадров благодаря участию студентов, магистрантов и аспирантов в фундаментальных научных и инженерно-технологических исследованиях; повышение квалификации научных и инженерных кадров, проходящих стажировку в центре. Организация взаимодействия с возможными клиентами осуществляется на основе утвержденного каталога услуг, предоставляемых с использованием имеющегося в центре оборудования, и типового договора на оказание этих услуг. |
Направления научных исследований, проводимых в ЦКП:
|
Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):
|
Приоритетные направления Стратегии НТР (п. 20):
|
Научное оборудование ЦКП (номенклатура — 30 ед., средняя загрузка — 0%):
Автоматизированный микроскоп-интерферометр Ломо МИИ-4М-USB (Реверс)
Атомно-силовой микроскоп Bruker Dimension Icon
Вакуумный лазерный эллипсометр КАТАКОН
Газовый хроматомасс-спектрометр GCMS-QP2010NC Plus (Shimadzu)
ИК-Фурье спектрометр ФТ-801 (СИМЕКС)
Интерферометр Физо ESDI Intellium "Z100"
Инфракрасная печь для высокотемпературного отжига образцов
Квазиоптический субтерагерцовый ЛОВ-спектрометр (КДП)
Комплекс мощных СВЧ генераторов: гиротрон (24 ГГц), магнетрон (2,45 ГГц)
Комплекс оборудования для лаборатории микроволновых воздействий (Микроволновая система Discover S-Class, Микроволновая система Explorer 48, Микроволновая система MARS XPRESS, Микроволновая система Voyager Stop Flow (CEM))
Комплект микроэллипсометрический (в составе сканирующий лазерный эллипсометр)
Комплект оборудования лаборатории многослойных структур (Установка плазмохимического травления кремния, Установка совмещения и экспонирования ЭМ-5026М1, Центрифуга, Шкаф вытяжной, Микроскоп МИКРО 200Т-01)
Малогабаритный Спектрометр "Колибри-Lum" (диапазон 310-1100 нм)
Микроскоп-спектрофотометр ЛОМО "МСФУ-К"
Многоцелевой имплантер ионов кислорода и водорода
Просвечивающий электронный микроскоп высокого разрешения JEOL "JEM-2200FS-CS"
Просвечивающий электронный микроскоп Libra 120 (Carl Zeiss)
Растровый электронный сканирующий микроскоп JCM-5700 "CarryScope"Jeol с энергодисперсионной приставкой
Рентгеновский малоугловой дифрактометр Hecus S3-MICRO
Рентгеновский порошковый дифрактометр Thermo Fisher Scientific ARL X’TRA
Система для измерения вольтамперных и емкостных характеристик (Установка измерительная электронная для измерения статических и высокочастотных емкостных характеристик и Установка измерительная электронная для слаботочных измерений вольт-амперных характери
Сканирующий зондовый микроскоп (АСМ/СТМ-комбинированный) "SOLVER NEXT" (NT-MDT)
Спектральный эллипсометр быстродействующий КАТАКОН
Спектрометр комбинированного рассеивания света (KPC) T64000 (HORIBA JOBIN YVON)
Спектрофотометр ЛОМО "СФ-56"
Субтерагерцовый источник излучения Terasense 140 ГГц
ТГц детектор SLT Sensor und Lasertechnick THZ-30
Установка для молекулярно-лучевой эпитаксии, оснащенная сверхвысоковакуумным сканирующим туннельным микроскопом с изменяемой температурой образца VT STM (Scienta Omicron)
Установка для нанесения алмазоподобных и нанокомпозитных покрытий
Электронный литограф-электронный микроскоп (комбинированная нанофабрика) Raith "Pioneer" |
Услуги ЦКП (номенклатура — 0 ед.):
Нет данных. |
Методики измерений, применяемые в ЦКП (номенклатура — 20 ед.):
Пробоподготовка поперечных сколов твердотельных образцов для JEM-2200-FS-CS
Методика уникальна:
нет
Оптическая микроскопия с высокими увеличениями на Axiostar Plus (Zeiss)
Методика уникальна:
нет
Растровая электронная микроскопия электропроводящих неорганических объектов на JCM-5700 CarryScope (JEOL)
Методика уникальна:
нет
Изучение спектров плотности мощности шероховатости из данных АСМ-топографии
Методика уникальна:
нет
Атомно-силовая микроскопия объектов в режиме пиковой силы на Dimension Icon (Bruker)
Методика уникальна:
нет
Атомно-силовая микроскопия твердых поверхностей в полуконтактном режиме на Солвер-Некст (НТ-МДТ)
Методика уникальна:
нет
Методика получения визуальной картины микро- и нанорельефа поверхности образца с помощью растровой электронной микроскопии
Дата аттестации:
01.01.2017 Методика уникальна: нет
Методика получения информации об атомной структуре веществ с помощью высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии
Дата аттестации:
01.01.2017 Методика уникальна: нет
Методики микроволновой обработки (нагрева) материалов с целью модификации их структуры и физических свойств
Дата аттестации:
01.01.2017 Методика уникальна: нет
Методика прецизионного измерения вольт-фарадных характеристик
Дата аттестации:
01.01.2017 Методика уникальна: нет
Методика прецизионного измерения вольт-амперных характеристик
Дата аттестации:
01.01.2017 Методика уникальна: нет
Методика контроля точности изготовления поверхностей оптических деталей и оптических систем
Дата аттестации:
01.01.2017 Методика уникальна: нет
Методика измерения микрорельефа поверхностных микроструктур (в том числе дифракционных) и тонких пленок.
Дата аттестации:
01.01.2017 Методика уникальна: нет
Методика определения размеров и формы частиц для жидких и твердых дисперсных систем в диапазоне от 1 до 70 нм
Дата аттестации:
01.01.2017 Методика уникальна: нет
Методика изучения роста слоёв материалов методом МЛЭ под контролем сверхвысоковакуумной сканирующей туннельной микроскопии
Дата аттестации:
01.01.2017 Методика уникальна: нет
Методика экспонирования образцов электронным пучком для проведения процедуры электронно-лучевой литографии с помощью электронного микроскопа-литографа Pioneer
Дата аттестации:
01.01.2017 Методика уникальна: нет
Методика восстановления диэлектрической функции планарных образцов на основе измерений их комплексных коэффициентов пропускания/отражения
Дата аттестации:
01.01.2017 Методика уникальна: нет
Методика спектральной и лазерной эллипсометрии
Дата аттестации:
01.01.2017 Методика уникальна: нет
Методика регистрации спектров ИК-поглощения
Дата аттестации:
01.01.2017 Методика уникальна: нет
Методика регистрации спектров комбинационного рассеяния света
Наименование организации, аттестовавшей методику :
нет Дата аттестации: 01.01.2017 Методика уникальна: нет |