Центр коллективного пользования «Материаловедение и диагностика в передовых технологиях»
Сокращенное наименование ЦКП: ЦКП МДТ
Базовая организация: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Ведомственная принадлежность: Минобрнауки России
Год создания ЦКП: 2003
Сайт ЦКП: http://ckp.rinno.ru
Ссылка на vk.com: https://vk.com
Ссылка на Telegram: https://tg.me
УНУ в составе оборудования ЦКП:
Контактная информация:
Местонахождение ЦКП:
|
Руководитель ЦКП:
|
Контактное лицо:
|
Сведения о результативности за 2021 год (данные ежегодного мониторинга)
|
Краткое описание ЦКП:
|
Центр коллективного пользования Федерального государственного бюджетного учреждения науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук «Материаловедение и диагностика в передовых технологиях», образован путем объединения части аппаратурного комплекса ЦКП ФТИ им. А.Ф. Иоффе организованного в 1994г, и части аппаратурного комплекса уникальной научной установки Глобус-М. ЦКП организован специально для решения приоритетной научной задачи (ПНЗ) «Исследования и разработка физических принципов и технических решений эффективной и безопасной гибридной ядерной энергетики». В конце 2014 года ЦКП вошел в число победителей конкурса по мероприятию 3.1.2 «Поддержка и развитие центров коллективного пользования (ЦКП) научным оборудованием» Федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы» и получил финансовую поддержку государства в лице Минобрнауки России (соглашение № 14.621.21.0007 от 04 декабря 2014 г., уникальный идентификатор работ (проекта) RFMEFI62114X0007). Исследования и разработки проводимые на аппаратуре ЦКП для поддержки ПНЗ «Исследования и разработка физических принципов и технических решений эффективной и безопасной гибридной ядерной энергетики» дадут возможность кардинально улучшить безопасность и эффективность ядерной энергетики за счет ускоренного внедрение в нее термоядерных технологий. Это достигается путем создания гибридных реакторов синтез-деление, ядерная оболочка которых (бланкет - размножитель нейтронов) работает в подкритическом режиме. В настоящее время уровень развития термоядерных технологий позволяет осуществить переход к этапу демонстрации инженерно-технологических возможностей. ПНЗ «Исследования и разработка физических принципов и технических решений эффективной и безопасной гибридной ядерной энергетики», решение которой начато в рамках ЦКП ФТИ «Материаловедение и диагностика в передовых технологиях»,призвана заложить основы успешного решения проблемы разработки гибридных реакторов синтез-деление. На оборудовании ЦКП могут реализовываться следующие задачи, направленные на решение ПНЗ: 1. Исследование и разработка эффективных схем непрерывного поддержания тока в компактном токамаке - прототипе генератора нейтронов: расчетные и экспериментальные методы отработки технологий поддержания высокочастотного тока увлечения в компактном токамаке с высокой эффективностью; расчеты и экспериментальная оптимизация режимов самогенерации тока плазмы за счет градиентов давления; оптимизация тока увлечения высокоэнергичными пучками частиц, инжектируемыми в плазму. 2. Разработка методов нагрева плазмы токамака до субтермоядерных температур, обеспечивающих условия для эффективной генерации нейтронов в реакции синтеза пучок-плазма: обеспечение равновесия и устойчивости плазмы с высокой анизотропией давления; улучшение удержания плазмы за счёт подавления аномального переноса и формирования транспортных барьеров; технологии нагрева плазмы, совместимые с технологиями непрерывного поддержания тока; диагностика высокотемпературной плазмы. 3. Разработка технологии вывода продуктов термоядерного горения через специально разработанные интерфейсы диверторного типа: численное и экспериментальное моделирование режимов ядерного синтеза с минимальной плотностью мощности переносимой на приемные диверторные пластины; технические решения диверторного узла, исследования и выбор материалов первой стенки компактного токамака, обеспечивающих стационарный режим работы, стойких к облучению плазмой, нейтронами и обладающих достаточной прозрачностью для потока нейтронов и минимальной наведенной активностью; on-line и post-mortem диагностика облученных потоками плазмы и энергичных частиц материалов первой стенки; исследование поведения кандидатных материалов под воздействием сверхмощных плазменных потоков на экспериментальном стенде. Комплексное и междисциплинарное решение задач ПНЗ обеспечивается уникальным сочетанием оборудования ЦКП для создания высокотемпературной (термоядерной) плазмы (сферический токамак Глобус-М) и аппаратуры для диагностики материалов, использующую комплекс прецизионного аналитического оборудования, позволяющего получить с высокой точностью, чувствительностью и пространственным разрешением структурную информацию вплоть до атомного масштаба. |
Направления научных исследований, проводимых в ЦКП:
|
Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):
|
Приоритетные направления Стратегии НТР (п. 20):
|
Научное оборудование ЦКП (номенклатура — 17 ед., нет данных о загрузке за 2022 год):
|
Высокоразрешающий рентгеновский дифрактометр с вращающимся анодом D8 Discover
Комплекс для локального анализа поверхности с помощью сканирующей зондовой микроскопии в условиях контролируемой инертной атмосферы
Комплекс для локального анализа структуры, атомного состава и связей с помощью просвечивающей электронной микроскопии на базе JEM-2100F
Микроскоп стереоскопический с системой цифровой регистрации Eclipse L150
Микроскоп стереоскопический с системой цифровой регистрации SMZ 745T (Nikon)
Порошковый рентгеновский дифрактометр Bruker D2 Phaser
Прецизионная полуавтоматическая полировальная система MultiPrep TEM System 8"
Система ионного травления и полировки SEM Mill 1061
Система ионного утонения образцов Nanomill 1050 (Fischione Instruments)
Система сверхвысоковакуумной откачки колонны первичных ионных пучков и источников первичных ионов, аналитической камеры и масс-спектрометрической части вторично-ионного микрозондового масс-спектрометра IMS-7f
Специализированный высоковакуумный стенд STE IBS (НиТО)
Сферический токамак Глобус-М
Универсальный вторично-ионный микроанализатор Ion Microanalyzer IMS-7F в расширенной комплектации с комплектом дополнительного специального научного и инженерного оборудования обеспечивающего его работоспособность и с комплектом ЗиП (Cameca)
Установка для исследования температурной зависимости электрофизических и оптических параметров твердотельных наногетероструктур
Установка для электронной литографии на базе растрового электронного микроскопа JSM-7001F
Устройство ионной резки с азотным охлаждением
Энергодисперсионный спектрометр QUANTAX XFlash 6 |
Услуги ЦКП (номенклатура — 10 ед.):
|
|
Методики измерений, применяемые в ЦКП (номенклатура — 9 ед.):
|
Методика выполнения измерений метрических параметров топографии поверхности полупроводниковых многослойных наногетероструктур с помощью атомно-силового микроскопа Dimension 3100
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ) Дата аттестации: 09.12.2009
Методика выполнения измерений определение методом динамической вторично-ионной масс-спектрометрии распределения по глубине монокристаллического кремния содержания бора
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ) Дата аттестации: 29.07.2010
Методика выполнения измерений определение методом динамической вторично-ионной масс-спектрометрии распределения по глубине слоя нитрида галлия содержания кремния в структурах полупроводниковых светоизлучающих диодов на основе нитридов III группы
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ) Дата аттестации: 06.12.2009
Методика выполнения измерений определение методом динамической вторично-ионной масс-спектрометрии распределения по глубине слоя нитрида галлия содержания магния в структурах полупроводниковых светоизлучающих диодов на основе нитридов III группы
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ) Дата аттестации: 06.12.2009
Методика измерений размеров области когерентного рассеяния рентгеновского излучения в тонких пленках нанокристаллического гидрогенизированного Si и Si-Ge методом рентгеновской дифрактометрии скользящего падения.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ) Дата аттестации: 21.10.2012
Методика измерений состава и толщины слоев арсенида алюминия и арсенида галлия в многослойных наногетероструктурах на основе твердых растворов AlAs-GaAs методом рентгеновской рефлектометрии
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Федеральное государственное унитарное предприятие Уральской научно - исследовательский институт метрологии (ФГУП УНИИМ) Дата аттестации: 16.10.2011
Методика измерений среднего арифметического отклонения профиля и наибольшей высоты неровностей профиля поверхности контактного слоя ZnO на стеклянной
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ) Дата аттестации: 21.10.2012
Методика измерений толщины слоев и межплоскостных расстояний в гетероструктурах InGaAs–Ge методом просвечивающей электронной микроскопии.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ) Дата аттестации: 21.10.2012
Методика измерения толщины слоев полупроводниковых многослойных наногетероструктур на основе соединений III-V на германиевой подложке методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии.
Наименование организации, аттестовавшей методику :
Открытое акционерное общество Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (ОАО НИЦПВ) Дата аттестации: 21.10.2012 |
